公开(公告)号：CN101095224A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200580045366.X

申请日：2005-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 盐泽俊彦 ,  古井真悟 ,  小林岳志 ,  北川淳一

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/318 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3143 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。

公开(公告)号：CN102737947A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210093675.6

申请日：2012-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤野丰 ,  植田笃 ,  尾崎成则 ,  北川淳一

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32431 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 本发明的目的在于提供等离子处理装置以及微波导入装置，用简单的构成使等离子的分布均匀化。等离子处理装置(1)具备向处理容器(2)内导入微波的微波导入装置(5)。微波导入装置(5)包括嵌合于顶部(11)的多个开口部的多个微波透过板(73)。多个微波透过板(73)在嵌合于顶部(11)的多个开口部的状态下，配置于与载置台(21)的载置面(21a)平行的一个假想的平面上。多个微波透过板(73)包括微波透过板(73A～73G)。设定为微波透过板(73G、73A)的中心点(PG，PA)间距离与微波透过板(73G、73B)的中心点(PG、PB)间距离相互相等或者几乎相等。

公开(公告)号：CN101523574B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200780036177.5

申请日：2007-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林岳志 ,  北川淳一 ,  壁义郎 ,  盐泽俊彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252

Abstract: 本发明提供等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置。该等离子体氧化处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，在处理气体中的氧的比例在20％以上、且处理压力在400Pa以上1333Pa以下的条件下形成等离子体，利用上述等离子体，对露出在被处理体的表面的硅进行氧化而形成硅氧化膜。

公开(公告)号：CN101809724A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200880109203.7

申请日：2008-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山下润 ,  壁义郎 ,  北川淳一

IPC: H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32495

Abstract: 本发明提供一种对被处理基板进行等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括：形成进行等离子体处理的处理空间(1)的金属制处理容器(2)；设置在处理空间(1)内，载置被处理基板(W)的基板载置台(3)；从处理空间(1)遮蔽金属制处理容器(2)的侧壁，下端延伸到基板载置台(3)的被处理基板载置面的下方的石英制部件(4a)；设置在石英制部件(4a)的底面与金属制处理容器(2)的底壁(2b)之间，从处理空间(1)遮蔽金属制处理容器2的底壁(2b)的环状石英制部件(6)；和从基板载置台(3)的外周附近向处理空间(1)导入处理气体的处理气体导入部。

公开(公告)号：CN100561685C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200680001118.X

申请日：2006-01-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林岳志 ,  古井真悟 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H05H1/46 ,  H01L27/14

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662

Abstract: 从微波发生装置(39)经由匹配电路(38)将脉冲状的微波导入波导管(37)，经由内导体(41)供给到平面天线部件(31)，从平面天线部件(31)经由微波透过板(28)放射到腔室(1)中的晶片(W)的上方空间。利用从平面天线部件(31)经由微波透过板(28)放射到腔室(1)的脉冲状的微波在腔室(1)内形成电磁场，使Ar气体、H2气体、O2气体等离子体化而对晶片(W)进行氧化膜的形成。

公开(公告)号：CN100559567C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200580033312.1

申请日：2005-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 北川淳一 ,  尾崎成则 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/513

Abstract: 提供利用栅绝缘膜中良好的氮浓度分布，得到优异电气特性(写入、消去特性)的半导体存储装置及其制造方法。本发明中第一实施方式的半导体装置的制造方法，是通过经由半导体基板与栅电极之间形成的绝缘膜进行电荷交接而动作的半导体存储装置的制造方法，包括将预先使用等离子体激励用气体稀释的氧氮化种导入等离子体处理装置内，由等离子体生成氧氮化种，在所述半导体基板上形成作为栅绝缘膜的氧氮化膜的工序，所述氧氮化种含有相对于导入所述等离子体处理装置内的全部气体量为0.00001～0.01%的NO气体。

公开(公告)号：CN101523577A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036502.8

申请日：2007-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林岳志 ,  盐泽俊彦 ,  壁义郎 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种等离子体氧化处理方法，维持在低压力、低氧浓度条件下的等离子体氧化处理的优点，并且使膜厚不依赖于图案疏密，而以均匀的膜厚形成硅氧化膜。在等离子体处理装置的处理室内，对具有凸凹图案的被处理体表面的硅作用处理气体的等离子体而进行氧化，形成硅氧化膜。以上述处理气体中的氧的比例为0.1％以上10％以下并且压力为0.133Pa以上133.3Pa以下的条件形成上述等离子体。在上述处理室内的等离子体产生区域和被处理体之间设置具有多个贯通开口的板而进行处理。

公开(公告)号：CN101405846A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780009785.7

申请日：2007-08-27

Applicant: 国立大学法人名古屋大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 堀胜 ,  盐泽俊彦 ,  壁义郎 ,  北川淳一

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/31662 ,  C23C8/10 ,  C23C8/36 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明提供一种等离子体氧化处理方法。其是在等离子体处理装置的处理室内，利用含氧的处理气体，使用O(1D2)自由基的密度是1×1012[cm－3]以上的等离子体对被处理体的表面实施氧化处理，形成硅氧化膜。在等离子体氧化处理期间，利用VUV单色仪63测量等离子体中的O(1D2)自由基的密度，修正等离子体处理条件。

公开(公告)号：CN101002509A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200580024959.8

申请日：2005-07-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田才忠 ,  石桥清隆 ,  北川淳一 ,  野泽俊久

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 本发明提供了一种等离子处理单元，包括：处理容器，其顶部开口，并且其中能产生真空；平台，其设置在所述处理容器中，用于在其上设置将被处理的物体；上板，其由电介质制成，所述上板密封地装配在所述开口中，并允许微波从其中穿过；平面天线元件，其设置在所述上板上或上方，所述平面天线元件具有多个微波辐射孔，以向所述处理容器内部辐射用于等离子发生的微波；慢波元件，其设置在所述平面天线元件上或上方，用于缩短微波的波长；和微波干扰抑制部，其设置在所述上板的下表面上，所述微波干扰抑制部将所述下表面分成多个同心区域，并在所述区域间抑制微波干扰。

公开(公告)号：CN3615783D

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200630001634.5

申请日：2006-01-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 太田欣也 ,  田才忠 ,  北川淳一