-
公开(公告)号：CN1372334A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN01138333.X
申请日：2001-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L41/24
Abstract: 本发明公开的Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备工艺,采用钛酸丁酯,冰醋酸,硝酸铋,乙酰丙酮配制Bi4Ti3O12溶胶,其配比为:(a)钛酸丁酯与硝酸铋的摩尔比为3.00∶4.20－4.40;(b)冰醋酸、乙酰丙酮和钛酸丁酯的体积百分比分别为10－80%∶10－80%∶10%;选用(100)晶向p型单晶Si基片作为衬底,将溶胶滴到衬底上,再进行匀胶,形成湿薄膜,再进行烘干处理后进行退火处理;重复进行匀胶、烘干处理和退火热处理,直至形成所需厚度的BIT铁电薄膜。本发明方法制备的铁电薄膜可用于存储器制作。该铁电薄膜在结构、铁电与介电等方面具有较好的综合性能。在具体实施方式部分将从几个方面对本发明的技术效果作具体分析。
-
公开(公告)号：CN1356728A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01138334.8
申请日：2001-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开的铁电场效应晶体管,其存储介质层为钛酸铋(BIT)薄膜。其制备方法为:在清洗后Si基片上涂布光刻胶、曝光、显影,得到套刻标记图形后,再刻蚀,得到套刻标记凹痕;涂布光刻胶,光刻形成源区和漏区的注入窗口;进行N+离子注入,形成源区和漏区;采用Sol－Gel工艺淀积BIT铁电薄膜;刻蚀掉源区和漏区上方的BIT铁电薄膜,得到源、漏电极窗口;采用直流磁控溅射方法镀Ag金属层,反刻Ag金属层得到源、漏、栅极。本发明有效地克服了一般铁电存储场效应器件界面特性差、易疲劳的缺点,使信息存储时间延长;简化了制作工艺,并有效地提高器件的成品率。本发明仍保持了MFS结构存储器件的优点,并与标准IC工艺兼容。
-
公开(公告)号：CN1232728C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN03118917.2
申请日：2003-04-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: F04B43/04
Abstract: 本发明公开了一种无阀薄膜驱动型微泵，该微泵是一种单膜双腔结构，双腔中间由基底膜与功能膜构成的驱动膜完全隔离，每个泵腔通过各自的锥形扩散管与进水孔相连，通过各自的锥形收缩管与出水孔相连。本发明采用单膜双腔结构，利用信号控制两个腔体容积的变化，使两个腔体容积变化得到实时互补，输出流量稳定，且具有结构及制备工艺简单、响应快、驱动频率宽、可控性强、能耗低、寿命长等特点。此外，本发明可采用微细加工和微机械技术相兼容的材料和工艺制造，具有体积小、成本低、容易和其它微检测和微控制元件集成等特点，适应于大批量生产，具有可观的应用前景。
-
公开(公告)号：CN1538614A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200310111271.6
申请日：2003-10-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种压控恒温晶体振荡器，特点是采用了新的控温方式和恒温槽结构。采用集成芯片ADN8830控温，它以PWM脉宽调制方式输出一定占空比的方波到开关驱动电路，该占空比由PID补偿电路加以控制，从而控制加热电阻丝的加热功率，以达到控温的目的。恒温槽由槽体及槽盖构成，电阻丝缠绕在恒温槽上，在槽体内开有腔，腔内放置谐振器Y1，在槽体中部一侧面开有槽，其内放置热敏电阻RT，振荡电路的电路板在槽体上，然后用槽盖加以密封。本发明不仅体积小，而且频率稳定度高。
-
公开(公告)号：CN1160806C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN01138333.X
申请日：2001-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L41/24
Abstract: 本发明公开的Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备方法，采用钛酸丁酯，冰醋酸，硝酸铋，乙酰丙酮配制Bi4Ti3O12溶胶，其配比为：(a)钛酸丁酯与硝酸铋的摩尔比为3.00∶4.20-4.40；(b)冰醋酸、乙酰丙酮和钛酸丁酯的体积百分比分别为10-80%∶10-80%∶10%；选用(100)晶向p型单晶Si基片作为衬底，将溶胶滴到衬底上，再进行匀胶，形成湿薄膜，再进行烘干处理后进行退火处理；重复进行匀胶、烘干处理和退火热处理，直至形成所需厚度的BIT铁电薄膜。本发明方法制备的铁电薄膜可用于存储器制作。该铁电薄膜在结构、铁电与介电等方面具有较好的综合性能。在具体实施方式部分将从几个方面对本发明的技术效果作具体分析。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1442612A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN03118917.2
申请日：2003-04-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: F04B43/04
Abstract: 本发明公开了一种无阀薄膜驱动型微泵，该微泵是一种单膜双腔结构，双腔中间由基底膜与功能膜构成的驱动膜完全隔离，每个泵腔通过各自的锥形扩散管与进水孔相连，通过各自的锥形收缩管与出水孔相连。本发明采用单膜双腔结构，利用信号控制两个腔体容积的变化，使两个腔体容积变化得到实时互补，输出流量稳定，且具有结构及制备工艺简单、响应快、驱动频率宽、可控性强、能耗低、寿命长等特点。此外，本发明可采用微细加工和微机械技术相兼容的材料和工艺制造，具有体积小、成本低、容易和其它微检测和微控制元件集成等特点，适应于大批量生产，具有可观的应用前景。
-
公开(公告)号：CN2623906Y
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN03241229.0
申请日：2003-04-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: F04B43/04
Abstract: 本实用新型公开了一种无阀薄膜驱动型微泵，该微泵是一种单膜双腔结构，双腔中间由基底膜与功能膜构成的驱动膜完全隔离，每个泵腔通过各自的锥形扩散管与进水孔相连，通过各自的锥形收缩管与出水孔相连。本实用新型采用单膜双腔结构，利用信号控制两个腔体容积的变化，使两个腔体容积变化得到实时互补，输出流量稳定，且具有结构及制备工艺简单、响应快、驱动频率宽、可控性强、能耗低、寿命长等特点。此外，本实用新型可采用微细加工和微机械技术相兼容的材料和工艺制造，具有体积小、成本低、容易和其它微检测和微控制元件集成等特点，适应于大批量生产，具有可观的应用前景。
-
公开(公告)号：CN2664287Y
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200320115575.5
申请日：2003-10-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种恒温晶体振荡器，特点是采用了新的控温方式和恒温槽结构。采用集成芯片ADN8830控温，它以PWM脉宽调制方式输出一定占空比的方波到开关驱动电路，该占空比由PID补偿电路加以控制，从而控制加热电阻丝的加热功率，以达到控温的目的。恒温槽由槽体及槽盖构成，电阻丝缠绕在恒温槽上，在槽体内开有腔，腔内放置谐振器Y1，在槽体中部一侧面开有槽，其内放置热敏电阻RT，振荡电路的电路板在槽体上，然后用槽盖加以密封。本实用新型不仅体积小，而且频率稳定度高。
-
公开(公告)号：CN2664286Y
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200320115574.0
申请日：2003-10-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种恒温晶体振荡器，特点是采用了新的恒温槽结构和控温方式。恒温槽由槽体及槽盖构成，电阻丝缠绕在恒温槽上，在槽体内开有腔，腔内放置谐振器Y1，在槽体中部一侧面开有槽，其内放置热敏电阻RT，振荡电路的电路板在槽体上，然后用槽盖加以密封。采用集成芯片ADN8830控温，它以PWM脉宽调制方式输出一定占空比的方波到开关驱动电路，该占空比由PID补偿电路加以控制，从而控制加热电阻丝的加热功率，以达到控温的目的。本实用新型不仅频率稳定度高，而且体积小。
-
公开(公告)号：CN2511047Y
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：CN01273470.5
申请日：2001-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03H9/00
Abstract: 本实用新型公开的微机温度补偿晶体振荡器,由依次相连的测温电路、8位或8位以上的单片机、滤波电路和压控晶体振荡器组成,单片机包含PWM方波模块。并向滤波电路输出PWM方波,滤波电路向压控晶体振荡器输出直流控制电压。测温电路可采用数字温度传感器,晶体振荡器可以由反相器、三极管或专用振荡芯片构成。本实用新型生产成品率高、可生产性好;能够实现全自动调试和校准;生产成本低;产品可靠性良好。本实用新型还可使用批量在线编程方式对MCXO进行频率和参数微调,全自动、大批量、高速地校准MCXO。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.02 seconds)
