公开(公告)号：CN116936324A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210328583.5

申请日：2022-03-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 武婧敏 ,  郭志煜 ,  王风旋 ,  杨香 ,  樊中朝 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种离子注入重复性和稳定性的监测方法，包括：基于椭偏仪测试离子注入样片的样片参数，构建用于描述所述离子注入样片的光学模型，通过回归分析确定所述光学模型中的模型参数，将所述模型参数与所述样片参数进行拟合，通过拟合结果得到用于监测离子注入重复性和稳定性的光学常数和损伤层厚度。以此快速、方便的测试损伤层厚度和对应的光学参数，从而实时监测离子注入设备的稳定性和均匀性，低成本的对离子注入的稳定性和均匀性进行监测与调控。

公开(公告)号：CN114551262A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202011343002.2

申请日：2020-11-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郭志煜 ,  田润 ,  武靖敏 ,  王风旋 ,  杨香 ,  樊中朝 ,  杨富华

IPC: H01L21/66

Abstract: 一种沟槽MOS结构的侧壁电容的提取方法。包括步骤1：确定待测的沟槽MOS结构与预先制备的两组沟槽MOS结构的总电容‑电压曲线，总电容包括沟槽底部，沟槽顶部台面及沟槽侧壁对应的分支电容；一组沟槽MOS结构与待测的沟槽MOS结构的沟槽底部宽度不同，另一组与待测的沟槽MOS结构的沟槽顶部台面宽度不同；步骤2：根据总电容‑电压曲线，确定在指定偏置电压下，待测的沟槽MOS结构的沟槽侧壁对应的分支电容；步骤3：调整指定偏置电压并重复步骤2，得到不同偏置电压下待测的沟槽MOS结构的沟槽侧壁对应的分支电容，以生成侧壁电容‑电压特性曲线。本发明能提高沟槽MOS结构的侧壁电容的提取精度。

公开(公告)号：CN116417495A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202111650838.1

申请日：2021-12-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郭志煜 ,  武靖敏 ,  胥鹏飞 ,  王风旋 ,  杨香 ,  樊中朝 ,  何志 ,  杨富华

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了一种沟槽NMOSFET结构及其制备方法、NMOSFET器件，其该沟槽NMOSFET结构包括：基底部；主沟槽，刻蚀于基底部上；N‑‑型外延层，形成于基底部上，并位于主沟槽两侧；P型注入层，形成于基底部上，并位于N‑‑型外延层两侧；P型注入层在基底部上的注入深度大于主沟槽基底部上的刻蚀深度；N+型源层，形成于P型注入层和N‑‑型外延层上，并位于主沟槽两侧；P+型欧姆接触层，形成于P型注入层上，并位于N+型源层两侧。