公开(公告)号：CN113270533A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110519862.5

申请日：2021-05-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张明亮 ,  秦源浩 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/34 ,  H01L21/66 ,  C23C14/06 ,  C23C14/18 ,  C23C14/24 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明公开了一种硒化亚铜薄膜制备方法，包括：获取一衬底，其中，该衬底的至少一面为抛光面；采用物理蒸发淀积方式在该衬底的抛光面上制备硒化亚铜薄膜。

公开(公告)号：CN113270533B

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202110519862.5

申请日：2021-05-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 张明亮 ,  秦源浩 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/34 ,  H01L21/66 ,  C23C14/06 ,  C23C14/18 ,  C23C14/24 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明公开了一种硒化亚铜薄膜制备方法，包括：获取一衬底，其中，该衬底的至少一面为抛光面；采用物理蒸发淀积方式在该衬底的抛光面上制备硒化亚铜薄膜。