公开(公告)号：CN102104039B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201010550370.4

申请日：2010-11-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 楠茂 ,  八寻淳二 ,  广田庆彦

IPC: H01L27/082 ,  H01L29/739 ,  H01L27/07 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0658 ,  H01L27/0761 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/404 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的高耐压半导体装置具备：半导体衬底(10)、第1主表面(1)上的p型基极区域(11)、p型基极区域(11)内的n+型发射极区域(12)、与半导体衬底(10)的端面邻接而不贯通半导体衬底(10)的n+型负极区域(13)、第2主表面(2)上的p+型集电极区域(14)、第1主电极(41)、第2主电极(42P)、第3主电极(43)、以及连接第2主电极(42P)和第3主电极(43)的连接部(42W)。p型基极区域(11)和n+型负极区域(13)之间的电阻(R2)，大于p型基极区域(11)和p+型集电极区域(14)之间的电阻(R1)。在单一的半导体衬底内形成IGBT和回流二极管的高耐压半导体装置中，能够抑制产生迅速复原现象。

公开(公告)号：CN102104039A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010550370.4

申请日：2010-11-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 楠茂 ,  八寻淳二 ,  广田庆彦

IPC: H01L27/082 ,  H01L29/739 ,  H01L27/07 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0658 ,  H01L27/0761 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/404 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的高耐压半导体装置具备：半导体衬底(10)、第1主表面(1)上的p型基极区域(11)、p型基极区域(11)内的n+型发射极区域(12)、与半导体衬底(10)的端面邻接而不贯通半导体衬底(10)的n+型负极区域(13)、第2主表面(2)上的p+型集电极区域(14)、第1主电极(41)、第2主电极(42P)、第3主电极(43)、以及连接第2主电极(42P)和第3主电极(43)的连接部(42W)。p型基极区域(11)和n+型负极区域(13)之间的电阻(R2)，大于p型基极区域(11)和p+型集电极区域(14)之间的电阻(R1)。在单一的半导体衬底内形成IGBT和回流二极管的高耐压半导体装置中，能够抑制产生迅速复原现象。

公开(公告)号：CN109478561B

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN201680087689.3

申请日：2016-07-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高野和丰 ,  松尾一成 ,  平尾柾宜 ,  八寻淳二

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及的半导体装置具备：基板，其具有单元部、包围单元部的终端部；表面构造，其设置于基板之上；以及背面电极，其设置于基板的背面，表面构造在单元部的上部具有向上方凸出的凸部，单元部的至少一部分比终端部薄。

公开(公告)号：CN109478561A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201680087689.3

申请日：2016-07-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高野和丰 ,  松尾一成 ,  平尾柾宜 ,  八寻淳二

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及的半导体装置具备：基板，其具有单元部、包围单元部的终端部；表面构造，其设置于基板之上；以及背面电极，其设置于基板的背面，表面构造在单元部的上部具有向上方凸出的凸部，单元部的至少一部分比终端部薄。