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公开(公告)号：CN101503620A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910009668.1
申请日：2009-02-02
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 宋在爀 , 宋有美 , 金润昶 , 朴度炯 , 刘容赞 , 许京宰 , 崔益圭 , 宋美兰 , 权善英 , 李贤德 , 金志贤 , 徐真亨 , 权旋和 , 金志炫 , 金珉周 , 李泳勋 , 金荣基
CPC classification number: C09K11/7774 , C09K11/7721 , H01J11/12 , H01J11/42
Abstract: 本发明涉及荧光粉组合物和包括其的显示装置。该荧光粉组合物包括由式1表示的第一荧光粉。在式1中，M′包括Sc、In和La的至少一种，M"包括Ga、Sc和In的至少一种，并且x、y、k和a满足关系：0.0≤x＜3.0，0.0＜y≤7.0，0.0＜k＜0.1，4.0≤a≤7.0，a－y≥0.0和x+k≤3.0。 Y3－x－kCekM′xAla－yM"yO(1.5a+4.5)(1)。
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公开(公告)号：CN111613622A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201911241565.8
申请日：2019-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件可以包括交替地堆叠的多个字线结构和多个绝缘膜。所述多个字线结构和所述多个绝缘膜的侧面限定了延伸穿过所述多个字线结构和所述多个绝缘膜的沟道孔的侧面。所述器件还可以包括位于所述沟道孔的侧面上的阻挡介电膜，以及位于所述阻挡介电膜且分别位于所述多个字线结构的侧面上的多个电荷存储膜。所述多个电荷存储膜中的每一个电荷存储膜可以包括顺序地堆叠在所述多个字线结构的侧面中的相应侧面上的第一电荷存储膜和第二电荷存储膜。所述第二电荷存储膜的表面可以在其中间部分包括凹部。
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公开(公告)号：CN101165903B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200710181854.4
申请日：2007-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/26586 , H01L27/115 , H01L27/11524
Abstract: 非易失性存储器件包括在半导体衬底上的串选择栅极和地选择栅极，以及在串选择栅极和地选择栅极之间的衬底上的多个存储单元栅极。在多个存储单元栅极中的各个存储单元栅极之间，第一杂质区延伸到衬底中直至第一深度。在串选择栅极和与其紧邻的多个存储单元栅极中的第一个存储单元栅极之间、以及地选择栅极和与其紧邻的多个存储单元栅极中的最后一个存储单元栅极之间，第二杂质区延伸到衬底中直至大于第一深度的第二深度。还说明了相关制造方法。
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公开(公告)号：CN101022126B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200710006266.7
申请日：2007-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L27/04 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/82 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11541
Abstract: 本发明的实施例提供一种半导体器件及制造该半导体器件的相关方法。在一个实施例中，本发明提供一种半导体器件，包括具有下硅图形和上硅图形并且设置在半导体衬底的有源区上的第一栅电极，其中上硅图形具有与下硅图形相同的晶体结构，并且由器件隔离层限定有源区。半导体器件还包括设置在有源区和第一栅电极之间的栅绝缘层。
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公开(公告)号：CN101165903A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710181854.4
申请日：2007-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/26586 , H01L27/115 , H01L27/11524
Abstract: 非易失性存储器件包括在半导体衬底上的串选择栅极和地选择栅极，以及在串选择栅极和地选择栅极之间的衬底上的多个存储单元栅极。在多个存储单元栅极中的各个存储单元栅极之间，第一杂质区延伸到衬底中直至第一深度。在串选择栅极和与其紧邻的多个存储单元栅极中的第一个存储单元栅极之间、以及地选择栅极和与其紧邻的多个存储单元栅极中的最后一个存储单元栅极之间，第二杂质区延伸到衬底中直至大于第一深度的第二深度。还说明了相关制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101022126A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200710006266.7
申请日：2007-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L27/04 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/82 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11541
Abstract: 本发明的实施例提供一种半导体器件及制造该半导体器件的相关方法。在一个实施例中，本发明提供一种半导体器件，包括具有下硅图形和上硅图形并且设置在半导体衬底的有源区上的第一栅电极，其中上硅图形具有与下硅图形相同的晶体结构，并且由器件隔离层限定有源区。半导体器件还包括设置在有源区和第一栅电极之间的栅绝缘层。
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公开(公告)号：CN1885559A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610090831.8
申请日：2006-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
Abstract: 提供一种具有不对称的栅电极结构和反转T形浮栅的选择晶体管的存储晶体管及其形成方法。邻近于存储晶体管的选择晶体管的栅电极具有基本上反转的T形图，而与存储晶体管相对的选择晶体管的栅电极近似具有箱形图。为了用反转T形状形成存储晶体管的浮栅，当打开用于存储晶体管的区域时，用于选择晶体管的区域被闭合。
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公开(公告)号：CN100595925C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200610101580.9
申请日：2006-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 一种NAND闪存器件，包括半导体衬底、字线、第一和第二选择线、隧道绝缘层和选择栅绝缘层。半导体衬底包括存储晶体管区和选择晶体管区。字线排列在半导体衬底的存储晶体管区，以及选择线排列在半导体衬底的选择晶体管区。隧道绝缘层插入字线和半导体衬底之间，以及选择栅绝缘层插入选择线和半导体衬底之间，并具有比隧道氧化物层更薄的厚度。同样，选择栅绝缘层在其中心区域具有比其边缘部分更薄的厚度。
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公开(公告)号：CN1905214A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610107584.8
申请日：2006-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/788 , H01L27/105 , H01L21/336 , H01L21/8239
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括横跨半导体衬底的有源区形成的浮置栅，以及在浮置栅上形成的控制栅电极。在浮置栅和有源区之间形成绝缘图形，使得绝缘图形接触浮置栅的底边缘和侧壁。
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公开(公告)号：CN1885559B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200610090831.8
申请日：2006-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
Abstract: 提供一种具有不对称的栅电极结构和反转T形浮栅的选择晶体管的存储晶体管及其形成方法。邻近于存储晶体管的选择晶体管的栅电极具有基本上反转的T形图，而与存储晶体管相对的选择晶体管的栅电极近似具有箱形图。为了用反转T形状形成存储晶体管的浮栅，当打开用于存储晶体管的区域时，用于选择晶体管的区域被闭合。
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