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公开(公告)号：CN111435710B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201910835922.7
申请日：2019-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点器件和电子设备。所述量子点器件包括：彼此面对的阳极和阴极；在所述阳极和所述阴极之间的量子点层；在所述阳极和所述量子点层之间的空穴传输层，所述空穴传输层配置成提高从所述阳极到所述量子点层的空穴传输性质；在所述阴极和所述量子点层之间的无机电子传输层，所述无机电子传输层配置成提高从所述阴极到所述量子点层的电子传输性质；以及在所述阴极和所述量子点层之间的无机电子控制层，所述无机电子控制层配置成降低从所述阴极到所述量子点层的电子传输性质。所述电子设备包括所述量子点器件。
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公开(公告)号：CN118284254A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311852339.X
申请日：2023-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K71/00 , H10K50/115 , H10K85/30 , H10K50/16 , H10K59/35
Abstract: 公开电致发光器件、其制造方法、和包括其的显示设备。制造电致发光器件的方法包括：在第一电极上设置包括半导体纳米颗粒的光发射层；将包括锌氧化物纳米颗粒的组合物施加到所述光发射层上以形成电子传输层，所述锌氧化物纳米颗粒包括不同于锌的第一金属和碱金属；和在所述电子传输层上设置第二电极以制造所述电致发光器件，其中所述锌氧化物纳米颗粒的制备包括：将在溶剂中包括锌前体和第一金属前体的第一溶液与第二碱以及任选地第一碱混合以制备所述锌氧化物纳米颗粒，其中所述第一碱包括含有C1‑C50有机基团的有机碱，并且所述第二碱包括包含所述碱金属的无机碱。
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公开(公告)号：CN110028963B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201910027235.2
申请日：2019-01-11
IPC: C09K11/70 , C09K11/88 , C09K11/02 , H10K59/50 , H10K59/12 , H10K50/115 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 公开量子点、量子点‑聚合物复合物、和显示装置，所述量子点包括包含第一半导体纳米晶体的芯和设置在所述芯上并且包括至少两个层的多层壳。所述量子点不包括镉；所述第一半导体纳米晶体包括III‑V族化合物，所述多层壳包括：围绕所述芯的表面的至少一部分的第一层，所述第一层包括第二半导体纳米晶体，所述第二半导体纳米晶体包括II‑V族化合物；和设置在所述第一层上的第二层，所述第二层包括第三半导体纳
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公开(公告)号：CN112750966A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011201636.4
申请日：2020-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了电致发光器件和包括其的显示设备。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，其中所述发光层包括设置在所述第一电极侧上并且包含第一量子点的第一发光层、以及设置在所述第二电极侧上并且包含第二量子点和n型金属氧化物的第二发光层。
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公开(公告)号：CN110858632B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910785624.1
申请日：2019-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , B82Y30/00 , C09K11/54 , C09K11/56 , C09K11/88
Abstract: 公开量子点器件和量子点。所述量子点包括：芯，所述芯包括包含锌硫属化物的第一半导体纳米晶体；和设置在所述芯上的壳，所述壳包括锌、硫、和硒，其中所述量子点具有大于10nm的平均颗粒尺寸，其中所述量子点不包括镉，和其中所述量子点的光致发光峰存在于大于或等于约430nm且小于或等于约470nm的波长范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112442371B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010895937.5
申请日：2020-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/88 , C09K11/02 , H10K50/115
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、包括其的量子点群和电致发光器件。量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌硫属化物；和设置在所述芯的表面上并且包括锌、硒和硫的半导体纳米晶体壳。所述量子点不包括镉，发射蓝色光，并呈现出具有闪锌矿结构的(100)面的通过透射电子显微镜图像的快速傅里叶变换获得的数字衍射图样，并且在所述量子点的X射线衍射光谱中，缺陷峰面积相对于闪锌矿晶体结构的峰面积的比小于约0.8:1。还公开了制造所述量子点的方法和包括所述量子点的电致发光器件。
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公开(公告)号：CN117677218A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311163544.5
申请日：2023-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及电致发光器件、包括其的电子设备、和制造电致发光器件的方法。电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；以及设置在所述发光层和所述第二电极之间的电子传输层。所述发光层包括多个半导体纳米颗粒，并且所述电子传输层包括多个锌氧化物纳米颗粒，所述锌氧化物纳米颗粒进一步包括镁和镓，并且在所述锌氧化物纳米颗粒中，基于锌、镁、和镓的总摩尔数，镓的量大于或等于约1摩尔％且小于或等于约30摩尔％，并且镓对镁的摩尔比(Ga:Mg)小于或等于约3:1。
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公开(公告)号：CN109817815A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811275891.6
申请日：2018-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点器件和显示设备。量子点器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间的量子点层，和在所述量子点层与所述第二电极之间的电子辅助层，所述电子辅助层包括第一纳米颗粒和比所述第一纳米颗粒大的第二纳米颗粒，其中所述第一电极的功函大于所述第二电极的功函，和其中所述量子点层的最低未占分子轨道能级与所述电子辅助层的最低未占分子轨道能级之间的差值小于约1.1电子伏。
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公开(公告)号：CN110265555B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201910184028.8
申请日：2019-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K50/16
Abstract: 公开了电致发光器件和包括其的显示装置。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括多个发光颗粒的发射层、设置在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输层、以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输层，其中所述电子传输层包括设置在所述发射层上并且包含多个无机纳米颗粒的无机层和直接设置在所述无机层的在与所述发射层相反的侧上的上表面的至少一部分上的有机层，其中所述有机层的功函高于所述无机层的功函。
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公开(公告)号：CN110240896B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN201910180450.6
申请日：2019-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H10K50/115
Abstract: 本发明涉及量子点以及包括其的电致发光器件和电子器件。量子点包括：包括包含锌、碲和硒的第一半导体纳米晶体材料的芯；以及设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳包括锌、硒和硫，其中所述量子点不包括镉，并且在所述量子点中，硫相对于硒的摩尔比小于或等于约2.4:1。还公开了制造所述量子点的方法和包括其的电子器件。
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