公开(公告)号：CN1885559B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200610090831.8

申请日：2006-06-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李云京 ,  崔定爀 ,  李东濬 ,  宋在爀

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

Abstract: 提供一种具有不对称的栅电极结构和反转T形浮栅的选择晶体管的存储晶体管及其形成方法。邻近于存储晶体管的选择晶体管的栅电极具有基本上反转的T形图，而与存储晶体管相对的选择晶体管的栅电极近似具有箱形图。为了用反转T形状形成存储晶体管的浮栅，当打开用于存储晶体管的区域时，用于选择晶体管的区域被闭合。

公开(公告)号：CN1885559A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610090831.8

申请日：2006-06-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李云京 ,  崔定爀 ,  李东濬 ,  宋在爀

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

Abstract: 提供一种具有不对称的栅电极结构和反转T形浮栅的选择晶体管的存储晶体管及其形成方法。邻近于存储晶体管的选择晶体管的栅电极具有基本上反转的T形图，而与存储晶体管相对的选择晶体管的栅电极近似具有箱形图。为了用反转T形状形成存储晶体管的浮栅，当打开用于存储晶体管的区域时，用于选择晶体管的区域被闭合。

公开(公告)号：CN1363998A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01143164.4

申请日：2001-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东濬

IPC: H04B1/74

CPC classification number: G06F11/2043 ,  G06F11/2038 ,  G06F11/2097

Abstract: 公开一种用于双工为第一单元和第二单元的系统中的双工方法。第一单元包括第一处理器和第一本地存储器,第二单元包括第二处理器和第二本地存储器。根据本发明的该方法包括步骤:提供一双工信道,用于在第一单元和第二单元之间并行地并有选择地访问第一本地存储器和第二本地存储器;提供一双工控制逻辑部分,用于通过双工信道访问第一本地存储器和第二本地存储器;以及根据激活的处理器对存储器访问的请求,由双工控制逻辑部分通过双工信道并行地访问第一本地存储器和第二本地存储器,所述激活的处理器是第一处理器或第二处理器。