公开(公告)号：CN101944505A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010220360.4

申请日：2010-07-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  王中健 ,  俞跃辉 ,  何大伟 ,  徐大伟 ,  夏超

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7824

Abstract: 本发明的具有沟槽结构的SOI高压功率器件芯片的制备方法，首先在SOI基板表面开设凹陷区和至少一隔离沟槽，再在凹陷区填充氧化物，并对隔离沟槽和待制备低压器件的局部区域同时进行氧化，使相对于所述隔离沟槽部位的残余顶层硅部分全部被氧化，接着再将隔离沟槽填充满氧化物，随后进行掺杂、淀积在内的一系列处理后分别形成作为高压功率器件和低压器件漏极、源极和栅极的P型区域、N型区域以及栅极区域，随后再淀积一氧化层，使得处于SOI基板的顶层硅两侧的氧化物的厚度接近一致，以形成对称结构，最后再生成分别与各P型区域、N型区域及栅极区域相接触的各金属子区域，由此可形成耐700V以上高压的多器件芯片。

公开(公告)号：CN101916728A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010231665.5

申请日：2010-07-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 程新红 ,  何大伟 ,  王中健 ,  徐大伟 ,  宋朝瑞 ,  俞跃辉

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L21/76283 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明公开了一种可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构的制作工艺，包括以下步骤：步骤一，利用键合工艺制作SOI埋氧层下的导电层；所述导电层的详细制作过程为：在第一体硅片上淀积一层阻挡层，再淀积一层电荷引导层，获得第一中间结构；在第二体硅片上热氧化形成二氧化硅层，然后淀积一层阻挡层，最后再淀积一层电荷引导层，获得第二中间结构；通过金属键合技术将所述第一中间结构和第二中间结构键合，获得SOI埋氧层下的导电层；步骤二，在具有导电层的SOI衬底上制作超结LDMOS结构。本发明能将积聚在埋氧层下界面处的电荷释放，消除纵向电场对p/n柱区电荷平衡的影响，进而完全消除衬底辅助耗尽效应，提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN118431278A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410425688.1

申请日：2024-04-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 沈玲燕 ,  程新红 ,  郑理 ,  俞跃辉

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/336 ,  H01L29/207

Abstract: 本发明涉及一种单片集成SiC基GaN半桥电路及其制备方法，包括高边功率管和低边功率管；所述高边功率管和低边功率管由下往上依次包括：半绝缘SiC衬底、低阻SiC外延层、AlN成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、p‑GaN层；所述高边功率管和低边功率管通过底部半绝缘SiC衬底相连。本发明通过半绝缘SiC衬底结合凹槽隔离技术实现高低边功率管的完全隔离，同时利用器件源极分别与低阻SiC外延层互连保证两管衬底始终保持与各自源极电位相同来消除衬底间串扰问题，为GaN功率器件的高频电力电子应用奠定基础。

公开(公告)号：CN118136653A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202211532247.9

申请日：2022-12-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  刘少煜 ,  郑理 ,  俞跃辉

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种基于高k介质的碳化硅沟槽型MOSFET及其制作方法，包括：提供一衬底，其上表面形成有外延层；形成P阱于外延层的上表层；形成位于P阱的上表层的N型源区及至少一部分位于P阱中并与N型源区在水平方向上邻接的P型体接触区；形成沟槽；形成高k介质层覆盖沟槽内壁与底面并延伸至N型源区的部分上表面；形成栅电极层于沟槽中；形成源极欧姆接触层于P型体接触区的上表面还延伸至N型源区的上表面与高k介质层邻接；形成覆盖源极欧姆接触层与栅电极层的源极金属层。本发明的制作方法能够有效改善沟槽型MOSFET器件的沟槽拐角处栅氧层在反向耐压时电场集中以及沟槽侧壁栅氧层质量难以控制的问题，提高器件的性能。

公开(公告)号：CN107359221B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201710602303.4

申请日：2017-07-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郑理 ,  程新红 ,  宁志军 ,  徐大伟 ,  沈玲燕 ,  王谦 ,  张栋梁 ,  顾子悦 ,  俞跃辉

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0392

Abstract: 本发明提供一种基于SOI‑量子点异质结的红外探测器制备方法，包括：1)提供SOI衬底，包括顶层硅、底层硅以及埋氧层；2)刻蚀顶层硅的边缘区域；3)在顶层硅表面两侧沉积金属接触材料，再经退火形成金属硅化物作为源区接触层和漏区接触层；4)沉积覆盖所述源区接触层和漏区接触层的源区金属电极和漏区金属电极，并在所述底层硅的表面沉积底栅金属电极；5)在所述顶层硅与源区接触层、漏区接触层的接触界面上进行离子注入与激活，形成P+区域和N+区域；6)在所述顶层硅表面形成量子点。本发明采用SOI作为衬底，并结合量子点制备获得红外探测器，使Si基红外探测系统具有寄生效应小、抗干扰、速度快、功耗低、集成度高、抗单粒子辐照能力强等优点。

公开(公告)号：CN105680107B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201610150614.7

申请日：2016-03-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  李新昌 ,  吴忠昊 ,  徐大伟 ,  羊志强 ,  俞跃辉

IPC: H01M10/42 ,  H01L27/02 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种基于SOI工艺的电池管理芯片电路，所述电池管理芯片电路包括高压多路选通器MUX、电压基准电路、Sigma‑delta ADC（包括模拟调制器以及数字滤波器）、SPI通讯电路、以及功能控制电路与电压值寄存器。所述电池管理芯片电路为基于SOI高压工艺集成，尤其是所述电池管理芯片电路采用的高压MOS管为基于SOI工艺的高压MOS器件单元。另外，本发明重点突出了高压多路选通器MUX与Sigma‑delta ADC的接口电路‑斩波电路的设计，以阐述本发明采用SOI工艺设计与流片时会带来电路设计难度降低以及版图面积减小等诸多优势。

公开(公告)号：CN105304689B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201510772384.3

申请日：2015-11-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  沈玲燕 ,  王中健 ,  曹铎 ,  郑理 ,  王谦 ,  张栋梁 ,  李静杰 ,  俞跃辉

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明的基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法，将单层石墨烯转移到AlGaN表面，经过氟离子处理后绝缘，以此替代常规氮化物钝化层。然后在石墨烯上生长高k材料，两者共同作为栅介质，制备AlGaN/GaN金属‑绝缘层‑半导体（MIS）HEMT器件。石墨烯相比于传统钝化结构，具有物理厚度薄（亚纳米量级），附加阈值电压小的优点。同时，单层石墨烯也具有很好的隔离性能，防止生长高k材料的过程中，AlGaN表面被氧化而产生表面陷阱，以达到钝化的效果。另外，氟化过程能使石墨烯中引入负电荷，有利于HEMT器件的阈值电压正向移动，为实现增强型器件提供可能。本发明结构和方法简单，效果显著，在微电子与固体电子学技术领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN107275196A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710480815.8

申请日：2017-06-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  王谦 ,  李静杰 ,  郑理 ,  沈玲燕 ,  张栋梁 ,  顾子悦 ,  钱茹 ,  俞跃辉

IPC: H01L21/033

CPC classification number: H01L21/0332

Abstract: 本发明提供一种利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀SiC的方法，所述方法至少包括：1)提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面生长氧化物掩膜层；2)在所述SiC外延片待刻蚀区域的所述氧化物掩膜层表面形成光刻胶层；3)在所述氧化物掩膜层和所述光刻胶层表面形成金属掩膜层；4)去除所述光刻胶层以及所述光刻胶表面的金属掩膜层，形成刻蚀窗口；5)通过所述刻蚀窗口刻蚀所述氧化物掩膜层和SiC外延片至所需深度；6)去除剩余的所述金属掩膜层和所述氧化物掩膜层，获得SiC栅槽结构。本发明利用氧化物掩膜作为阻挡层，可以防止金属元素向SiC外延片以及衬底扩散，从而解决元素污染的问题。另外，该方法可以获得高刻蚀速率、各向异性高、刻蚀表面光滑没有残留物的栅槽结构。

公开(公告)号：CN105206689B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201510599022.9

申请日：2015-09-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  郑理 ,  王中健 ,  曹铎 ,  王谦 ,  沈玲燕 ,  张栋梁 ,  俞跃辉

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/10 ,  H01L31/108

Abstract: 本发明提供一种基于薄膜半导体‑石墨烯异质结的光电探测器制备方法，包括步骤：首先，提供一衬底，在所述衬底表面两侧生长金属电极；然后在所述衬底及金属电极表面生长薄膜半导体层；接着，去除部分薄膜半导体层，暴露出其中一侧的金属电极以及部分衬底；接着在整个结构表面形成石墨烯层；最后，去除所述薄膜半导体层表面多余的石墨烯层，剩下的石墨烯层与所述薄膜半导体层接触，形成异质结。本发明通过ALD技术生长薄膜半导体与石墨形成异质结作为光电探测器的有源区，该结构可以制备在任意半导体、绝缘体、甚至柔性衬底上，易于硅基集成，且有效节约了工艺成本。

公开(公告)号：CN103607337B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201310648281.7

申请日：2013-12-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张正民 ,  李建朋 ,  宁振球 ,  金星 ,  俞跃辉

IPC: H04L12/40 ,  H03K19/0175 ,  H03K19/0944

Abstract: 本发明涉及一种总线信号接收器，所述总线信号接收器至少包括总线接收模块，所述总线接收模块包括：电压电流转换单元，包括分别由PMOS管和电阻，NMOS管和电阻构成的两组电路，用于接收总线上的电压信号，并通过所述两组电路输出两路电流；电流比较单元，与所述电压电流转换单元相连，用于将所述两路电流进行比较，比较结果输出电压信号；电压移位单元，与所述电流比较单元相连，用于将所述电压信号移位转换，输出符合所述接收器要求的电压信号。所述总线信号接收器还可以包括输入预处理模块、输出调整模块、迟滞模块、总线唤醒模块。所述信号总线接收器与传统的信号总线接收器相比，具有静态功耗低，精度和速度更高的优点。