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公开(公告)号：CN101046723A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200610121311.9
申请日：2006-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/048
CPC classification number: G06F3/0482 , G06F3/0338 , G06F3/0362 , H04N5/4403 , H04N21/42204 , H04N21/42209 , H04N21/4222 , H04N21/4312 , H04N2005/441 , H04N2005/4414 , H04N2005/4416
Abstract: 一种使用提供的微动转盘和导航键控制用户界面的装置和方法。该方法包括在具有至少一层的菜单结构中使用微动转盘导航主菜单和使用导航键导航子菜单；以及当导航子菜单时检测到微动转盘的移动时，导航主菜单而不使用单独的按键输入。
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公开(公告)号：CN1510466A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310114770.0
申请日：2003-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G3/3648
Abstract: 本发明提供了一种液晶显示器，其包括：一个液晶平板，该液晶平板包括：包括多个开关单元的多个像素、用于发送选通信号至多个开关单元的多条选通线、和用于发送数据电压至多个像素的多条数据线；一个数据驱动器，其包括与各组数据线相连的多个数据驱动IC、接收图像数据，并将与图像数据相对应的数据电压施加到各数据线上；和一个选通驱动器，其用于施加选通信号至选通线上，其中，在数据驱动IC上施加一个接地电压和一个电源电压，并且，图像数据的电压电平相对于比电源电压低的参考电压摆动。
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公开(公告)号：CN118678661A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311351564.5
申请日：2023-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体存储器件。所述半导体存储器件包括：有源图案，所述有源图案设置在衬底上并且被器件隔离图案包围；以及字线，所述字线在与所述衬底的底表面平行的第一方向上与所述有源图案和所述器件隔离图案交叉，并且包括在所述第一方向上彼此相邻的第一栅电极和第二栅电极。所述第二栅电极的第二功函数大于所述第一栅电极的第一功函数。
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公开(公告)号：CN117881181A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311174131.7
申请日：2023-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了半导体存储器件。所述半导体存储器件包括：衬底，包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；沟槽，位于所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间并且形成在所述衬底中；单元栅极绝缘层，位于所述沟槽的侧壁和底表面上；单元栅电极，位于所述单元栅极绝缘层上；功函数控制图案，位于所述单元栅电极上，包括第一导电类型的杂质；以及单元栅极覆盖图案，位于所述功函数控制图案上。所述功函数控制图案包括半导体材料。所述功函数控制图案包括第一区域和位于所述第一区域与所述单元栅电极之间的第二区域。所述第一区域中的所述第一导电类型的杂质的浓度大于所述第二区域中的所述第一导电类型的杂质的浓度。
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公开(公告)号：CN117525021A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310963829.0
申请日：2023-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体封装包括：第一半导体芯片，包括第一基板、设置在第一基板的前表面上的多个第一焊盘、围绕所述多个第一焊盘的第一绝缘层、以及设置在第一基板和所述多个第一焊盘之间并电连接到所述多个第一焊盘的多个布线图案；以及第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片下方并包括第二基板、设置在第二基板上并接触所述多个第一焊盘的多个第二焊盘、围绕所述多个第二焊盘并接触第一绝缘层的第二绝缘层、以及穿透第二基板以连接到所述多个第二焊盘的多个贯穿电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116895621A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202211667389.6
申请日：2022-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L25/18 , H01L25/065 , H01L21/60
Abstract: 公开了半导体器件及制造其的方法。所述半导体器件包括下结构和上结构。所述下结构包括第一半导体衬底、第一焊盘和第一电介质层。所述上结构包括第二半导体衬底、第二焊盘和第二电介质层。所述上结构和所述下结构彼此接合以使得所述第一焊盘和所述第二焊盘彼此接触并且使得所述第一电介质层和所述第二电介质层彼此接触。所述第一焊盘与所述第二焊盘之间的第一界面所处的高度不同于所述第一电介质层与所述第二电介质层之间的第二界面的高度。当在所述半导体器件的俯视图中观察时，所述第一焊盘的第一面积大于所述第二焊盘的第二面积。所述第二焊盘的第二厚度与所述第一焊盘的第一厚度不同。
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公开(公告)号：CN115799215A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210811414.7
申请日：2022-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768 , H01L27/105 , H10B99/00
Abstract: 公开了一种半导体器件和制造其的方法。该半导体器件可以包括在其中具有在第一方向上延伸的凹槽的衬底、在凹槽中的栅极绝缘层、在凹槽中并且在栅极绝缘层上的第一导电图案、以及在凹槽中并且在第一导电图案上的字线盖图案。第一导电图案可以包括第一材料，并且可以包括与字线盖图案相邻的第一导电部分和与凹槽的底端相邻的第二导电部分。第一导电部分的第一材料的晶粒的最大尺寸可以等于或大于第二导电部分的第一材料的晶粒的最大尺寸。
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公开(公告)号：CN112534715A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980049751.3
申请日：2019-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及用于支持比第四代(4G)通信系统(诸如长期演进(LTE))更高的数据传输速率的第五代(5G)或预5G通信系统。本公开是为了在无线通信系统中放大发送信号，并且发送设备可以包括天线阵列(该天线阵列包括多个天线元件)、用于放大通过多个天线元件发送的信号的多个放大链、以及用于向多个放大链供应电力的电源线。这里，包括在多个放大链中的至少一个放大链中的功率放大器所使用的电力可以通过滤波或者通过独立的焊盘和支线来分隔。
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