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公开(公告)号：CN110322487A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910615311.1
申请日：2019-07-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于图像处理技术领域，提供了一种图像配准方法、图像配准装置及终端，所述图像配准方法包括：获取平移图样，根据平移图样的每个平移点对目标图像进行平移配准，得到多个候选图像，计算各个候选图像与指定基准图像的互相关度，将与基准图像的互相关度最大的候选图像确定为选中图像，若选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件，将选中图像确定为目标图像的配准图像；否则，将选中图像对应的平移点作为新的零平移点，对本次平移配准各非零平移点进行平移和预设比例系数的缩小更新，获得下一次平移图样，基于下一次平移图样进行平移配准，直到选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件。本发明能够提高显微热成像测量温度的准确性。
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公开(公告)号：CN110310309A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910616002.6
申请日：2019-07-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06T7/30
Abstract: 本发明适用于图像处理技术领域，提供了一种图像配准方法、图像配准装置及终端，所述图像配准方法包括：获取平移图样，根据平移图样上的每个平移点对目标图像进行平移配准，得到多个候选图像，计算各个候选图像与指定的基准图像的互相关度，将与基准图像的互相关度最大的候选图像确定为选中图像，若选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件，将选中图像确定为目标图像的配准图像；否则，将选中图像对应的平移点作为新的零平移点，对本次平移配准各非零平移点进行平移和预设角度的旋转更新，获得下一次平移图样，基于下一次平移图样进行平移配准，直到选中图像与基准图像的互相关度符合预设条件。本发明能够提高显微热成像测量温度的准确性。
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公开(公告)号：CN110207842A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910584992.X
申请日：2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域，提供了一种亚像素级边缘效应的修正方法及终端设备，该方法包括：通过获取不同材料构成的被测件的多张图像，当不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数不同时，控制热反射成像测温装置上的纳米位移台向像素点移动方向的反方向以预设距离移动，直到不同图像上预设线段上相同位置的像素点读数误差值小于或等于预设误差阈值时，确定完成亚像素级边缘效应的修正，从而可以通过图像处理的方式使得X、Y两个方向的亚像素级位置变化引起的边缘效应得到修正，从而使被测件位置变化造成高温误差和低温误差得到了修正，可以提高的热反射测温准确度。
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公开(公告)号：CN106098582B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610628267.4
申请日：2016-08-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种校准用在片电容标准件及其制备方法，涉及测试用计量装置技术领域。所述标准件包括绝缘衬底，所述绝缘衬底的上表面设有若干个电容值不同的标准电容和一个标准开路器。本发明所述在片电容标准件，可以实现对整体校准MEMS晶圆片测量系统在片电容参数的整体计量校准，实现量值溯源，确保MEMS生产过程中的晶圆片级测量结果准确、一致。该标准件能够提供具有溯源性的电容值（1pF～100pF，测试频率1kHz～100kHz），可以根据需要在上述量值范围内进行设计。
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公开(公告)号：CN104713651B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201510100045.0
申请日：2015-03-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01J5/00
Abstract: 本发明公开了一种高空间分辨力及高时间分辨力的红外热成像测温方法，涉及半导体器件温度测试领域；（a）通过调整瞬态红外设备的聚焦区域，用瞬态红外设备测量被测件两个温度明显不同区域的温度，得到两条温度随时间变化的曲线；（b）分析两条温度变化曲线，判断被测件进入准稳态的时间点；（c）用瞬态红外设备测量目标区域的温度，得到目标区域的温度变化曲线；（d）用显微红外热像仪测量目标区域的温度，得到目标区域的温度分布图像；（e）得到目标区域任意时刻，任意位置的准确温度值。（f）得到任意时间点整个区域的温度分布图像，也可以得到任意位置整个时间区域内的温度变化曲线。本发明能满足高时间分辨力和高空间分辨力的温度检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106198615A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610485401.X
申请日：2016-06-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N25/20
CPC classification number: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓功率器件管壳接触热阻测量方法，涉及功率器件热阻检测技术领域。本发明包括以下步骤：用瞬态红外测温设备测量器件两种接触热阻条件下的降温曲线；用结构函数法得到两条降温曲线的两条积分结构函数曲线；利用积分结构函数曲线得到结壳热阻的值，即接触热阻的起点；平移低热阻曲线得到高热阻条件下的接触热阻，平移高热阻曲线得到低热阻条件下的接触热阻。本发明利用瞬态红外测温设备测量器件在两种不同热阻抗条件下的降温曲线，用结构函数法分析两条降温曲线，得到积分结构函数曲线，经过两次曲线对比确定接触热阻，实现对氮化镓功率器件管壳与载体接触热阻的测量，准确性高。
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公开(公告)号：CN103675019B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310669324.X
申请日：2013-12-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种红外热像仪快速测量材料表面发射率的方法，涉及红外热成像温度测量技术领域，包括红外热像仪、黑盒及加热平台，其测试步骤如下：1）获取红外热像仪对环境温度下黑盒的响应；在保持环境温度不变的情况下，该过程只进行一次就足够，其数据将存入计算机以备调用。2）将被测物加热到一个比较高的温度一般大于等于70℃，获取红外热像仪对于被测物的响应；3）依据公式进行运算既可以得到准确的发射率测量结果。该测量方法对于红外热像仪，仅需对红外热像仪增加一个辅助装置，能够快速测量复杂材料表面的发射率，提高红外热像仪发射率检测速度及检测效率，同时保证检测结果的准确可靠，扩大红外热像仪的使用范围。
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公开(公告)号：CN104297551A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410502198.3
申请日：2014-09-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种皮纳安级直流电流源高精度校准系统，涉及半导体器件直流电流特性测量技术领域。包括数字多用表、高值电阻/短路器、线性稳压电源和有源校准适配器，所述有源校准适配器的电阻信号输入端与所述高值电阻/短路器连接，所述有源校准适配器的电阻电压信号输出端与所述数字多用表连接，所述有源校准适配器的电源信号输入端与所述线性稳压电源连接。所述有源校准适配器并设有皮纳安级直流电流源电流信号输入端接口。本发明解决了现有技术的使用局限性（仅适用于具有保护端子输出的微小电流）和测量误差大（默认保护端电压与高值电阻电压相等，默认保护端输出没有线性度）等问题，具有很高的市场推广价值。
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公开(公告)号：CN104076312A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410293662.2
申请日：2014-06-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体特性分析仪高值电压的精确校准方法，涉及专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备技术领域。包括以下步骤：将高压分压器送往上级计量技术机构，获取其1000V～3000V的分压比，并计算其电压系数，确定其是否满足预期校准要求；如果不满足要求，则复现上级计量技术机构的温湿度环境，在1000V下利用高精度多功能校准器，标定上述高压分压器的1000V标准分压比的量值；利用标定好的高压分压器对被校半导体特性分析仪进行1000V～3000V范围内任意电压值的校准。所述方法提高了半导体特性分析仪测量高值电压的准确性。
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公开(公告)号：CN103049639A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210423663.5
申请日：2012-10-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 北京经纬恒润科技有限公司
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种基于MCM的噪声参数测量不确定度评定方法，属于测试计量领域。本发明以等效噪声参数方程作为噪声参数测量不确定度评定的测量模型，并利用从测量平台测得的物理量求解函数方程，得到反映等效噪声参数分布情况的数据，并从等效噪声参数导出噪声参数及其分布，最后得到噪声参数测量的不确定度。该方法有效的结合了数学随机仿真、物理测量边界判据和最小二乘法优化判据，使得噪声参数不确定度评定更加有效、真实、可靠；该方法符合国际标准，仿真方式灵活，可应用的测量系统种类多，普适性高。
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