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公开(公告)号:CN116364646A
公开(公告)日:2023-06-30
申请号:CN202211684280.3
申请日:2022-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 提供互连件、包括其的电子设备和形成互连件的方法。所述互连件包括:金属层;包围所述金属层的至少一部分的电介质层;以及设置在所述金属层和所述电介质层之间并且包括三元金属氧化物的中间层。
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公开(公告)号:CN106278995A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201610078428.7
申请日:2016-02-04
IPC: C07D209/86 , C07D405/14 , C07D409/14 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/0072 , B32B2457/206 , C07D209/86 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1022 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , G02F1/0018 , G02F2202/02 , G02F2202/026 , H01L51/008 , H01L51/0085 , H01L51/009 , H01L51/5004 , H01L51/5016 , H01L2251/552 , C07D405/14 , C07D409/14 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0032 , H01L51/5012
Abstract: 本发明涉及稠环化合物和包括其的有机发光器件。所述稠环化合物由式1表示,其中,在式1中,环、基团和变量与说明书中定义的相同。式1
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公开(公告)号:CN110028963B
公开(公告)日:2024-01-02
申请号:CN201910027235.2
申请日:2019-01-11
IPC: C09K11/70 , C09K11/88 , C09K11/02 , H10K59/50 , H10K59/12 , H10K50/115 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 公开量子点、量子点‑聚合物复合物、和显示装置,所述量子点包括包含第一半导体纳米晶体的芯和设置在所述芯上并且包括至少两个层的多层壳。所述量子点不包括镉;所述第一半导体纳米晶体包括III‑V族化合物,所述多层壳包括:围绕所述芯的表面的至少一部分的第一层,所述第一层包括第二半导体纳米晶体,所述第二半导体纳米晶体包括II‑V族化合物;和设置在所述第一层上的第二层,所述第二层包括第三半导体纳
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公开(公告)号:CN106278995B
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN201610078428.7
申请日:2016-02-04
IPC: C07D209/86 , C07D405/14 , C07D409/14 , C09K11/06 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及稠环化合物和包括其的有机发光器件。所述稠环化合物由式1表示,其中,在式1中,环、基团和变量与说明书中定义的相同。式1
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公开(公告)号:CN110028963A
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201910027235.2
申请日:2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点、量子点-聚合物复合物、和显示装置,所述量子点包括包含第一半导体纳米晶体的芯和设置在所述芯上并且包括至少两个层的多层壳。所述量子点不包括镉;所述第一半导体纳米晶体包括III-V族化合物,所述多层壳包括:围绕所述芯的表面的至少一部分的第一层,所述第一层包括第二半导体纳米晶体,所述第二半导体纳米晶体包括II-V族化合物;和设置在所述第一层上的第二层,所述第二层包括第三半导体纳米晶体,所述第三半导体纳米晶体包括与所述第二半导体纳米晶体的组成不同的组成。
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