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公开(公告)号:CN104011174B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201280064687.4
申请日:2012-10-12
申请人: 松下电器产业株式会社
发明人: 大盐祥三
IPC分类号: C09K11/83
CPC分类号: C09K11/7795 , H01J11/42 , Y10T428/2982
摘要: 本发明提供一种发光特性优异、在工业生产方面也优选的稀土类磷钒酸盐荧光体及其制造方法。稀土类磷钒酸盐荧光体至少包含在粒子表面形成有具备相互平行的多个脊线的线状的凹凸花纹的一次粒子。此外,稀土类磷钒酸盐荧光体的制造方法包含:在生成稀土类磷钒酸盐荧光体与碱金属的钒酸盐的混合物之后,除去碱金属的钒酸盐。
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公开(公告)号:CN102203896B
公开(公告)日:2014-04-02
申请号:CN200980143745.0
申请日:2009-08-28
申请人: 宇部材料工业株式会社
CPC分类号: H01J11/42 , C09K11/574 , C09K11/7734 , C09K11/778 , H01J11/12 , H01J11/40
摘要: 本发明是一种发光性叠层体,其是在基体上形成有荧光体层的发光性叠层体,该荧光体层包括被处在230~260nm的波长范围内的紫外光激发而显示出可见光的发光的荧光体,其中,(1)在该荧光体层之下形成有包括由Xe气放电而产生的紫外光所激发而发出在230~260nm的波长范围内具有峰的紫外光的氧化镁烧成物粉末的波长变换层、或者(2)在该荧光体层添加有由Xe气放电而产生的紫外光所激发而发出在230~260nm的波长范围内具有峰的紫外光的氧化镁烧成物粉末、或者(3)在该荧光体层上形成有包括由Xe气放电而产生的紫外光所激发而发出在230~260nm的波长范围内具有峰的紫外光的氧化镁烧成物粉末的荧光体保护层。
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公开(公告)号:CN103108843A
公开(公告)日:2013-05-15
申请号:CN201180046359.7
申请日:2011-11-04
申请人: 达泰豪化学工业株式会社
发明人: 大崎善久
CPC分类号: H05B33/145 , C01F5/06 , C01F5/08 , C01P2004/51 , C04B35/053 , C04B2235/3201 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3289 , C04B2235/3291 , C04B2235/3293 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/442 , C04B2235/443 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/449 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/661 , C09K11/616 , H01J11/42 , H01J29/20
摘要: 提供不论氟含量小于100ppm,具有与含有大于100ppm的氟的氧化镁同等程度以上的紫外光发光强度的含氟氧化镁发光体。是基于由电子束或紫外线引起的激发在200~300nm紫外线区域具有发光峰的氧化镁发光体,相对于氧化镁的氟含量小于100ppm,且发光峰相对于激光灯的反射峰(波长为980nm附近)的强度比为20以上。该发光体是在氧化镁前躯体中,以氟相对于镁为0.06~1.25mol%的量添加氟化合物并烧成,而且暂时冷却后通过再次烧成而得到的。
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公开(公告)号:CN101341229B
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN200680043737.5
申请日:2006-01-13
申请人: 株式会社日立制作所
CPC分类号: C09K11/7774 , C09K11/595 , C09K11/7734 , C09K11/7792 , H01J11/12 , H01J11/42
摘要: 本发明提供一种绿色荧光体和等离子体显示面板。该绿色荧光体的特征在于:由式(A1-xTbx)a(B1-yMny)bCcOb+15(a+c)(式中,A包括La和Yb、Gd或两者,B由选自Mg、Zn、Sc、V、Cr、Co、Ni、Cu、In、Zr、Nb、Ta、Mo、Sn中的至少一种构成,C由选自Al、B、Ga、Si、P、Ti、Fe、B、Ge中的至少一种构成,0≤x≤1,0≤y≤1,0.8≤a≤1.2,0<b≤1.5,8≤c≤30)表示,具有磁铁铅矿型的结晶结构。
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公开(公告)号:CN101527241B
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN200810166455.5
申请日:2008-10-09
申请人: 株式会社日立制作所
CPC分类号: H01J11/42 , C09K11/7734 , H01J11/12
摘要: 本发明在采用荧光体所构成的等离子显示屏装置中,使可靠性及色再现性得到提高。本发明涉及等离子显示装置,其特征在于,等离子显示屏(100),具有:通过放电发生紫外线的放电气体以及含有通过紫外线而激发发光的荧光体的荧光体层(10),上述荧光体是在以下列通式(1)表示的Eu赋活硅酸盐类荧光体中,含有选自Al、Ga、Y以及Gd中的一种以上元素作为添加元素而构成的荧光体:M13-yM2Si2O8:Euy(1)式中,M1为选自Ba、Ca、以及Sr中的1种以上的元素,M2为选自Mg以及Zn中的1种以上的元素,y为0.001≦y≦0.2。
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公开(公告)号:CN101689458B
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN200780053637.5
申请日:2007-12-31
申请人: LG电子株式会社
CPC分类号: H01J11/44 , H01J11/12 , H01J11/42 , H01J2211/26 , H01J2211/444 , H05B33/14
摘要: 本发明涉及一种等离子体显示板。该等离子体显示板包括:前基板;后基板,其被设置为与所述前基板相对;间隔壁,其位于所述前基板与所述后基板之间并对放电单元进行分隔;以及荧光体层,其位于所述放电单元内部。该荧光体层包括发射红光的第一荧光体层、发射蓝光的第二荧光体层和发射绿光的第三荧光体层。所述第一荧光体层包括具有白基色的第一荧光体材料和红色颜料。所述红色颜料的含量在重量上占0.01到5份。
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公开(公告)号:CN1761021B
公开(公告)日:2011-10-19
申请号:CN200510112757.0
申请日:2005-10-12
申请人: 三星SDI株式会社
CPC分类号: H01J11/42 , H01J11/12 , H01J11/36 , H01J2211/444
摘要: 一种等离子体显示面板(PDP),包括:第一基板;第二基板,平行于第一基板排列;隔壁,位于第一基板和第二基板之间;沟槽,形成在隔壁上;防反射层,形成在沟槽上,减小显示区中的反射亮度。
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公开(公告)号:CN101916704A
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:CN201010157259.9
申请日:2005-10-05
申请人: 松下电器产业株式会社
摘要: 本发明提供一种PDP和能够简单地制造该PDP的制造方法,即使提高针对放电气体中的总压力的Xe分压比例,在初始化期间可稳定地产生弱放电,降低放电开始电压,抑制初始化亮点的产生,提高图像质量,并且,抑制发光效率的降低,抑制亮度的降低,提高亮度。本发明的PDP具有在前面面板域背面面板之间开设有放电空间的状态下对置配置的结构。并且,在背面面板的放电空间侧的区域形成有荧光体层,在其表面的部分区域上形成作为高γ部的荧光体保护膜。荧光体保护膜由二次电子发射系数γ比构成荧光体层的荧光体材料高的材料构成。荧光体层的表面的一部分被荧光体保护膜覆盖,其他部分为面对放电空间的状态。
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公开(公告)号:CN101790769A
公开(公告)日:2010-07-28
申请号:CN200880024419.3
申请日:2008-04-15
申请人: 松下电器产业株式会社
IPC分类号: H01J11/02
摘要: 本发明提供一种等离子体显示面板,它通过对荧光体层进行改质来抑制初始化亮点的发生,同时消除各色放电单元间的放电特性的差异,可望发挥优异的图像显示性能。提供除了解决上述存在问题外,在前面板侧也利用在放电空间发生的紫外线发光,促进可见光发光的发生,可望提高辉度的等离子体显示面板。具体地说,如下所述构成,即荧光体层(14)通过配设荧光体成分和氧化镁微粒群(16)而构成,上述氧化镁微粒群(16)主要配设在该荧光体层,为赋予二次电子发射特性而露出于层的内部以及面临放电空间的表面(140)。氧化镁微粒群(16)由具有以下结晶构造的氧化镁微粒(16a~16d)构成,该结构造是被由(100)面及(111)面构成的特定的2种取向面、或由(100)面、(110)面、(111)面构成的特定的3种取向面包围的结晶结构。
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