公开(公告)号：CN119947085A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202410930454.2

申请日：2024-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真范 ,  南大镇 ,  朴孝真 ,  孙秀旼 ,  杨贵福 ,  李炅奎 ,  赵仁海

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括器件隔离图案和有源区；位线，所述位线在所述衬底上在第一方向上延伸；半导体图案，所述半导体图案位于所述位线上；生长掩模层，所述生长掩模层位于所述位线上并具有与所述半导体图案接触的侧壁；字线，所述字线位于所述位线上并在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及栅极电介质图案，所述栅极电介质图案位于所述字线和所述半导体图案之间。所述生长掩模层的顶表面处于高于所述半导体图案的底表面的高度的高度处。

公开(公告)号：CN119677099A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411261804.7

申请日：2024-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张诚桓 ,  崔元熙 ,  金真范 ,  南大镇 ,  朴孝真 ,  张星旭

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；位线，所述位线在所述衬底上沿第一方向延伸；位于所述位线上的第一垂直沟道图案和第二垂直沟道图案；背栅电极，所述背栅电极位于所述第一垂直沟道图案与所述第二垂直沟道图案之间并且跨越所述位线在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸；第一字线，所述第一字线从所述第一垂直沟道图案的一侧在所述第二方向上延伸；第二字线，所述第二字线从所述第二垂直沟道图案的另一侧在所述第二方向上延伸；以及接触图案，所述接触图案连接到所述第一垂直沟道图案和所述第二垂直沟道图案中的每一者。当从截面图观察时，所述第一垂直沟道图案和所述第二垂直沟道图案中的每一者呈长边彼此面向的梯形形状。

公开(公告)号：CN118201353A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311380538.5

申请日：2023-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔元熙 ,  南大镇 ,  张星旭

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种集成电路装置包括：衬底，其具有有源区；字线，其在第一水平方向上在衬底中延伸；位线，其在第二水平方向上在字线上延伸；直接接触件，其将位线电连接至有源区；掺杂接触件，其将直接接触件连接至有源区；单元焊盘，其具有大于有源区的水平宽度的水平宽度；埋置接触件，其深入至单元焊盘的一个侧壁中；以及导电着陆焊盘，其在第一水平方向上面对位线。掺杂接触件包括第一掺杂接触件和第二掺杂接触件，并且第一掺杂接触件在竖直方向上的厚度小于第二掺杂接触件在竖直方向上的厚度。

公开(公告)号：CN117596870A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310991195.X

申请日：2023-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南大镇 ,  李宝廪 ,  李公洙 ,  张星旭

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括有源图案；导电填充图案，所述导电填充图案位于所述有源图案的上部的杂质区域上；第一间隔物和第二间隔物，所述第一间隔物和所述第二间隔物在水平方向上堆叠在所述导电填充图案的侧壁上；以及位线结构，所述位线结构位于所述导电填充图案上。所述杂质区域可以包括杂质。所述水平方向可以平行于所述衬底的上表面。所述第一间隔物可以包括包含所述杂质的绝缘材料。