公开(公告)号：CN101436532A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810236930.1

申请日：2008-12-19

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 于军 ,  李建军 ,  王耘波 ,  周文利 ,  高俊雄 ,  闻心怡 ,  吴云翼 ,  周光惺

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法，属于微电子信息功能材料与器件领域。本发明铁电存储器用PZT前驱体溶液浓度为0.1～0.3mol/l。每次旋转匀胶后，都对薄膜进行烘烤并辅以均匀紫外光辐照，光照度为10～15mW/cm2，接着进行热解处理，最后PZT薄膜在550～600℃下退火处理。本发明铁电存储器用PZT铁电薄膜为多晶薄膜，具有良好的铁电性能、抗疲劳性能及漏电流特性，且结晶温度低的优点，可与现有的Si半导体工艺兼容。

公开(公告)号：CN101436597A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810236807.X

申请日：2008-12-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 于军 ,  闻心怡 ,  王耘波 ,  周文利 ,  高俊雄 ,  李建军 ,  赵远

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明属于铁电存储器技术领域，公开了一种铁电存储器用铁电薄膜电容及其制备方法。铁电薄膜电容依次由硅基底、二氧化硅层、二氧化钛粘结层、金属铂导电层、铅酸钡下电极层、铁电薄膜层和铅酸钡上电极层构成；其中铅酸钡下电极层厚度为100～200nm；铁电薄膜为掺铌的锆钛酸铅材料，其厚度为200～300nm；铅酸钡上电极层厚度为100～200nm；和传统基于铂电极的铁电薄膜电容相比，本发明铁电薄膜电容器工艺温度更低，矫顽场更小，抗疲劳特性更好。

公开(公告)号：CN101436532B

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200810236930.1

申请日：2008-12-19

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 于军 ,  李建军 ,  王耘波 ,  周文利 ,  高俊雄 ,  闻心怡 ,  吴云翼 ,  周光惺

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法，属于微电子信息功能材料与器件领域。本发明铁电存储器用PZT前驱体溶液浓度为0.1～0.3mol/l。每次旋转匀胶后，都对薄膜进行烘烤并辅以均匀紫外光辐照，光照度为10～15mW/cm2，接着进行热解处理，最后PZT薄膜在550～600℃下退火处理。本发明铁电存储器用PZT铁电薄膜为多晶薄膜，具有良好的铁电性能、抗疲劳性能及漏电流特性，且结晶温度低的优点，可与现有的Si半导体工艺兼容。