公开(公告)号：CN114267725A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202111105778.5

申请日：2021-09-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 曾根田真也 ,  原田健司 ,  大塚翔瑠

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明涉及半导体装置，其目的在于，在RC‑IGBT中确保动作区域，并且降低恢复损耗。在RC‑IGBT(100、101)的俯视观察时，边界区域(50)的单位面积中的n+型源极层(13)的占有比率比IGBT区域(10)的单位面积中的n+型源极层(13)的占有比率小，边界区域(50)的单位面积中的p+型接触层(14)的占有比率比IGBT区域(20)的单位面积中的p+型接触层(14)的占有比率小。

公开(公告)号：CN113921604A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110756289.X

申请日：2021-07-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 新田哲也 ,  池田宗谦 ,  曾根田真也

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/861 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明涉及半导体装置。目的在于提供能够有效地降低恢复损耗的技术。在二极管区域的第1主面侧设置有第1阳极层以及第1接触层，在边界区域的第1主面侧设置有第2阳极层以及第2接触层。第2阳极层的第2导电型的杂质浓度比第1阳极层的第2导电型的杂质浓度低，或者，边界区域处的以发射极电极与半导体基板接触的面积为基准的第2接触层的占有面积比例比二极管区域处的以发射极电极与半导体基板接触的面积为基准的第1接触层的占有面积比例小。

公开(公告)号：CN113394279A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110244642.6

申请日：2021-03-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上马场龙 ,  曾根田真也 ,  新田哲也

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/861 ,  H01L29/08

Abstract: 提供提高了恢复动作时的破坏耐量的半导体装置。本发明涉及的半导体装置(100)构成为相邻地设置有绝缘栅型双极晶体管区域(1)和二极管区域(2)，绝缘栅型双极晶体管区域具有：第2导电型的基极层(9)，设置于第1主面侧的表层；以及第1导电型的发射极层(8)，选择性地设置于基极层(9)的第1主面侧的表层，俯视观察时在第1方向上具有宽度方向，二极管区域具有：第2导电型的阳极层(11)，设置于第1主面侧的表层；以及第1导电型的载流子注入抑制层(10)，选择性地设置于阳极层的第1主面侧的表层，俯视观察时在第2方向上具有宽度方向，俯视观察时第2方向上的载流子注入抑制层的宽度(W1)比第1方向上的发射极层的宽度(W2)窄。

公开(公告)号：CN113314603A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110194137.5

申请日：2021-02-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 曾根田真也 ,  原田健司 ,  大塚翔瑠

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。对电场在多个第1沟槽栅极和多个第2沟槽栅极各自的端部集中，在沟槽内设置的绝缘膜劣化进行抑制，该多个第1沟槽栅极与多个第2沟槽栅极在沟槽栅极的延伸方向上邻接且分别以不同的间距设置。具有：多个第1二极管沟槽栅极(21)，其沿第1主面从单元区域的一端侧向相对的单元区域的另一端侧延伸且以第1间距(W1)相互邻接设置；边界沟槽栅极(23)，其与第1二极管沟槽栅极(21)的端部(21c)连接且在与第1二极管沟槽栅极(21)的延伸方向交叉的方向上延伸；以及第2二极管沟槽栅极(22)，其具有与边界沟槽栅极(23)连接的端部(22c)，该第2二极管沟槽栅极向单元区域的另一端侧延伸。

公开(公告)号：CN105633077A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510812427.6

申请日：2015-11-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 曾根田真也

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/0635 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/417 ,  H01L29/7397 ,  H01L27/0688

Abstract: 本发明的目的在于提供一种反向导通型半导体装置，其能够使阻挡金属层与高浓度阳极层之间的接触面积固定。本发明所涉及的反向导通型半导体装置的特征在于，具有：阳极层(40)及高浓度阳极层(42)，它们形成在二极管(14)的上表面侧；以及钨插塞(54)，其经由阻挡金属层(52)而与阳极层(40)及高浓度阳极层(42)相接触，该高浓度阳极层的宽度大于该阻挡金属层与该高浓度阳极层之间的接触宽度。

公开(公告)号：CN119907250A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411451819.X

申请日：2024-10-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 古川怜央奈 ,  曾根田真也

IPC: H10D12/00 ,  H10D8/00 ,  H01L23/367

Abstract: 布线部件(50)具有与接合部件(60)接触的被接合面(55)。在沿着与表面电极(10)垂直的方向观察的俯视观察时，被接合面(55)覆盖多个二极管区域(2)每一个的至少一部分。多个二极管区域(2)具有第一二极管区域(21)、第二二极管区域(22)以及第三二极管区域(23)。在俯视观察时，第二二极管区域(22)相对于第一二极管区域(21)位于第一方向(101)，且从第一二极管区域(21)分离。在俯视观察时，第三二极管区域(23)相对于第一二极管区域(21)位于与第一方向(101)垂直的第二方向(102)，且从第一二极管区域(21)及第二二极管区域(22)的每一个分离。

公开(公告)号：CN113921604B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202110756289.X

申请日：2021-07-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 新田哲也 ,  池田宗谦 ,  曾根田真也

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/861 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明涉及半导体装置。目的在于提供能够有效地降低恢复损耗的技术。在二极管区域的第1主面侧设置有第1阳极层以及第1接触层，在边界区域的第1主面侧设置有第2阳极层以及第2接触层。第2阳极层的第2导电型的杂质浓度比第1阳极层的第2导电型的杂质浓度低，或者，边界区域处的以发射极电极与半导体基板接触的面积为基准的第2接触层的占有面积比例比二极管区域处的以发射极电极与半导体基板接触的面积为基准的第1接触层的占有面积比例小。

公开(公告)号：CN115132575B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202210268777.0

申请日：2022-03-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西康一 ,  曾根田真也 ,  小西和也

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的目的在于针对具有沟槽型MOS栅极构造的半导体装置，削减用于形成杂质层的掩模数量并且减小杂质层的分布的波动。半导体装置的制造方法具有：工序(b)，使用第1掩模注入p型杂质离子，在有源区域(10)处的漂移层(1)的第1主面(S1)侧形成基极层(15)；工序(c)，使用第1掩模注入n型杂质离子，在基极层(15)的第1主面(S1)侧形成发射极层(13)；工序(d)，在工序(b)及(c)后形成沟槽(11c)；工序(e)，在沟槽(11c)内隔着栅极绝缘膜(11b)埋入栅极电极(11a)；工序(g)，使用第2掩模(61)注入高剂量的p型杂质离子，将发射极层(13)的一部分变换为第1接触层(14a)。

公开(公告)号：CN113745312B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202110559128.1

申请日：2021-05-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 曾根田真也 ,  原田健司 ,  大塚翔瑠

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739 ,  H01L27/06

Abstract: 提供抑制了恢复动作中的雪崩动作，提高了恢复破坏耐量的RC‑IGBT。半导体装置在共通的半导体基板形成了晶体管和二极管，二极管区域具有：第2导电型的第5半导体层，其设置于半导体基板的第2主面侧；第2导电型的第2半导体层，其设置于第5半导体层之上；第1导电型的第3半导体层，其与第2半导体层相比设置于半导体基板的第1主面侧；第1导电型的第6半导体层，其设置于第3半导体层之上；第2电极，其与第6半导体层电连接；第1电极，其与第5半导体层电连接；以及寿命控制层，其到达比从第1主面侧起的第3半导体层的厚度方向端部和从第2主面侧起的第5半导体层的厚度方向端部之间的第2半导体层的中间位置深的位置，由晶体缺陷层构成。

公开(公告)号：CN117637821A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311044351.8

申请日：2023-08-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤井秀纪 ,  田中香次 ,  田中翔 ,  曾根田真也

IPC: H01L29/417 ,  H01L27/07 ,  H01L21/82

Abstract: 涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够实现半导体装置的特性的稳定化的技术。半导体装置具有：半导体衬底，其设置有半导体部，该半导体部是栅极绝缘膜、pn结部和末端区域的漂移层中的至少任意1者；绝缘膜，其设置于半导体部之上；金属电极，其具有开口部，该开口部在俯视观察时与半导体部重叠，在剖视观察时相对于绝缘膜而设置于与半导体部相反侧；以及镀敷电极，其将金属电极作为被镀敷材料而设置于开口部内的至少一部分。