-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106838821A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710094643.0
申请日：2017-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种匀化白光光源，包括一光源、一匀化系统和一荧光转换器件，其中：光源为点光源，用于发射光束；匀化系统用于对光束进行匀化，以使光束形成匀化面光源；荧光转换器件，用于接收匀化面光源的光束，实现白光输出。上述匀化系统为扩散片、衍射光学元件或微透镜阵列；上述荧光转换器件为含荧光转换材料的晶体片、烧结陶瓷或有机薄膜。本发明通过将原始光源变为能量均匀分布的面光源，增加了与含荧光转换材料发光元件的作用面积，提高了原始光源的利用率；且匀化后的面光源能够大幅降低含荧光转换材料的荧光转换器件承受的功率密度，从而提高荧光转换器件的长期稳定性、可靠性和使用寿命，同时有助于输出色温及显色指数可控且稳定的白光。
-
公开(公告)号：CN105197881A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510541609.4
申请日：2015-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明公开了一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法，其原理是利用金属材料与硅扩散互溶形成金属硅化物，将硅片键合起来。其特点是工艺简单、键合强度高、气密性好、适用范围宽。其中键合方法包括：在第一硅片上制备薄膜层，在第二硅片上制备或不制备薄膜层，在一定温度和压力条件下将第一硅片1和第二硅片3进行热压键合。本发明利用金属材料与硅扩散互溶的原理实现硅-硅的有效键合，其中键合材料为薄膜，可以通过常规淀积工艺很容易得到，同时薄层金属的存在及良好的延展性使得对键合材料的表面平整度、表面粗糙度的要求大大降低。
-
公开(公告)号：CN105529246B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510876293.4
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC上刻蚀形成沟槽的效率明显增加，深宽比明显提升，同时具有均匀性好、沟槽侧壁光滑、工艺简单、可操作性强等优点。
-
公开(公告)号：CN103219437A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310141878.2
申请日：2013-04-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石图形衬底的制备方法，其包括如下步骤：步骤1：在蓝宝石衬底表面形成掩膜层；步骤2：将掩膜层图形化，形成掩膜图形；步骤3：利用干法刻蚀具有掩膜图形的蓝宝石衬底，并形成与所述掩膜图形对应的原始凸起；步骤4：利用湿法修饰所述原始凸起的表面，使其表面粗化形成最终的凸起图形。该制备方法利用干法刻蚀技术制备出图形形貌可控，均匀性、稳定性好的图形衬底中间产品，后续使用湿法腐蚀去除物理损伤改善表面反射率，进一步提高LED出光效率。
-
公开(公告)号：CN106838821B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201710094643.0
申请日：2017-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种匀化白光光源，包括一光源、一匀化系统和一荧光转换器件，其中：光源为点光源，用于发射光束；匀化系统用于对光束进行匀化，以使光束形成匀化面光源；荧光转换器件，用于接收匀化面光源的光束，实现白光输出。上述匀化系统为扩散片、衍射光学元件或微透镜阵列；上述荧光转换器件为含荧光转换材料的晶体片、烧结陶瓷或有机薄膜。本发明通过将原始光源变为能量均匀分布的面光源，增加了与含荧光转换材料发光元件的作用面积，提高了原始光源的利用率；且匀化后的面光源能够大幅降低含荧光转换材料的荧光转换器件承受的功率密度，从而提高荧光转换器件的长期稳定性、可靠性和使用寿命，同时有助于输出色温及显色指数可控且稳定的白光。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.034 seconds)
