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公开(公告)号：CN109682866B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910011383.5
申请日：2019-01-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，更具体地，涉及一种基于磷钼酸分子修饰的碳纳米管气敏传感器。该传感器按结构分为碳纳米管二端气敏传感器和三端气敏传感器。碳纳米管二端气敏传感器自下而上包括：衬底、薄膜电极和磷钼酸分子修饰的碳纳米管；其中薄膜电极位于衬底表面；磷钼酸分子修饰的碳纳米管架设在薄膜电极之间作为气敏传感器敏感元件。在上述衬底表面和薄膜电极之间另外自下而上依次设置有栅极和栅介质层，形成基于场效应的碳纳米管三端气敏传感器。通过采用磷钼酸分子对碳纳米管进行修饰制作气敏传感器，通过气体分子与磷钼酸分子之间高效地电子转移，显著地改变气体敏感元件的电阻，进而提高了气敏传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN110443345A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910699882.8
申请日：2019-07-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于人工智能技术领域，涉及一种利用氧化/还原分子吸附调控多金属氧酸盐-半导体低维纳米材料神经网络电脉冲发放行为的方法以及基于该调控方法获得的一种新型的三元分子神经网络。通过调控氧化/还原分子在所述多金属氧酸盐-半导体低维纳米材料复合结构表面的吸附，改变多金属氧酸盐与半导体低维纳米材料间的电荷转移，从而改变多金属氧酸盐-半导体低维纳米材料复合结构的电导，进而改变多金属氧酸盐-半导体低维纳米材料复合结构单元之间的电荷势垒及对应的电荷传输机制，从而调控多金属氧酸盐-半导体低维纳米材料神经网络的电脉冲发放行为，由此解决现有技术提出的分子神经网络中电脉冲行为不可控的技术问题。
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公开(公告)号：CN109682866A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910011383.5
申请日：2019-01-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，更具体地，涉及一种基于磷钼酸分子修饰的碳纳米管气敏传感器。该传感器按结构分为碳纳米管二端气敏传感器和三端气敏传感器。碳纳米管二端气敏传感器自下而上包括：衬底、薄膜电极和磷钼酸分子修饰的碳纳米管；其中薄膜电极位于衬底表面；磷钼酸分子修饰的碳纳米管架设在薄膜电极之间作为气敏传感器敏感元件。在上述衬底表面和薄膜电极之间另外自下而上依次设置有栅极和栅介质层，形成基于场效应的碳纳米管三端气敏传感器。通过采用磷钼酸分子对碳纳米管进行修饰制作气敏传感器，通过气体分子与磷钼酸分子之间高效地电子转移，显著地改变气体敏感元件的电阻，进而提高了气敏传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN110443345B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910699882.8
申请日：2019-07-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于人工智能技术领域，涉及一种利用氧化/还原分子吸附调控多金属氧酸盐‑半导体低维纳米材料神经网络电脉冲发放行为的方法以及基于该调控方法获得的一种新型的三元分子神经网络。通过调控氧化/还原分子在所述多金属氧酸盐‑半导体低维纳米材料复合结构表面的吸附，改变多金属氧酸盐与半导体低维纳米材料间的电荷转移，从而改变多金属氧酸盐‑半导体低维纳米材料复合结构的电导，进而改变多金属氧酸盐‑半导体低维纳米材料复合结构单元之间的电荷势垒及对应的电荷传输机制，从而调控多金属氧酸盐‑半导体低维纳米材料神经网络的电脉冲发放行为，由此解决现有技术提出的分子神经网络中电脉冲行为不可控的技术问题。
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