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公开(公告)号：CN104576325A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510041144.6
申请日：2015-01-27
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本申请公开了一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法，包括：在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜；去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层；在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触；在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口；在所述碳化硅晶圆的正面制作肖特基接触。在该方法中，由于类金刚石膜具有良好的抗蚀性和较高的硬度，从而能够保护正面不受腐蚀或划伤，而成膜过程中，成膜物质不会留在晶圆的背面，从而能够提高欧姆接触的可靠性及器件成品率，另外该类金刚石膜可直接作为器件的钝化层，无需去除，从而减少了工序。
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公开(公告)号：CN103824878A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410044259.6
申请日：2014-01-30
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法。该碳化硅功率器件结终端结构包括多个场限环，其通过掺杂间隔设置于外延层上；掺杂区，其设置于所述外延层的上方；其中，所述掺杂区是在所述外延层上通过再次外延得到。本发明的结终端结构使得功率器件具有较好的耐压能力和较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN103545382A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310559459.0
申请日：2013-11-12
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/365 , H01L29/66143
Abstract: 本发明提供了一种结势垒肖特基二极管及其制备方法，该结势垒肖特基二极管包括由N型半导体构成的有源区，所述有源区内设置有多个P型掺杂区，所述P型掺杂区在所述有源区的分布呈点阵型结构分布，其中，任意两个相邻的P型掺杂区之间的距离相等，以致在相同有源区面积的情况下，本发明实施例所需要的P型掺杂区的数量和面积最小，即所谓的“死区”的面积最小。相较于现有技术中的P型掺杂区的分布，这种P型掺杂区的分布有利于提高结势垒肖特基二极管的正向导电能力。
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公开(公告)号：CN104576762B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410822182.0
申请日：2014-12-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有的肖特基势垒二极管的开启电压较高的技术问题。该肖特基势垒二极管，包括：N型碳化硅衬底；位于所述N型碳化硅衬底上的低掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层上的高掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层和所述高掺杂N型外延层中的P型高掺杂区；位于所述高掺杂N型外延层上的肖特基接触电极；位于所述N型碳化硅衬底下方的欧姆接触电极。本发明提供的肖特基势垒二极管能够更好的应用于高频电路。
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公开(公告)号：CN104576325B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201510041144.6
申请日：2015-01-27
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本申请公开了一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法，包括：在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜；去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层；在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触；在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口；在所述碳化硅晶圆的正面制作肖特基接触。在该方法中，由于类金刚石膜具有良好的抗蚀性和较高的硬度，从而能够保护正面不受腐蚀或划伤，而成膜过程中，成膜物质不会留在晶圆的背面，从而能够提高欧姆接触的可靠性及器件成品率，另外该类金刚石膜可直接作为器件的钝化层，无需去除，从而减少了工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103579016B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201310537220.3
申请日：2013-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法，该结构包括好的元件和坏的元件，所述好的元件和坏的元件在铜盖和铜底之间采用压接式封装；所述铜盖与好的元件的金属接触层阳极之间通过第一钼片扣合，所述铜底与好的元件阴极之间通过第二钼片扣合完成以使所有好的元件处于并联连接状态。该制造方法用来制造上述功率芯片结构。本发明具有制造方便、无淀积绝缘层、可提高器件性能等优点。
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公开(公告)号：CN106684146A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510767499.3
申请日：2015-11-11
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/43
Abstract: 本发明涉及一种栅自对准型碳化硅MOSFET及其制备方法。该方法以多晶碳化硅作为碳化硅MOSFET的自对准栅电极前体来制备栅自对准型碳化硅MOSFET，制备过程中利用多晶碳化硅替代多晶硅作为栅自对准离子注入掩膜，可以使碳化硅MOSFET的制备完全执行硅MISFET制造过程中所执行的栅自对准工艺，由此解决了现有沟道自对准工艺的金属污染和低对准精度的问题。
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公开(公告)号：CN103824760B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410044255.8
申请日：2014-01-30
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端的制造方法。该碳化硅功率器件结终端的制造方法包括以下步骤：步骤1：在外延层上形成牺牲层；步骤2：在牺牲层上制作掩膜，以形成场限环的注入窗口；步骤3：刻蚀牺牲层的未被掩膜覆盖的部分；步骤4：去除掩膜；步骤5：注入离子，以同时形成场限环和电荷补偿层。本发明的碳化硅功率器件结终端的制造方法，借助于外延层上形成的牺牲层，一次离子注入同时实现场限环和电荷补偿层，工艺简单，制造成本低。
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公开(公告)号：CN105448673A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610003058.0
申请日：2016-01-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅器件背面欧姆接触的制作方法，包括在碳化硅片的正面制作正面碳膜；在所述碳化硅片的背面制作背面碳膜；对所述碳化硅片进行高温退火，激活所述碳化硅片中的注入杂质；去除所述正面碳膜和所述背面碳膜；去除所述碳化硅片背面的氧化层；在所述碳化硅片的背面生长背面金属并进行退火，形成欧姆接触。由于在对碳化硅片进行高温退火之前，制作背面碳膜，与碳化硅背面Si-C悬挂键形成C-Si-C键，从而固定Si原子，抑制Si原子的升华，增加碳化硅背面Si原子浓度，使得金属易与碳化硅背面反应形成低阻层化合物，能够避免高温退火激活工艺中在碳化硅器件背面形成高阻的富碳层，使器件背面具有活泼的化学性质，有利于背面欧姆接触的形成。
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公开(公告)号：CN105244264A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510711271.2
申请日：2015-10-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L28/75 , H01L21/28008
Abstract: 本发明公开了一种复合栅结构电容及其制造方法，该电容包括：SiC衬底；SiC外延层，其设置于SiC衬底上；过渡层，其设置于SiC外延层上；绝缘层，其设置于过渡层上，其中，过渡层为异质双层晶体结构，异质双层晶体结构靠近外延层的一层用于降低界面态密度，靠近绝缘层的一层用于提高过渡层的稳定性。本发明可以降低SiC外延层与过渡层的界面态密度，提高过渡层的稳定性，还可以提高电容的耐压能力。
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