公开(公告)号：CN112670371A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011566704.7

申请日：2020-12-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 董慧 ,  颜伟 ,  黄镇 ,  李兆峰 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明公开了一种侧栅晶体管太赫兹探测器的制备方法及其侧栅晶体管太赫兹探测器，其中，该方法包括：在衬底上制作源电极和漏电极；在衬底和源电极、漏电极上旋涂抗蚀剂，并利用曝光技术去除掉部分抗蚀剂，露出部分衬底，形成台面抗蚀剂掩膜；根据台面抗蚀剂掩膜，刻蚀预设深度的部分衬底，形成衬底的台面；在台面抗蚀剂掩膜和衬底上制作栅极图像并形成栅电极；去除台面抗蚀剂掩膜，同时剥离台面抗蚀剂掩膜上的顶栅，在台面的两侧形成双栅电极；在衬底、源电极、漏电极和双栅电极表面制作天线图形，并形成天线及引线，得到侧栅晶体管太赫兹探测器。

公开(公告)号：CN112670371B

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202011566704.7

申请日：2020-12-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 董慧 ,  颜伟 ,  黄镇 ,  李兆峰 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明公开了一种侧栅晶体管太赫兹探测器的制备方法及其侧栅晶体管太赫兹探测器，其中，该方法包括：在衬底上制作源电极和漏电极；在衬底和源电极、漏电极上旋涂抗蚀剂，并利用曝光技术去除掉部分抗蚀剂，露出部分衬底，形成台面抗蚀剂掩膜；根据台面抗蚀剂掩膜，刻蚀预设深度的部分衬底，形成衬底的台面；在台面抗蚀剂掩膜和衬底上制作栅极图像并形成栅电极；去除台面抗蚀剂掩膜，同时剥离台面抗蚀剂掩膜上的顶栅，在台面的两侧形成双栅电极；在衬底、源电极、漏电极和双栅电极表面制作天线图形，并形成天线及引线，得到侧栅晶体管太赫兹探测器。