公开(公告)号：CN105390233A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510527138.1

申请日：2015-08-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈田章 ,  平尾柾宜 ,  松尾一成

IPC: H01F17/06 ,  H01F27/24 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01F3/14 ,  H01F17/062 ,  H01F27/325 ,  H01L23/645 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055

Abstract: 得到一种配线用铁心构造，其能够更有效地抑制配线的寄生电感。卷绕配线(3)相对于铁心集合体(3X)进行卷绕，两端短路。在连结销(18)插入铁心集合体(3X)的通孔(17)的连结销插入状态时，通过以使铁心集合体(3X)的各分割铁心部(3i)的外周空间部在俯视观察时重叠的方式进行配置，从而在铁心集合体(3X)的侧面的一部分上形成气隙(16)。在形成包覆材料(19A)前，使主配线(4)从气隙(16)穿过，向铁心集合体(3X)的配线孔(2)内配置主配线(4)，然后在包含气隙(16)在内的铁心集合体(3X)的外周面侧设置对气隙(16)进行封闭的包覆材料(19A)，从而得到铁心构造(30A)。

公开(公告)号：CN105390233B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201510527138.1

申请日：2015-08-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈田章 ,  平尾柾宜 ,  松尾一成

IPC: H01F17/06 ,  H01F27/24 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01F3/14 ,  H01F17/062 ,  H01F27/325 ,  H01L23/645 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055

Abstract: 得到一种配线用铁心构造，其能够更有效地抑制配线的寄生电感。卷绕配线(3)相对于铁心集合体(3X)进行卷绕，两端短路。在连结销(18)插入铁心集合体(3X)的通孔(17)的连结销插入状态时，通过以使铁心集合体(3X)的各分割铁心部(3i)的外周空间部在俯视观察时重叠的方式进行配置，从而在铁心集合体(3X)的侧面的一部分上形成气隙(16)。在形成包覆材料(19A)前，使主配线(4)从气隙(16)穿过，向铁心集合体(3X)的配线孔(2)内配置主配线(4)，然后在包含气隙(16)在内的铁心集合体(3X)的外周面侧设置对气隙(16)进行封闭的包覆材料(19A)，从而得到铁心构造(30A)。

公开(公告)号：CN109478561B

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN201680087689.3

申请日：2016-07-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高野和丰 ,  松尾一成 ,  平尾柾宜 ,  八寻淳二

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及的半导体装置具备：基板，其具有单元部、包围单元部的终端部；表面构造，其设置于基板之上；以及背面电极，其设置于基板的背面，表面构造在单元部的上部具有向上方凸出的凸部，单元部的至少一部分比终端部薄。

公开(公告)号：CN109478561A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201680087689.3

申请日：2016-07-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高野和丰 ,  松尾一成 ,  平尾柾宜 ,  八寻淳二

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及的半导体装置具备：基板，其具有单元部、包围单元部的终端部；表面构造，其设置于基板之上；以及背面电极，其设置于基板的背面，表面构造在单元部的上部具有向上方凸出的凸部，单元部的至少一部分比终端部薄。

公开(公告)号：CN119375560A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202410972143.2

申请日：2024-07-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 平尾柾宜

IPC: G01R27/26 ,  G01R31/26 ,  G01R1/04

Abstract: 涉及半导体器件的电容的测定装置及测定夹具。使半导体器件的反馈电容的测定精度提高。在测定对象即半导体器件(100)的栅极端子和LCR仪表(30)的Lc端子(32)之间设置：第1配线(6A)，其将变压器(10)的铁芯穿过1次，连接于半导体器件(100)的栅极端子和源极端子之间；以及第2配线(6B)，其在变压器(10)的铁芯卷绕N圈，一端与Lc端子(32)连接，另一端接地。如果将施加于半导体器件(100)的漏极端子的AC信号的角频率设为ω，将第1配线(6A)的电感设为LS_6A，将第2配线(6B)的电感设为LS_6B，将半导体器件(100)的栅极‑源极间寄生电容设为CGS，则呈ωLS_6A

公开(公告)号：CN115704836A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210908518.X

申请日：2022-07-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 平尾柾宜 ,  上野和起 ,  古川怜央奈

IPC: G01R27/26

Abstract: 目的在于提供使半导体装置的输入电容的测定精度提高的输入电容测定电路。还涉及半导体装置的制造方法。输入电容测定电路具有变压器、第1电容器、第2电容器及第3电容器。变压器的初级配线的一端设置为能够与半导体装置的阳极连接。变压器的初级配线的另一端与第1电容器的一端连接。变压器的次级配线的一端设置为能够与半导体装置的阴极连接。变压器的次级配线的另一端与第2电容器的一端连接。第3电容器的一端设置为能够与半导体装置的阴极连接。第1电容器的另一端、第2电容器的另一端和第3电容器的另一端彼此电连接。