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公开(公告)号：CN119677099A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411261804.7
申请日：2024-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；位线，所述位线在所述衬底上沿第一方向延伸；位于所述位线上的第一垂直沟道图案和第二垂直沟道图案；背栅电极，所述背栅电极位于所述第一垂直沟道图案与所述第二垂直沟道图案之间并且跨越所述位线在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸；第一字线，所述第一字线从所述第一垂直沟道图案的一侧在所述第二方向上延伸；第二字线，所述第二字线从所述第二垂直沟道图案的另一侧在所述第二方向上延伸；以及接触图案，所述接触图案连接到所述第一垂直沟道图案和所述第二垂直沟道图案中的每一者。当从截面图观察时，所述第一垂直沟道图案和所述第二垂直沟道图案中的每一者呈长边彼此面向的梯形形状。
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公开(公告)号：CN118738051A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410345647.1
申请日：2024-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金真范
IPC: H01L27/088 , H01L23/528 , H01L23/48 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；鳍型有源图案，在衬底的第一表面上；栅极结构，与鳍型有源图案相交；源/漏区，在鳍型有源图案上在栅极结构的一侧；接触结构，连接到源/漏区；掩埋导电结构，电连接到接触结构，并且在垂直于第一表面的方向上延伸；以及导电贯通结构，从衬底的第二表面朝向衬底的第一表面延伸，并且与掩埋导电结构接触，导电贯通结构在与第一表面相邻的高度处具有第一宽度，该第一宽度比与第二表面相邻的高度处的第二宽度窄。
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公开(公告)号：CN118448442A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410125966.1
申请日：2024-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金真范
IPC: H01L29/423 , H01L23/528
Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：基板，包括第一面和与第一面相反的第二面；有源图案，在第一面上并且在第一方向上延伸；蚀刻停止层，沿着基板的第一面延伸并且不沿着有源图案的侧面延伸；场绝缘膜，在第一面上并且覆盖有源图案的侧面的至少一部分；栅极结构，在有源图案和场绝缘膜上沿与第一方向交叉的第二方向延伸；贯穿接触，在与第一方向和第二方向交叉的第三方向上延伸并且穿透场绝缘膜和蚀刻停止层；掩埋图案，在基板内部连接到贯穿接触；以及背面布线结构，在第二面上并且电连接到掩埋图案。
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公开(公告)号：CN118053894A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311492014.5
申请日：2023-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/04 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，在基底上在第一方向上延伸；沟道层，布置在有源图案上；栅极结构，与有源图案交叉并且围绕所述多个沟道层，栅极结构在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及源极/漏极区，在栅极结构的两侧设置在有源图案上并且包括第一外延层和第二外延层，第一外延层连接到多个沟道层的侧表面中的每个，第二外延层设置在第一外延层上并且具有与第一外延层的组成不同的组成。所述多个沟道层的侧表面中的每个具有(111)晶面或(100)晶面。第一外延层在第二方向上延伸并且在第一方向上具有基本上恒定的第一厚度。
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公开(公告)号：CN117276322A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310677619.5
申请日：2023-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 一种具有改进的性能和可靠性的半导体器件。半导体器件可以包括在第一方向上延伸的下部图案以及在垂直于第一方向的第二方向上与下部图案间隔开的多个片状图案。多个栅极结构可以在下部图案上并且在第一方向上间隔开，源极/漏极图案可以包括半导体衬垫膜和在半导体衬垫膜上的半导体填充膜。由半导体衬垫膜的内表面限定的衬垫凹陷可以包括多个宽度延伸区域，并且随着在第二方向上距下部图案的上表面的距离增大，每个宽度延伸区域在第一方向上的宽度可以增大然后减小。
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公开(公告)号：CN115911044A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210442733.5
申请日：2022-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：有源图案，设置在衬底上并且沿第一方向延伸；一对源/漏极图案，设置在有源图案上并且在第一方向上彼此间隔开；多个沟道层，在一对源/漏极图案之间在有源图案上竖直地堆叠并且彼此间隔开；栅电极，在一对源/漏极图案之间沿第二方向延伸，栅电极设置在有源图案上并且围绕多个沟道层，并且第二方向与第一方向相交；以及栅极间隔物，设置在多个沟道层之间并且设置在栅电极与一对源/漏极图案之间。栅极间隔物包括交替地堆叠在一对源/漏极图案的侧壁上的多个第一间隔物图案和多个第二间隔物图案。
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公开(公告)号：CN114823509A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111286592.4
申请日：2021-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 公开了一种集成电路(IC)装置。所述集成电路(IC)装置包括：鳍型有源区，在基底上沿第一横向方向延伸；栅极线，在鳍型有源区上沿第二横向方向延伸；绝缘间隔件，覆盖栅极线的侧壁；源极/漏极区，位于与栅极线相邻的位置处；金属硅化物膜，覆盖源极/漏极区的顶表面；以及源极/漏极接触件，在第一横向方向上与栅极线分开并且绝缘间隔件位于源极/漏极接触件与栅极线之间。源极/漏极接触件包括与金属硅化物膜的顶表面接触的底接触段和一体地连接到底接触段的上接触段。在第一横向方向上底接触段的宽度大于上接触段的至少一部分的宽度。
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公开(公告)号：CN114122116A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110947599.X
申请日：2021-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源区，在基底上沿第一方向延伸；沟道层，在有源区上彼此竖直间隔开；栅极结构，沿第二方向延伸并且与有源区相交，栅极结构围绕沟道层；源区/漏区，位于有源区上并且与沟道层接触；以及接触插塞，连接到源区/漏区，其中，源区/漏区包括：第一外延层，位于沟道层的侧表面上并且包括第一杂质；第二外延层，位于第一外延层上并且包括第一杂质和第二杂质；以及第三外延层，位于第二外延层上并且包括第一杂质，并且在水平剖视图中，第二外延层包括具有在第一方向上的沿着第二方向增大的厚度的外围部分。
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公开(公告)号：CN107039507B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201611034830.1
申请日：2016-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件可以包括第一有源鳍、多个第二有源鳍、第一源/漏极层结构以及第二源/漏极层结构。第一有源鳍可以在基板的第一区域上。第二有源鳍可以在基板的第二区域上。第一栅结构和第二栅结构可以分别在第一有源鳍和第二有源鳍上。第一源/漏极层结构可以在第一有源鳍的与第一栅结构相邻的部分上。第二源/漏极层结构可以共同地接触第二有源鳍的邻近于第二栅结构的上表面，第二源/漏极层结构的顶表面可以比第一源/漏极层状结构的顶表面到基板的表面更远离基板的表面。
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