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公开(公告)号：CN115287758B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202210807970.7
申请日：2022-07-11
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种六水合钠铷碳氮氧溴双折射光学晶体及其制备方法和用途。化学式为Na3Rb6(CO3)3(NO3)2Br·6H2O，分子量1073.81，属于六方晶系，空间群为P63/mcm，晶胞参数为#imgabs0#α＝β＝90°，γ＝120°，#imgabs1#Z＝2。晶体采用水热法生长。晶体易于生长、易于切割、易于研磨、易于抛光和易于保存，在空气中稳定，不易潮解；可用于制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器等偏振分束棱镜，在光学和通讯领域有重要应用。
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公开(公告)号：CN116925758A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310897877.4
申请日：2023-07-20
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种真空紫外光激发的钽铌酸镁蓝紫色荧光粉及其应用。本发明的蓝紫色荧光粉钽铌酸镁的化学组成表达式为Mg4(Ta1‑xNbx)2O9，其中，0≤x≤1。该蓝紫色荧光粉采用高温固相反应法合成，在空气中稳定存在，工艺安全简单，容易控制。本发明的真空紫外激发的蓝、紫色荧光粉的发光强度是对比样品BaMgAl10O17:Eu2+(BAM)蓝色荧光粉的0.53～4.06倍。其中Mg4(Ta0.8Nb0.2)2O9的发光强度最高，是BaMgAl10O17:Eu2+(BAM)的4.06倍，抗热损伤、抗辐射损伤、余辉时间短，在3D‑PDP等离子平板显示器以及无汞荧光灯等领域中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116875309A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310777784.8
申请日：2023-06-28
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种高能射线探测用闪烁发光材料及其制备方法与用途。本发明的闪烁发光材料的化学组成表达式为：(Mg0.8‑xZn0.2Gdx)4Ta2O9，其中，0＜x≤0.01。本发明的闪烁发光材料采用高温固相法合成，在空气中稳定存在，工艺安全简单，容易控制。在X射线激发下，得到的材料样品光产额在24851～36273ph./MeV之间，当x＝0.005时，光产额最高，为36273ph./MeV，是CdWO4和Mg4Ta2O9(MTO)的2.27倍，是(Mg0.8Zn0.2)4Ta2O9(MZTO)的1.57倍。光产额的大幅提高和X射线激发发射峰的红移非常有利于在X射线检测领域的应用。
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公开(公告)号：CN116411337A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310062749.8
申请日：2023-01-17
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种生长高熔点氧化物晶体的装置及晶体的生长方法，属于晶体生长领域；一种生长高熔点氧化物晶体的装置，包括导热组件、围绕在所述导热组件外围的高频感应线圈、位于所述导热组件上方的保温筒、贯穿所述保温筒顶部的提拉杆；所述导热组件的形状为坩埚状，侧壁为双层中空结构，通过进水管向所述中空结构内通入冷却物质；所述提拉杆的底端与籽晶连接、顶端与称重系统连接，所述称重系统用于称量晶体的重量；所述装置还包括升降系统，所述升降系统用于控制所述提拉杆的升降。利用本发明的装置可以生长包括极大尺寸、极小尺寸在内的所有尺寸的高质量高熔点氧化物晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114250514A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111532634.8
申请日：2021-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂及基于该类助熔剂的晶体生长方法。本发明以B2O3‑碱金属氧化物为主，辅以少量钼的氧化物如MoO3、钼酸盐如K2Mo2O7、Na2Mo2O7等，作为β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂体系，其摩尔比为0.8～1.5：0.8～2.5：0～0.3。本发明提出的助熔剂体系，不含高温助熔剂中常用的氧化铅、氟化铅等有毒、有害成份，晶体生长温度区间为950‑1080℃，有效的降低了晶体的生长温度，溶剂粘度小、组分挥发少，高温溶液清澈透明，便于实时控制晶体生长过程，所获得的晶体质量较好，无包裹现象，易于获得高质量的β‑Ga2O3晶体。
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公开(公告)号：CN114232094A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111640665.5
申请日：2021-12-29
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，公开了一种铀掺杂硅酸铋闪烁晶体及其制备方法。特征是：(1)所述硅酸铋闪烁晶体为闪烁材料，铀离子以UO2形式掺入，可显著提高晶体的光输出，掺杂量为0.01～1mol％，所述的硅酸铋晶体的分子式为Bi4Si3O12；(2)选用高纯SiO2、Bi2O3原料，根据化学计量比配料，采用固相烧结法制备Bi4Si3O12多晶料，然后按所述掺杂量向Bi4Si3O12多晶料中加入UO2，混合均匀并烧结，得到铀掺杂的Bi4Si3O12多晶料；(3)选择硅酸铋籽晶，将籽晶固定在坩埚底部的种井部位，将掺杂的多晶料装入坩埚并封口，移入陶瓷管中，置于区熔炉内，升温、保温、接种后以一定的速率下降生长，得到铀掺杂的高光输出硅酸铋闪烁晶体。
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公开(公告)号：CN113683421A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111037847.3
申请日：2021-09-06
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明申请属于透明陶瓷制备技术领域，具体公开了一种光学级氧化镝磁光透明陶瓷的制备方法，包括以下步骤：(1)氧化镝纳米晶粉体的合成包括：配置含有特定浓度和pH值的Dy(NO3)3稀土溶液，添加5at.％La(NO3)3混合均匀；将沉淀剂溶液度滴入母液中并持续搅拌，直至沉淀液PH值达到固定值后停止滴定和搅拌；(2)将所得沉淀液陈化固定时间后获得胶状沉淀；(3)将步骤(2)中所得沉淀进行后处理，在马弗炉中煅烧。(4)将步骤(3)中的纳米粉体一次进行干压成型和冷等静压后获得陶瓷坯体；在具有还原气体的无压烧结炉中烧结之后获得氧化镝磁光透明陶瓷。本发明主要用于制备氧化镝磁光透明陶瓷，解决了现有技术中磁光陶瓷在低波段透明性差、生产工艺复杂的问题。
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公开(公告)号：CN110820045B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201911268308.3
申请日：2019-12-11
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土石榴石单晶的制备方法，包括以下步骤：根据晶体分子式Y（2.9‑x）RexBi0.1Fe5O12，其中x=0.2～0.4，准确称量原料、混合、烧结、研磨得到多晶料；向多晶料中加入PbO复合助熔剂，球磨、压块；清洗籽晶；晶体生长，将籽晶缓慢浸入接近过饱和的高温溶液，短暂生长，随后提离液面，完成初次生长；根据理论计算消耗量补充溶质，使其再次达到过饱和，重复上述步骤，进行晶体的二次生长；多次重复上述步骤得到目标晶体。本发明采用生长‑补充溶质‑再生长‑再补充溶质多次循环的方式进行晶体生长，实现晶体生长与质量的精准控制，得到表面光滑、无开裂的稀土石榴石单晶；通过多层增厚法制备的稀土石榴石单晶厚度可达100μm以上，满足磁光、微波器件应用。
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公开(公告)号：CN113403685A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110655568.7
申请日：2021-06-11
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明提供了一种单掺铀铌酸锂晶体及其制备方法。本发明的单掺铀铌酸锂晶体是以纯度为99.99wt％Li2CO3、99.99wt％Nb2O5及纯度≧99.99％的UO2为原料，其中，UO2的掺杂量为0.6～2.0mol％，[Li]和[Nb]的摩尔比为0.937。制备步骤为:首先称取各原料充分研磨混合后烧结；再将研磨烧结后的多晶粉料放入铂金坩埚中采用坩埚下降法生长铀掺杂铌酸锂晶体。本发明的单掺铀铌酸锂晶体与同成分的铌酸锂晶体相比较，单晶质量较高且易于生长、其光折变效应增强、灵敏度提高；本发明的掺铀铌酸锂晶体有望推动铌酸锂晶体材料在全色全息存储及全息显示等领域的应用，并具有很大的市场应用前景。
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