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公开(公告)号：CN117596870A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310991195.X
申请日：2023-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括有源图案；导电填充图案，所述导电填充图案位于所述有源图案的上部的杂质区域上；第一间隔物和第二间隔物，所述第一间隔物和所述第二间隔物在水平方向上堆叠在所述导电填充图案的侧壁上；以及位线结构，所述位线结构位于所述导电填充图案上。所述杂质区域可以包括杂质。所述水平方向可以平行于所述衬底的上表面。所述第一间隔物可以包括包含所述杂质的绝缘材料。
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