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发明公开
半导体存储器件审中-公开

公开(公告)号：CN118678661A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202311351564.5

申请日：2023-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志勋 , 金度亨 , 金莹俊 , 金泽中 , 吴然珠 , 李在珍 , 张东珠 , 张书荧

IPC: H10B12/00 , H10B61/00 , H10B63/10 , H10B63/00

Abstract: 提供了一种半导体存储器件。所述半导体存储器件包括：有源图案，所述有源图案设置在衬底上并且被器件隔离图案包围；以及字线，所述字线在与所述衬底的底表面平行的第一方向上与所述有源图案和所述器件隔离图案交叉，并且包括在所述第一方向上彼此相邻的第一栅电极和第二栅电极。所述第二栅电极的第二功函数大于所述第一栅电极的第一功函数。

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