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公开(公告)号:CN119463857A
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202411083991.4
申请日:2024-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体纳米颗粒、包括该半导体纳米颗粒的半导体纳米颗粒复合物、制造该半导体纳米颗粒的方法和包括该半导体纳米颗粒的电子装置,半导体纳米颗粒包括包含银、铟、镓和硫的第一半导体纳米晶体以及包含锌、镓和硫的第二半导体纳米晶体。半导体纳米颗粒被构造为发射绿光。绿光具有约500纳米至约580纳米的峰值发射波长。在半导体纳米颗粒中,锌与铟的摩尔比为约0.1:1至约10:1。
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公开(公告)号:CN112778999A
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN202011238165.4
申请日:2020-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C08L33/02 , C08K3/32 , C08K3/30 , G03F7/004 , G03F7/027 , G09F9/33 , G02F1/13357
Abstract: 公开了量子点‑聚合物复合物、制造核‑壳量子点的方法和包括包含量子点‑聚合物复合物的发光元件的显示装置,该量子点‑聚合物复合物包括聚合物基质以及分散在聚合物基质中的核‑壳量子点,其中,核‑壳量子点包括半导体纳米晶体核和设置在半导体纳米晶体核上的半导体纳米晶体壳,半导体纳米晶体核包括铟、锌和磷,半导体纳米晶体壳包括锌、硒和硫,核‑壳量子点不包括镉,核‑壳量子点被构造为发射绿光,核‑壳量子点具有大于或等于大约0.75:1的磷与铟的摩尔比,核‑壳量子点具有大于或等于大约35:1的锌与铟的摩尔比。
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公开(公告)号:CN112708414A
公开(公告)日:2021-04-27
申请号:CN202011157965.3
申请日:2020-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L51/50 , H01L27/32 , G03F7/004 , G03F7/027 , C08K3/32 , C08K3/30 , C08L33/02 , C08L71/02
Abstract: 公开了无镉的核壳量子点、量子点聚合物复合物和包括该量子点聚合物复合物的显示装置。核壳量子点具有大于或等于0.3的克消光系数、在450nm处具有正的微分系数值的紫外‑可见吸收光谱曲线,其中,核壳量子点包括半导体纳米晶体核和设置在半导体纳米晶体核上的半导体纳米晶体壳,半导体纳米晶体核包括铟和磷以及可选的锌,壳包括锌、硒和硫,其中,核壳量子点具有大于或等于大约80%的量子效率,并且被构造为在激发时发射绿光。
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公开(公告)号:CN119505883A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411082677.4
申请日:2024-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体纳米颗粒、其制造方法以及包括其的复合物、颜色转换结构和电子装置。所述半导体纳米颗粒包括银、铟、镓和硫,其中,半导体纳米颗粒被构造为发射绿光,其中,半导体纳米颗粒具有如等式1定义的大于或等于约0.25且小于或等于约0.9的锌的相对摩尔值:等式1锌的相对摩尔值=[Zn]/([Ag]+[In]+[Ga]+[Zn])其中,在等式1中,[Ag]、[In]、[Ga]和[Zn]分别是半导体纳米颗粒中的银、铟、镓和锌的摩尔量,并且其中,镓与铟的摩尔比大于约2.5:1且小于约5.6:1。
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公开(公告)号:CN115011344A
公开(公告)日:2022-09-06
申请号:CN202210216608.2
申请日:2022-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/88 , G02B5/20 , G02B5/22 , G02F1/1335 , G09F9/30
Abstract: 提供了一种颜色转换面板、发光纳米结构的群和墨组合物。颜色转换面板包括颜色转换层,颜色转换层包括两个或更多个颜色转换区域以及可选的限定颜色转换层的区域的分隔壁。颜色转换区域包括对应于绿色像素的第一区域,第一区域包括第一复合物,第一复合物被构造为发射绿光并包含基质和分散在基质中的多个发光纳米结构。发光纳米结构包括包含III‑V族化合物的第一半导体纳米晶体和包含锌硫属化物的第二半导体纳米晶体,III‑V族化合物包括铟、磷和可选的锌,锌硫属化物包括锌、硒和硫。发光纳米结构不包括镉,并且发光纳米结构的表面的至少一部分包括第二半导体纳米晶体。发射的绿光具有小于或等于约42nm的最大发光峰的半峰全宽。
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公开(公告)号:CN112778999B
公开(公告)日:2025-04-08
申请号:CN202011238165.4
申请日:2020-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C08L33/02 , C08K3/32 , C08K3/30 , G03F7/004 , G03F7/027 , G09F9/33 , G02F1/13357
Abstract: 公开了量子点‑聚合物复合物、制造核‑壳量子点的方法和包括包含量子点‑聚合物复合物的发光元件的显示装置,该量子点‑聚合物复合物包括聚合物基质以及分散在聚合物基质中的核‑壳量子点,其中,核‑壳量子点包括半导体纳米晶体核和设置在半导体纳米晶体核上的半导体纳米晶体壳,半导体纳米晶体核包括铟、锌和磷,半导体纳米晶体壳包括锌、硒和硫,核‑壳量子点不包括镉,核‑壳量子点被构造为发射绿光,核‑壳量子点具有大于或等于大约0.75:1的磷与铟的摩尔比,核‑壳量子点具有大于或等于大约35:1的锌与铟的摩尔比。
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公开(公告)号:CN112094637A
公开(公告)日:2020-12-18
申请号:CN202010560246.X
申请日:2020-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种量子点以及包括该量子点的复合物和显示装置。量子点包括包含铟和磷的半导体纳米晶体核以及设置在半导体纳米晶体核上的半导体纳米晶体壳,半导体纳米晶体壳包含锌、硒和硫,其中,量子点不包括镉,其中,量子点在绿光波长区域中具有最大光致发光峰,其中,在量子点的紫外‑可见(UV‑Vis)吸收光谱中,450nm处的吸收值与第一吸收峰处的吸收值的比率A450/Afirst大于或等于大约0.7,并且由下面的等式定义的谷深(VD)大于或等于大约0.4:(Absfirst‑Absvalley)/Absfirst=VD其中,Absfirst和Absvalley与说明书中定义的相同。
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