公开(公告)号：CN102594114B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201210076211.4

申请日：2012-03-21

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 冯江华 ,  张志学 ,  忻力 ,  倪大成 ,  何多昌 ,  尚敬 ,  唐威 ,  章志兵 ,  张定华

IPC: H02M1/32

Abstract: 本发明实施例公开了一种同相供电变流器系统，解决了现有技术同相供电系统因电力电子器件易损坏造成的系统可靠性低的问题。该同相供电变流器系统包括主电路系统；所述主电路系统包括至少两个变流器子单元和两个隔离变压器组；每个所述隔离变压器组包括至少一个原边与电网连接的隔离变压器；所述变流器子单元包括背靠背单相变流器，所述背靠背单相变流器的负载侧输出端与一个隔离变压器组中的隔离变压器的副边连接，所述背靠背单相变流器的网侧输出端与另一个隔离变压器组中的隔离变压器的副边连接；各个所述变流器子单元之间无电气连接。

公开(公告)号：CN103824878A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410044259.6

申请日：2014-01-30

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 杨勇雄 ,  吴煜东 ,  何多昌 ,  蒋华平 ,  李诚瞻 ,  赵艳黎 ,  吴佳 ,  唐龙谷

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法。该碳化硅功率器件结终端结构包括多个场限环，其通过掺杂间隔设置于外延层上；掺杂区，其设置于所述外延层的上方；其中，所述掺杂区是在所述外延层上通过再次外延得到。本发明的结终端结构使得功率器件具有较好的耐压能力和较高的可靠性。

公开(公告)号：CN102594114A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210076211.4

申请日：2012-03-21

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 冯江华 ,  张志学 ,  忻力 ,  倪大成 ,  何多昌 ,  尚敬 ,  唐威 ,  章志兵 ,  张定华

IPC: H02M1/32

Abstract: 本发明实施例公开了一种同相供电变流器系统，解决了现有技术同相供电系统因电力电子器件易损坏造成的系统可靠性低的问题。该同相供电变流器系统包括主电路系统；所述主电路系统包括至少两个变流器子单元和两个隔离变压器组；每个所述隔离变压器组包括至少一个原边与电网连接的隔离变压器；所述变流器子单元包括背靠背单相变流器，所述背靠背单相变流器的负载侧输出端与一个隔离变压器组中的隔离变压器的副边连接，所述背靠背单相变流器的网侧输出端与另一个隔离变压器组中的隔离变压器的副边连接；各个所述变流器子单元之间无电气连接。

公开(公告)号：CN103824878B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201410044259.6

申请日：2014-01-30

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 杨勇雄 ,  吴煜东 ,  何多昌 ,  蒋华平 ,  李诚瞻 ,  赵艳黎 ,  吴佳 ,  唐龙谷

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法。该碳化硅功率器件结终端结构包括多个场限环，其通过掺杂间隔设置于外延层上；掺杂区，其设置于所述外延层的上方；其中，所述掺杂区是在所述外延层上通过再次外延得到。本发明的结终端结构使得功率器件具有较好的耐压能力和较高的可靠性。