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公开(公告)号：CN116936324A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210328583.5
申请日：2022-03-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J37/317 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种离子注入重复性和稳定性的监测方法，包括：基于椭偏仪测试离子注入样片的样片参数，构建用于描述所述离子注入样片的光学模型，通过回归分析确定所述光学模型中的模型参数，将所述模型参数与所述样片参数进行拟合，通过拟合结果得到用于监测离子注入重复性和稳定性的光学常数和损伤层厚度。以此快速、方便的测试损伤层厚度和对应的光学参数，从而实时监测离子注入设备的稳定性和均匀性，低成本的对离子注入的稳定性和均匀性进行监测与调控。
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公开(公告)号：CN116243407A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310142493.1
申请日：2023-02-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种超透镜结构及电子设备。其中，该超透镜结构包括第一纳米结构层、第二纳米结构层和第三纳米结构层。第一纳米结构层用于接收入射光束，其中入射光束包括正入射光束和斜入射光束；第二纳米结构层位于第一纳米结构层上，用于接收入射光束，实现对入射光束的消色差；以及第三纳米结构层位于第二纳米结构层上，用于实现对经消色差的光束的聚焦。基于上述三层大视场的消色差超透镜结构，可以解决了现有超透镜不能同时实现大视场和宽波段成像的问题，有利于实现高性能的大视场宽带消色差效果。
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公开(公告)号：CN115547824A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211323761.1
申请日：2022-10-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/3065 , H01J37/20 , B81C1/00
Abstract: 本公开提供一种衬底上高深宽比倾斜沟槽的制备方法，包括：在衬底上沉积硬掩模；在沉积有硬掩模的衬底上涂覆光刻胶，利用所述光刻胶对所述衬底进行光刻；将光刻后的衬底置于斜台上，再将承载有衬底的斜台放置于法拉第笼中进行干法刻蚀，以在所述衬底上制备高深宽比倾斜沟槽。该方法能够制备高深宽比的倾斜沟槽，并且能够实现倾斜沟槽角度精确控制。
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公开(公告)号：CN112420604B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202011316969.1
申请日：2020-11-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种基于热压键合的TSV垂直电学互连器件的制备方法，包括：S1，在高阻硅晶圆(1)上刻蚀通孔；S2，热氧处理高阻硅晶圆(1)，以制备出隔离层(2)；S3，刻蚀低阻硅晶圆(3)，制备可动结构区(4)和欧姆接触区(5)；S4，热压键合高阻硅晶圆(1)和低阻硅晶圆(3)，使欧姆接触区(5)位于通孔上方；S5，在通孔内壁溅射金属种子层(6)；S6，在金属种子层(6)内壁电镀金属填料层(7)；S7，减薄抛光高阻硅晶圆(1)背面，得到TSV垂直电学互连器件。本发明的制备方法能够避免引线键合中长布线带来的尺寸限制和信号延迟等问题，减小电容/电感，实现芯片间的低功耗，在高频和大带宽电路中表现出优异的电学性能。
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公开(公告)号：CN115394606A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202110568371.X
申请日：2021-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种MEMS开关，包括：衬底；第一触点(5)和第二触点(7)，设置在衬底上；可变形的导电悬臂(8)，导电悬臂的第一端与第一触点(5)电连接；以及第一可动触点(9)，设置在导电悬臂(8)的第二端，使得导电悬臂(8)通过第一可动触点(9)与第二触点(7)可断开地电连接，其中，导电悬臂(8)和第一可动触点(9)中的至少一个由钪合金制备而成。本公开通过优化MEMS开关悬臂梁和可动触点的材料选择，在金属中掺入不同比例的钪，提升了开关的寿命和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113270533A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110519862.5
申请日：2021-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硒化亚铜薄膜制备方法，包括：获取一衬底，其中，该衬底的至少一面为抛光面；采用物理蒸发淀积方式在该衬底的抛光面上制备硒化亚铜薄膜。
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公开(公告)号：CN112670371A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011566704.7
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/112
Abstract: 本发明公开了一种侧栅晶体管太赫兹探测器的制备方法及其侧栅晶体管太赫兹探测器，其中，该方法包括：在衬底上制作源电极和漏电极；在衬底和源电极、漏电极上旋涂抗蚀剂，并利用曝光技术去除掉部分抗蚀剂，露出部分衬底，形成台面抗蚀剂掩膜；根据台面抗蚀剂掩膜，刻蚀预设深度的部分衬底，形成衬底的台面；在台面抗蚀剂掩膜和衬底上制作栅极图像并形成栅电极；去除台面抗蚀剂掩膜，同时剥离台面抗蚀剂掩膜上的顶栅，在台面的两侧形成双栅电极；在衬底、源电极、漏电极和双栅电极表面制作天线图形，并形成天线及引线，得到侧栅晶体管太赫兹探测器。
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公开(公告)号：CN109659220A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710939614.X
申请日：2017-10-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02019
Abstract: 本公开提供了一种激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法，包括：取一待加工的碳化硅材料；对所述待加工的碳化硅材料进行激光辐照；以及对所述激光辐照后的碳化硅材料进行干法刻蚀。本公开激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法，解决了碳化硅高深宽比深槽孔结构的加工难题，实现了无掩膜的刻蚀，工艺简单，提高了制备效率，可选择性的重复激光辐照与干法刻蚀步骤，由此满足了对碳化硅沟槽深度的更高需求。
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公开(公告)号：CN105529246B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510876293.4
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC上刻蚀形成沟槽的效率明显增加，深宽比明显提升，同时具有均匀性好、沟槽侧壁光滑、工艺简单、可操作性强等优点。
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公开(公告)号：CN105489755B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510874184.9
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提出一种垂直结构全限制相变存储器的自对准制备方法，一方面，采用无掩模相变材料填充、退火并湿法腐蚀形成局域化相变材料的方法，不仅降低了填孔工艺中的深宽比，提高了薄膜的填充质量，而且该相变材料填充工艺为自对准工艺，工艺实施难度低；另一方面，该结构的锥形电极能够把两个电极间的电场在锥尖端附近强化，相当于减小了接触电极的尺寸，减小了有效相变体积，降低了功耗。此外，由于可用的相变材料储备充分，该结构还具有较好的疲劳特性，提高了器件的工作可靠性。
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