公开(公告)号：CN118678661A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202311351564.5

申请日：2023-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志勋 ,  金度亨 ,  金莹俊 ,  金泽中 ,  吴然珠 ,  李在珍 ,  张东珠 ,  张书荧

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10 ,  H10B63/00

Abstract: 提供了一种半导体存储器件。所述半导体存储器件包括：有源图案，所述有源图案设置在衬底上并且被器件隔离图案包围；以及字线，所述字线在与所述衬底的底表面平行的第一方向上与所述有源图案和所述器件隔离图案交叉，并且包括在所述第一方向上彼此相邻的第一栅电极和第二栅电极。所述第二栅电极的第二功函数大于所述第一栅电极的第一功函数。

公开(公告)号：CN116759449A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202211496039.8

申请日：2022-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹泰景 ,  金莹俊 ,  朴薰莹 ,  李殷沃 ,  李在珍 ,  张东珠

IPC: H01L29/423

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成限定有源区的器件隔离层，并且形成与有源区相交并掩埋在衬底中的栅极线。栅极线的形成包括：在衬底中形成与有源区交叉的沟槽，形成填充沟槽的导电层，并且对导电层执行热处理工艺。导电层包括第一金属的氮化物。导电层中的氮原子通过热处理工艺朝向导电层的侧表面和下表面扩散。