-
公开(公告)号：CN107057173B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201710084565.6
申请日：2012-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08L23/08 , C08K3/30 , C09K11/02 , C09K11/56 , C09K11/88 , H01L51/50 , H01L51/56 , H01L51/54 , H01L33/50 , H01L33/00 , B82Y30/00
Abstract: 公开复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件，所述复合物包括半导体纳米晶体、具有能够与所述半导体纳米晶体的表面结合的羧酸根阴离子基团(‑COO‑)的聚合物、和能够与所述羧酸根阴离子基团结合的金属阳离子。
-
公开(公告)号：CN110028963A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910027235.2
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点、量子点-聚合物复合物、和显示装置，所述量子点包括包含第一半导体纳米晶体的芯和设置在所述芯上并且包括至少两个层的多层壳。所述量子点不包括镉；所述第一半导体纳米晶体包括III-V族化合物，所述多层壳包括：围绕所述芯的表面的至少一部分的第一层，所述第一层包括第二半导体纳米晶体，所述第二半导体纳米晶体包括II-V族化合物；和设置在所述第一层上的第二层，所述第二层包括第三半导体纳米晶体，所述第三半导体纳米晶体包括与所述第二半导体纳米晶体的组成不同的组成。
-
公开(公告)号：CN108102640A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711175767.8
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , C07C391/00 , C07F3/08 , B82Y20/00 , G03F7/004 , G03F7/027 , B32B17/06 , B32B27/36 , B32B27/34 , B32B27/30 , B32B27/28 , B32B27/06 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B33/00 , B32B38/00 , B32B38/16 , G02F1/13357
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/06 , C09K11/703 , C09K11/883 , C09K2211/188 , G02B6/005 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0039 , H01L51/0092 , H01L51/5012 , H01L51/502 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H05B33/14 , Y10S977/774 , Y10S977/783 , Y10S977/818 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/896 , Y10S977/95 , Y10T428/1036 , Y10T428/1041 , C09K11/02 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B17/06 , B32B27/06 , B32B27/28 , B32B27/308 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B33/00 , B32B38/00 , B32B38/164 , B32B2038/0052 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2305/55 , B32B2307/42 , B32B2315/08 , B32B2333/12 , B32B2367/00 , B32B2369/00 , B32B2377/00 , B32B2379/08 , B32B2383/00 , B32B2457/202 , C07C391/00 , C07F3/003 , G02F1/1336 , G02F2001/133614 , G03F7/004 , G03F7/027
Abstract: 公开量子点、包括其的组合物或复合物、和包括其的装置。所述量子点包括半导体纳米晶体颗粒和结合至所述半导体纳米晶体颗粒的表面的配体。所述配体包括第一配体和第二配体。所述第一配体包括由化学式1表示的化合物且所述第二配体包括由化学式2表示的化合物，其中M、n和A与说明书中定义的相同；和其中，R1、L1、Y1、R、k1和k2与说明书中定义的相同。化学式1MAn化学式2
-
公开(公告)号：CN106468858A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610701845.2
申请日：2016-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/033 , G02B5/20 , G02F1/1335 , C09K11/02 , C09K11/70
CPC classification number: G03F7/033 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , G03F7/0007 , G03F7/0047 , G03F7/027
Abstract: 本发明涉及光敏组合物、其制备方法、量子点聚合物复合物、滤色器和显示器件。光敏组合物包括量子点分散体、具有碳-碳双键的能光聚合的单体、和光引发剂，其中所述量子点分散体包括包含酸基团的聚合物和分散在所述包含酸基团的聚合物中的多个量子点，和其中所述包含酸基团的聚合物包括包含如下的单体组合的共聚物：具有羧酸基团或膦酸基团和碳-碳双键的第一单体以及具有碳-碳双键和疏水性基团并且不具有羧酸基团和膦酸基团的第二单体。
-
公开(公告)号：CN106468856A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610703071.7
申请日：2016-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/027 , G02F1/1335
CPC classification number: G03F7/0007 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08F220/14 , C09D4/06 , C09K11/02 , C09K11/703 , G02B5/207 , G02B5/223 , G03F7/004 , G03F7/0042 , G03F7/0047 , G03F7/033 , C08F265/06 , C08F220/06
Abstract: 本发明涉及光敏组合物、其制备方法、量子点聚合物复合物、滤色器和显示器件。光敏组合物包括量子点分散体、具有至少两个硫醇基团的反应性化合物、具有碳-碳双键的能光聚合的单体、和光引发剂，其中所述量子点分散体包括包含羧酸基团的聚合物和分散在所述包含羧酸基团的聚合物中的量子点，和其中所述包含羧酸基团的聚合物包括包含如下的单体组合的共聚物：具有羧酸基团和碳-碳双键的第一单体以及具有碳-碳双键和疏水性部分并且不具有羧酸基团的第二单体。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104513335A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410525122.2
申请日：2014-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08F126/06 , C08F220/18 , C08F222/14 , C08F222/20 , C08F2/44 , C08K5/17 , C08K5/50 , C08K5/5397 , C08J5/18 , H01L51/54
CPC classification number: G02F1/133615 , C09K11/00 , G02B6/005 , G02F2001/133614 , Y10S977/774
Abstract: 本发明提供半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体-聚合物复合物及用于液晶显示器件的背光单元，特别是提供半导体纳米晶体组合物和由其制备的半导体纳米晶体-聚合物复合物，所述半导体纳米晶体组合物包括：半导体纳米晶体、有机添加剂、和能聚合物质，其中所述组合物在进行聚合之后具有大于或等于约40％的雾度。
-
公开(公告)号：CN101974335B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201010269829.3
申请日：2004-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C01B19/007 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C09C1/10 , C09C1/12 , C09C1/38 , C09K11/565 , C09K11/883 , C30B7/00 , C30B29/605 , C30B33/00 , H01L51/502 , H05B33/14 , Y10S438/962
Abstract: 一种改善半导体纳米晶体发光效率的方法，通过用还原剂表面处理改善发光效率和量子效率，不改变纳米晶体的发光特性例如发光波长和其分布。
-
公开(公告)号：CN1655057B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200410102383.X
申请日：2004-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08F2/28 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C30B29/60 , C30B33/00 , G03F7/0043 , G03F7/0047 , G03F7/027 , H01L51/426 , H01L51/502 , Y02E10/549 , Y10S428/917 , Y10S977/773 , Y10T428/24802 , Y10T428/265 , Y10T428/2991 , Y10T428/2998 , Y10T428/31504 , Y10T428/31663
Abstract: 提供了与包含光敏功能基团表面配位的半导体纳米晶、包括半导体纳米晶的光敏组合物、和一种通过使用光敏的半导体纳米晶或光敏组合物制造膜，曝光所述膜并显影所述曝光膜来形成半导体纳米晶图案的方法。半导体纳米晶图案与半导体纳米晶在图案形成之前相比，显示出发光特性并且可以很有用地应用于有机-无机混合电致发光装置中。
-
公开(公告)号：CN112778999B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202011238165.4
申请日：2020-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C08L33/02 , C08K3/32 , C08K3/30 , G03F7/004 , G03F7/027 , G09F9/33 , G02F1/13357
Abstract: 公开了量子点‑聚合物复合物、制造核‑壳量子点的方法和包括包含量子点‑聚合物复合物的发光元件的显示装置，该量子点‑聚合物复合物包括聚合物基质以及分散在聚合物基质中的核‑壳量子点，其中，核‑壳量子点包括半导体纳米晶体核和设置在半导体纳米晶体核上的半导体纳米晶体壳，半导体纳米晶体核包括铟、锌和磷，半导体纳米晶体壳包括锌、硒和硫，核‑壳量子点不包括镉，核‑壳量子点被构造为发射绿光，核‑壳量子点具有大于或等于大约0.75:1的磷与铟的摩尔比，核‑壳量子点具有大于或等于大约35:1的锌与铟的摩尔比。
-
公开(公告)号：CN115701258A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210873269.5
申请日：2022-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K59/38 , H10K50/115 , H01L27/15 , H01L33/50
Abstract: 提供了量子点、包括该量子点的量子点复合物、包括该量子点复合物的显示面板和包括该显示面板的电子装置，其中，量子点包括包含铟和锌的金属以及包含磷和硒的非金属，并且不包括镉，并且量子点具有在约0.2至约0.3的范围内的对于约450nm的波长的每1mg的光密度(OD)且具有在约500nm至约550nm之间的发射峰，或者量子点具有在约0.5至约0.7的范围内的对于约450nm的波长的每1mg的光密度且具有在约610nm至约660nm之间的发射峰。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
91
records
(took 0.078 seconds)
