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公开(公告)号：CN102522500B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201110407852.9
申请日：2011-12-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于微纳电子学技术领域，涉及一种简单易行的相变存储器阵列的制备方法，相变随机存储器阵列的每一层均依次经过清洗、匀胶、烘烤、光刻、镀膜和剥离制备获得。相变随机存储器阵列依次包括下电极层、相变层和上电极层；在下电极层与相变层之间，以及相变层和上电极层之间均可以包括绝缘层。本发明只涉及纳米加工技术和薄膜制备方法，器件结构简单，制备方法容易实施，与CMOS制造工艺兼容性好，并且可以实现大容量存储阵列的制备。
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公开(公告)号：CN102637641B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210074222.9
申请日：2012-03-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/82
Abstract: 本发明属于微纳电子学技术领域，涉及一种相变随机存储器阵列与CMOS流片外围电路芯片的集成方法，包括：将外围电路芯片上顶层金属阵列或/和顶层钨塞阵列的钝化层去掉；保留顶层金属阵列，或去掉顶层金属阵列并保留顶层金属层与次顶层金属层之间的顶层钨塞阵列；外围电路芯片顶层表面待集成存储器阵列的区域以外的位置制作定标符号；将存储器阵列的下电极层制作在顶层金属阵列或者顶层钨塞阵列上面，然后依次制作存储器阵列其他各层，实现外围电路芯片与存储器阵列的集成。这样可以进一步研究CMOS工艺与相变随机存储器的兼容性、CMOS寄生效应对相变随机存储器的影响等问题，对相变随机存储器走向实用化，商业化具有较大的意义。
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公开(公告)号：CN102522500A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110407852.9
申请日：2011-12-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于微纳电子学技术领域，涉及一种简单易行的相变存储器阵列的制备方法，相变随机存储器阵列的每一层均依次经过清洗、匀胶、烘烤、光刻、镀膜和剥离制备获得。相变随机存储器阵列依次包括下电极层、相变层和上电极层；在下电极层与相变层之间，以及相变层和上电极层之间均可以包括绝缘层。本发明只涉及纳米加工技术和薄膜制备方法，器件结构简单，制备方法容易实施，与CMOS制造工艺兼容性好，并且可以实现大容量存储阵列的制备。
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公开(公告)号：CN102637641A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210074222.9
申请日：2012-03-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/82
Abstract: 本发明属于微纳电子学技术领域，涉及一种相变随机存储器阵列与CMOS流片外围电路芯片的集成方法，包括：将外围电路芯片上顶层金属阵列或/和顶层钨塞阵列的钝化层去掉；保留顶层金属阵列，或去掉顶层金属阵列并保留顶层金属层与次顶层金属层之间的顶层钨塞阵列；外围电路芯片顶层表面待集成存储器阵列的区域以外的位置制作定标符号；将存储器阵列的下电极层制作在顶层金属阵列或者顶层钨塞阵列上面，然后依次制作存储器阵列其他各层，实现外围电路芯片与存储器阵列的集成。这样可以进一步研究CMOS工艺与相变随机存储器的兼容性、CMOS寄生效应对相变随机存储器的影响等问题，对相变随机存储器走向实用化，商业化具有较大的意义。
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