公开(公告)号：CN101974335B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201010269829.3

申请日：2004-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张银珠 ,  田信爱 ,  成响淑

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/56 ,  H01L51/56

CPC classification number: C01B19/007 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C09C1/10 ,  C09C1/12 ,  C09C1/38 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  C30B7/00 ,  C30B29/605 ,  C30B33/00 ,  H01L51/502 ,  H05B33/14 ,  Y10S438/962

Abstract: 一种改善半导体纳米晶体发光效率的方法，通过用还原剂表面处理改善发光效率和量子效率，不改变纳米晶体的发光特性例如发光波长和其分布。

公开(公告)号：CN101974335A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010269829.3

申请日：2004-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张银珠 ,  田信爱 ,  成响淑

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/56 ,  H01L51/56

CPC classification number: C01B19/007 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C09C1/10 ,  C09C1/12 ,  C09C1/38 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  C30B7/00 ,  C30B29/605 ,  C30B33/00 ,  H01L51/502 ,  H05B33/14 ,  Y10S438/962

Abstract: 一种改善半导体纳米晶体发光效率的方法，通过用还原剂表面处理改善发光效率和量子效率，不改变纳米晶体的发光特性例如发光波长和其分布。

公开(公告)号：CN1595673A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410078547.X

申请日：2004-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张银珠 ,  田信爱 ,  成响淑

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H05B33/00

CPC classification number: C01B19/007 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C09C1/10 ,  C09C1/12 ,  C09C1/38 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  C30B7/00 ,  C30B29/605 ,  C30B33/00 ,  H01L51/502 ,  H05B33/14 ,  Y10S438/962

Abstract: 一种改善半导体纳米晶体发光效率的方法，通过用还原剂表面处理改善发光效率和量子效率，不改变纳米晶体的发光特性例如发光波长和其分布。