公开(公告)号：CN1913132B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200610106896.7

申请日：2006-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑炅 ,  崔定爀

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

Abstract: 在用于制造半导体器件的方法中，顺序地在衬底上提供氧化物层、第一多晶硅层、以及第二多晶硅层。在第二多晶硅层上提供第一硬掩模图形。使用第一硬掩模图形作为掩模，构图氧化物层、第一多晶硅层和第二多晶硅层，以形成包括氧化物图形、第一多晶硅图形和第二多晶硅图形的下栅结构。蚀刻下栅结构，以提供下栅结构的侧壁上的氧化层。在包括氧化层的下栅结构上提供绝缘层。除去第一硬掩模图形，以在绝缘层中形成第一开口，该第一开口露出第二多晶硅图形。在第二多晶硅图形上的第一开口中形成金属图形，该第二多晶硅图形具有其侧壁上的氧化层。

公开(公告)号：CN100595925C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200610101580.9

申请日：2006-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在爀 ,  崔定爀

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种NAND闪存器件，包括半导体衬底、字线、第一和第二选择线、隧道绝缘层和选择栅绝缘层。半导体衬底包括存储晶体管区和选择晶体管区。字线排列在半导体衬底的存储晶体管区，以及选择线排列在半导体衬底的选择晶体管区。隧道绝缘层插入字线和半导体衬底之间，以及选择栅绝缘层插入选择线和半导体衬底之间，并具有比隧道氧化物层更薄的厚度。同样，选择栅绝缘层在其中心区域具有比其边缘部分更薄的厚度。

公开(公告)号：CN101022126B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200710006266.7

申请日：2007-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在爀 ,  崔定爀 ,  李云京

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L27/04 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11541

Abstract: 本发明的实施例提供一种半导体器件及制造该半导体器件的相关方法。在一个实施例中，本发明提供一种半导体器件，包括具有下硅图形和上硅图形并且设置在半导体衬底的有源区上的第一栅电极，其中上硅图形具有与下硅图形相同的晶体结构，并且由器件隔离层限定有源区。半导体器件还包括设置在有源区和第一栅电极之间的栅绝缘层。

公开(公告)号：CN101022126A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200710006266.7

申请日：2007-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在爀 ,  崔定爀 ,  李云京

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L27/04 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11541

Abstract: 本发明的实施例提供一种半导体器件及制造该半导体器件的相关方法。在一个实施例中，本发明提供一种半导体器件，包括具有下硅图形和上硅图形并且设置在半导体衬底的有源区上的第一栅电极，其中上硅图形具有与下硅图形相同的晶体结构，并且由器件隔离层限定有源区。半导体器件还包括设置在有源区和第一栅电极之间的栅绝缘层。

公开(公告)号：CN1885559A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610090831.8

申请日：2006-06-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李云京 ,  崔定爀 ,  李东濬 ,  宋在爀

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

Abstract: 提供一种具有不对称的栅电极结构和反转T形浮栅的选择晶体管的存储晶体管及其形成方法。邻近于存储晶体管的选择晶体管的栅电极具有基本上反转的T形图，而与存储晶体管相对的选择晶体管的栅电极近似具有箱形图。为了用反转T形状形成存储晶体管的浮栅，当打开用于存储晶体管的区域时，用于选择晶体管的区域被闭合。

公开(公告)号：CN1909211A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610108455.0

申请日：2006-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴凤泰 ,  崔定爀

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11543

Abstract: 制造非易失性存储器件的方法，包括在包括第一区和第二区的半导体衬底上形成沟槽掩模图形。使用沟槽掩模图形作为掩模，在第一区和第二区中的半导体衬底中形成限定有源区的衬底沟槽。在包括沟槽掩模图形和衬底沟槽的半导体衬底上形成器件隔离层图形。器件隔离图形填充第一区和第二区中的衬底沟槽。通过除去沟槽掩模图形，形成第一和第二开口，露出在第一和第二区中的相应有源区的顶表面。第二开口具有比第一开口更大的宽度。在第一开口中形成第一下导电图形，具有在第一开口的下部区中的底部分和从底部分延伸到第一开口的上部区的延伸部分。延伸部分具有比底部分更小的宽度。形成填充第二开口的第二下导电图形。

公开(公告)号：CN1092548A

公开(公告)日：1994-09-21

申请号：CN94100839.8

申请日：1994-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐康德 ,  金镇祺 ,  崔定爀

IPC: G11C14/00 ,  H01L27/112

CPC classification number: G11C16/16 ,  G11C16/12

Abstract: 一种在编程时不必给未选位线加上高的编程禁止电压就能缩小芯片面积和功耗、防止过编程的非易失性半导体存贮器。在块擦除操作中，令被选存贮块的字线处于参考电压，而令未选字线处于浮动态，给衬底加上擦除电压，则处于浮动态的字线就会自动防止通过电容耦合上述擦除电压而被擦除。

公开(公告)号：CN1909211B

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200610108455.0

申请日：2006-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴凤泰 ,  崔定爀

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11543

Abstract: 制造非易失性存储器件的方法，包括在包括第一区和第二区的半导体衬底上形成沟槽掩模图形。使用沟槽掩模图形作为掩模，在第一区和第二区中的半导体衬底中形成限定有源区的衬底沟槽。在包括沟槽掩模图形和衬底沟槽的半导体衬底上形成器件隔离层图形。器件隔离图形填充第一区和第二区中的衬底沟槽。通过除去沟槽掩模图形，形成第一和第二开口，露出在第一和第二区中的相应有源区的顶表面。第二开口具有比第一开口更大的宽度。在第一开口中形成第一下导电图形，具有在第一开口的下部区中的底部分和从底部分延伸到第一开口的上部区的延伸部分。延伸部分具有比底部分更小的宽度。形成填充第二开口的第二下导电图形。

公开(公告)号：CN1905214A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610107584.8

申请日：2006-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴东妍 ,  崔定爀 ,  宋在爀 ,  林种光 ,  安宰永 ,  黄棋铉 ,  金振均 ,  金泓奭

IPC: H01L29/788 ,  H01L27/105 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239

Abstract: 一种非易失性存储器件，包括横跨半导体衬底的有源区形成的浮置栅，以及在浮置栅上形成的控制栅电极。在浮置栅和有源区之间形成绝缘图形，使得绝缘图形接触浮置栅的底边缘和侧壁。

公开(公告)号：CN1885559B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200610090831.8

申请日：2006-06-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李云京 ,  崔定爀 ,  李东濬 ,  宋在爀

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

Abstract: 提供一种具有不对称的栅电极结构和反转T形浮栅的选择晶体管的存储晶体管及其形成方法。邻近于存储晶体管的选择晶体管的栅电极具有基本上反转的T形图，而与存储晶体管相对的选择晶体管的栅电极近似具有箱形图。为了用反转T形状形成存储晶体管的浮栅，当打开用于存储晶体管的区域时，用于选择晶体管的区域被闭合。