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公开(公告)号：CN117651417A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311121884.1
申请日：2023-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/30 , G11C11/4093 , G11C11/4094 , G11C11/4097 , H10B43/35 , H10B43/20 , H10B43/10 , H10B63/00 , H10B41/10 , H10B41/20 , H10B41/30 , H10B41/35
Abstract: 半导体装置包括：第一导电板结构和第二导电板结构，第一导电板结构和第二导电板结构在半导体芯片上布置在相同的竖直水平处，并且在半导体芯片上彼此水平地间隔开；第一结构，其位于第一导电板结构上并且包括第一分离结构和第一存储器块；以及第二结构。其位于第二导电板结构上并且包括第二分离结构和第二存储器块。第一存储器块通过第一分离结构彼此间隔开，并且在第一水平方向上彼此平行地延伸。第二存储器块通过第二分离结构彼此间隔开，并且在第二水平方向上彼此平行地延伸。第一水平方向和第二水平方向平行于第一导电板结构的上表面并且彼此垂直。
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公开(公告)号：CN117500274A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310713454.2
申请日：2023-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了非易失性存储器装置和包括其的存储器系统。垂直集成的非易失性存储器装置包括：外围电路结构，其中具有外围电路；以及单元阵列结构，接合到外围电路结构，并且其中具有单元区域和连接区域。单元区域包括在连接区域中交替堆叠的多个栅电极和多个绝缘层。多个栅电极包括具有阶梯形状的单元堆叠件、被配置为穿过单元区域中的单元堆叠件的多个电容器芯接触结构、以及在连接区域中连接到多个栅电极的多个电容器栅极接触结构。多个电容器芯接触结构中的每个包括(i)电连接到外围电路的第一芯导体和(ii)在第一芯导体与多个栅电极之间延伸的第一覆盖绝缘层，并且构成电容器，在电容器中，第一芯导体、第一覆盖绝缘层和多个栅电极连接到外围电路。
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公开(公告)号：CN117412600A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310516799.9
申请日：2023-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体装置和电子系统，半导体装置包括第一衬底上的外围电路结构、外围电路结构上的单元阵列结构和单元阵列结构上的背侧结构。该单元阵列结构包括：堆叠结构，其包括交替堆叠的栅电极和层间电介质层；穿通插塞，其在第一方向上延伸穿过堆叠结构，并且每个穿通插塞包括与背侧结构相邻的第一表面和与第一表面相对的第二表面；中间电路结构，其位于堆叠结构和外围电路结构之间，并且连接到外围电路结构；以及连接插塞，其连接到中间电路结构和背侧结构。穿通插塞包括通过第一表面连接到背侧结构的第一穿通插塞以及通过第二表面连接到中间电路结构的第二穿通插塞。
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公开(公告)号：CN117241586A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310599270.8
申请日：2023-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本公开的一些实现方式，一种半导体存储器装置包括：半导体层，所述半导体层包括第一面和第二面，所述第二面在从所述第一面到所述第二面的向上指向的第一方向上与所述第一面相反；源结构，所述源结构包括：板，所述板设置在所述半导体层的所述第二面上；以及插塞，所述插塞从所述板延伸穿过所述半导体层；多个栅电极，所述多个栅电极设置在所述半导体层的所述第一面上并且按顺序彼此堆叠；以及通道结构，所述通道结构延伸穿过所述多个栅电极并且设置在所述插塞上，其中所述通道结构电连接到所述源结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117082872A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310549503.3
申请日：2023-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体器件可以包括位于板层上的对准键。所述对准键可以包括连接到第二对准层的第一对准层。所述第一对准层可以具有在第一方向上的第一长度、在第二方向上的第二长度以及位于所述第一对准层中的气隙。所述第二对准层可以位于所述第一对准层上并且可以具有在所述第二方向上的第三长度。所述第一方向可以与所述板层的上表面垂直。所述第二长度可以小于所述第一长度。在所述第二方向上的所述第三长度可以小于在所述第二方向上的所述第二长度。
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公开(公告)号：CN116190359A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211381679.4
申请日：2022-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/488
Abstract: 公开了半导体器件和包括所述半导体器件的电子系统。一种半导体器件，包括：衬底，包括单元阵列区和连接区；电极结构，包括以交替方式堆叠的电极和介电层，多个电极中的每一个电极包括在单元阵列区上的电极部和在连接区上的焊盘部；虚设竖直结构，在连接区上并贯穿每一个电极的焊盘部；以及单元接触插塞，在连接区上并耦接到每一个电极的焊盘部。焊盘部的厚度大于电极部的厚度。焊盘部具有与电极部连接的下部和在下部上的上部。在相邻的虚设竖直结构之间，上部的宽度不小于下部的宽度。
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公开(公告)号：CN115411049A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210544364.0
申请日：2022-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11556
Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。一种半导体器件包括：具有单元区域和连接区域的基板；具有多个第一栅极层和多个第一层间绝缘层的第一堆叠结构；以及具有多个第二栅极层和多个第二层间绝缘层的第二堆叠结构。每个第一栅极层包括在基板的单元区域中的中心部分和在基板的连接区域中的端部分。每个第二栅极层包括在基板的单元区域中的中心部分和在基板的连接区域中的端部分。在每个第一栅极层的端部分和中心部分之间的厚度差不同于在每个第二栅极层的端部分和中心部分之间的厚度差。
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公开(公告)号：CN113130503A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110052912.3
申请日：2021-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11573 , H01L27/11578 , H01L27/11582
Abstract: 一种三维半导体存储器装置包括：第一衬底上的外围电路结构；外围电路结构上的第二衬底；第二衬底上的电极结构，电极结构包括堆叠的电极；以及垂直沟道结构，其贯穿电极结构。外围电路结构包括第二衬底下方的伪互连结构。伪互连结构包括堆叠的伪互连线以及将最上面的一条伪互连线的顶表面连接至第二衬底的底表面的伪过孔。
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公开(公告)号：CN112310109A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010724423.3
申请日：2020-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 提供一种半导体存储器装置及其制造方法。半导体存储器装置包括：电极结构，每个电极结构包括彼此堆叠在衬底上的水平电极；位于电极结构之间并且沿着水平电极延伸的竖直电极；在电极结构的端部处连接到水平电极的第一接触件；连接到竖直电极的上部的第二接触件；以及，连接到第二接触件的顶表面的第一互连结构。第一互连结构包括第一子互连线和第二子互连线。第一子互连线在第一方向上延伸并且接触第二接触件的顶表面。第二子互连线在与第一方向交叉的第二方向上延伸并且接触第一子互连线。
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