公开(公告)号：CN114497347B

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202210392220.8

申请日：2022-04-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 胡元太 ,  杨万里 ,  曾祥斌 ,  王耘波

IPC: H01L41/08 ,  H01L29/861 ,  G08C23/02

Abstract: 本发明属于压电电子领域，公开了一种压电PN结模块在声‑电二极管中的应用。压电PN结模块包括直流电源、压电PN结和绝缘基体；在压电PN结中间交界面两侧以点状连接方式，通过绝缘胶将压电PN结固接于绝缘基体上表面；直流电源用于向压电PN结两端施加正向或反向直流偏压；将压电PN结作为声‑电二极管，声‑电二极管的一端作为机械信号输入端，另一端作为机械信号输出端，通过改变向绝缘基体施加的弯矩大小和转向，调控声‑电二极管的波动特征和伏安特性。本发明基于机械信号与载流子的耦合作用，通过机械调控方式改变压电半导体结构中的电流大小和机械信号的振幅，能够实现多物理场与载流子的耦合波动融合调控。

公开(公告)号：CN101436597A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810236807.X

申请日：2008-12-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 于军 ,  闻心怡 ,  王耘波 ,  周文利 ,  高俊雄 ,  李建军 ,  赵远

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明属于铁电存储器技术领域，公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法。铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅层、二氧化钛粘结层、金属铂导电层、铅酸钡下电极层、铁电薄膜层和铅酸钡上电极层构成；其中铅酸钡下电极层厚度为100～200nm；铁电薄膜为掺铌的锆钛酸铅材料，其厚度为200～300nm；铅酸钡上电极层厚度为100～200nm；和传统基于铂电极的铁电薄膜电容相比，本发明铁电薄膜电容器工艺温度更低，矫顽场更小，抗疲劳特性更好。

公开(公告)号：CN1372334A

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN01138333.X

申请日：2001-12-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 于军 ,  王华 ,  王耘波 ,  周文利 ,  谢基凡

IPC: H01L41/24

Abstract: 本发明公开的Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备工艺,采用钛酸丁酯,冰醋酸,硝酸铋,乙酰丙酮配制Bi4Ti3O12溶胶,其配比为:(a)钛酸丁酯与硝酸铋的摩尔比为3.00∶4.20－4.40;(b)冰醋酸、乙酰丙酮和钛酸丁酯的体积百分比分别为10－80%∶10－80%∶10%;选用(100)晶向p型单晶Si基片作为衬底,将溶胶滴到衬底上,再进行匀胶,形成湿薄膜,再进行烘干处理后进行退火处理;重复进行匀胶、烘干处理和退火热处理,直至形成所需厚度的BIT铁电薄膜。本发明方法制备的铁电薄膜可用于存储器制作。该铁电薄膜在结构、铁电与介电等方面具有较好的综合性能。在具体实施方式部分将从几个方面对本发明的技术效果作具体分析。

公开(公告)号：CN114497347A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210392220.8

申请日：2022-04-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 胡元太 ,  杨万里 ,  曾祥斌 ,  王耘波

IPC: H01L41/08 ,  H01L29/861 ,  G08C23/02

Abstract: 本发明属于压电电子领域，公开了一种压电PN结模块在声‑电二极管中的应用。压电PN结模块包括直流电源、压电PN结和绝缘基体；在压电PN结中间交界面两侧以点状连接方式，通过绝缘胶将压电PN结固接于绝缘基体上表面；直流电源用于向压电PN结两端施加正向或反向直流偏压；将压电PN结作为声‑电二极管，声‑电二极管的一端作为机械信号输入端，另一端作为机械信号输出端，通过改变向绝缘基体施加的弯矩大小和转向，调控声‑电二极管的波动特征和伏安特性。本发明基于机械信号与载流子的耦合作用，通过机械调控方式改变压电半导体结构中的电流大小和机械信号的振幅，能够实现多物理场与载流子的耦合波动融合调控。

公开(公告)号：CN109682866A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201910011383.5

申请日：2019-01-07

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周文利 ,  朱宇 ,  陈昌盛 ,  吴硕 ,  程润虹 ,  王耘波 ,  高俊雄

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明属于传感器技术领域，更具体地，涉及一种基于磷钼酸分子修饰的碳纳米管气敏传感器。该传感器按结构分为碳纳米管二端气敏传感器和三端气敏传感器。碳纳米管二端气敏传感器自下而上包括：衬底、薄膜电极和磷钼酸分子修饰的碳纳米管；其中薄膜电极位于衬底表面；磷钼酸分子修饰的碳纳米管架设在薄膜电极之间作为气敏传感器敏感元件。在上述衬底表面和薄膜电极之间另外自下而上依次设置有栅极和栅介质层，形成基于场效应的碳纳米管三端气敏传感器。通过采用磷钼酸分子对碳纳米管进行修饰制作气敏传感器，通过气体分子与磷钼酸分子之间高效地电子转移，显著地改变气体敏感元件的电阻，进而提高了气敏传感器的灵敏度。

公开(公告)号：CN106945404A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710200069.2

申请日：2017-03-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周文利 ,  朱宇 ,  陈昌盛 ,  向耘宏 ,  蒋履辉 ,  喻研 ,  王耘波 ,  高俊雄

IPC: B41J2/16

CPC classification number: B41J2/1601

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯‑碳纳米管复合结构的热喷印头及其制备方法，采用ICP工艺以及PDMS填充深沟的表面平坦化工艺，在硅片衬底上制备主通道、喷墨腔室、进墨通道、喷嘴、喷墨通道；采用阳极键合工艺，以石墨烯碎片作为中间层，将玻璃基底和硅片衬底键合。主通道和喷墨腔室通过进墨通道连通，进墨通道深度小于喷墨腔室深度；喷嘴设置在喷墨腔室底部；碳纳米管‑石墨烯复合结构微气泡发生器阵列和碳纳米管温度传感器阵列制备在玻璃基底对应喷墨腔室的区域，且朝向喷墨腔室设置。该喷头进液关闭可靠、键合强度高、不易污染喷印腔室，制备时精度易于控制。

公开(公告)号：CN101168488B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710168369.3

申请日：2007-11-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 于军 ,  杨斌 ,  郑朝丹 ,  李佳 ,  王耘波 ,  高俊雄 ,  周文利

IPC: C04B41/50 ,  C04B35/462 ,  G11B9/02

Abstract: 本发明公开了一种铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜的制备方法，属于微电子新材料与器件范围。本发明铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜使用溶胶凝胶方法制备，前躯体溶液浓度为0.04～0.05摩尔/升，在每次旋转涂覆后，都对经过烘烤、热解的薄膜进行退火处理，退火时，把薄膜样品从室温、大气环境中直接放入已升温至645～655℃的管式炉中，在空气气氛下，退火5～10分钟。本发明铁电存储器用柱状掺钕钛酸铋铁电薄膜为择优取向的多晶薄膜，晶粒呈柱状且尺寸较大，具有疲劳特性较好和结晶温度较低的优点，可与现有CMOS工艺兼容。

公开(公告)号：CN109682866B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201910011383.5

申请日：2019-01-07

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周文利 ,  朱宇 ,  陈昌盛 ,  吴硕 ,  程润虹 ,  王耘波 ,  高俊雄

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明属于传感器技术领域，更具体地，涉及一种基于磷钼酸分子修饰的碳纳米管气敏传感器。该传感器按结构分为碳纳米管二端气敏传感器和三端气敏传感器。碳纳米管二端气敏传感器自下而上包括：衬底、薄膜电极和磷钼酸分子修饰的碳纳米管；其中薄膜电极位于衬底表面；磷钼酸分子修饰的碳纳米管架设在薄膜电极之间作为气敏传感器敏感元件。在上述衬底表面和薄膜电极之间另外自下而上依次设置有栅极和栅介质层，形成基于场效应的碳纳米管三端气敏传感器。通过采用磷钼酸分子对碳纳米管进行修饰制作气敏传感器，通过气体分子与磷钼酸分子之间高效地电子转移，显著地改变气体敏感元件的电阻，进而提高了气敏传感器的灵敏度。

公开(公告)号：CN106683991B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201611130639.7

申请日：2016-12-09

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周文利 ,  朱宇 ,  陈昌盛 ,  王耘波 ,  高俊雄

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/金属复合电极的碳纳米管器件的互连方法，包括以下步骤：在衬底上设计并制备预图形化的金属薄膜电极；在图形化的金属薄膜电极之间装配碳纳米管；使与金属薄膜电极接触的碳纳米管两端被金属原子刻蚀，形成缺陷；使碳源分子被金属原子催化分解；使石墨烯与碳纳米管两端通过共价成键实现互连。本发明实现了石墨烯与指定碳纳米管特定位置，即对应电极之间的碳纳米管两端的共价连接，这不同于之前石墨烯与碳纳米管间随机的连接。载流子能够在石墨烯与碳纳米管之间良好地输运，降低了石墨烯与碳纳米管的接触电阻，降低了器件的功耗。同时，在预图形化的金属催化基底生长石墨烯，无需转移和刻蚀。

公开(公告)号：CN101436532B

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200810236930.1

申请日：2008-12-19

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 于军 ,  李建军 ,  王耘波 ,  周文利 ,  高俊雄 ,  闻心怡 ,  吴云翼 ,  周光惺

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法，属于微电子信息功能材料与器件领域。本发明铁电存储器用PZT前驱体溶液浓度为0.1～0.3mol/l。每次旋转匀胶后，都对薄膜进行烘烤并辅以均匀紫外光辐照，光照度为10～15mW/cm2，接着进行热解处理，最后PZT薄膜在550～600℃下退火处理。本发明铁电存储器用PZT铁电薄膜为多晶薄膜，具有良好的铁电性能、抗疲劳性能及漏电流特性，且结晶温度低的优点，可与现有的Si半导体工艺兼容。