输入电容测定电路及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN115704836A

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN202210908518.X

    申请日:2022-07-29

    Abstract: 目的在于提供使半导体装置的输入电容的测定精度提高的输入电容测定电路。还涉及半导体装置的制造方法。输入电容测定电路具有变压器、第1电容器、第2电容器及第3电容器。变压器的初级配线的一端设置为能够与半导体装置的阳极连接。变压器的初级配线的另一端与第1电容器的一端连接。变压器的次级配线的一端设置为能够与半导体装置的阴极连接。变压器的次级配线的另一端与第2电容器的一端连接。第3电容器的一端设置为能够与半导体装置的阴极连接。第1电容器的另一端、第2电容器的另一端和第3电容器的另一端彼此电连接。

    半导体装置
    2.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN119907250A

    公开(公告)日:2025-04-29

    申请号:CN202411451819.X

    申请日:2024-10-17

    Abstract: 布线部件(50)具有与接合部件(60)接触的被接合面(55)。在沿着与表面电极(10)垂直的方向观察的俯视观察时,被接合面(55)覆盖多个二极管区域(2)每一个的至少一部分。多个二极管区域(2)具有第一二极管区域(21)、第二二极管区域(22)以及第三二极管区域(23)。在俯视观察时,第二二极管区域(22)相对于第一二极管区域(21)位于第一方向(101),且从第一二极管区域(21)分离。在俯视观察时,第三二极管区域(23)相对于第一二极管区域(21)位于与第一方向(101)垂直的第二方向(102),且从第一二极管区域(21)及第二二极管区域(22)的每一个分离。

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