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公开(公告)号：CN103699256B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201310168079.4
申请日：2013-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/041 , G02F1/1333 , G02F1/133
CPC classification number: G06F3/0421 , G06F3/0412 , G06F3/042 , G06F3/044 , G06F2203/04106
Abstract: 一种触摸面板包括感测单元和显示单元。该感测单元包括：第一子感测单元，其响应于第一栅极线的激活而将与第一触摸变化对应的感测电流输出到感测线，并且响应于第一栅极线的去激活和第二栅极线的激活而被重置；以及第二子感测单元，其响应于第三栅极线的激活而将与不同于第一触摸变化的第二触摸变化对应的感测电流输出到感测线，并且响应于第三栅极线的去激活和第四栅极线的激活而被重置。该显示单元响应于第一到第四栅极线当中对应栅极线的激活而产生与要显示的图像数据对应的图像电压。根据向其施加图像电压或公共电压的第一电极和第二电极之间的电压差来驱动触摸面板的液晶。
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公开(公告)号：CN102968220B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201210051118.8
申请日：2012-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/042
CPC classification number: G06F3/042 , G06F3/0386 , H01L27/14679
Abstract: 本申请提供的是通过使用包括氧化物半导体晶体管的光传感器晶体管能够远程感测和触摸感测的光学触摸屏装置。所述光学触摸屏装置包括沿多个行和多个列排列的多个感测像素的像素阵列。感测像素中的每一个包括：用于感测由外部光源照射的光的光感测像素，以及用于感测通过屏幕触摸反射的显示光的触摸感测像素。所述光感测像素包括相互串联连接的第一光传感器晶体管和第一开关晶体管，所述触摸感测像素包括相互串联连接的第二光传感器晶体管和第二开关晶体管。
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公开(公告)号：CN102903723B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201210034691.8
申请日：2012-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , G06F3/042
CPC classification number: G06F3/0412 , G06F3/042
Abstract: 提供了一种感光设备、驱动感光设备的方法以及光触摸屏设备。所述感光设备中的感光像素中的光传感器晶体管由用于感测光的氧化物半导体晶体管形成，所述感光设备包括：感光像素阵列，具有按照行列布置的多个感光像素；多条栅极线，沿着行方向被布置并将栅极电压分别提供给感光像素，其中，每个感光像素包括用于感测光的光传感器晶体管和用于输出来自光传感器晶体管的感光信号的开关晶体管，布置在任意行中的感光像素的光传感器晶体管的栅极连接到布置在所述任意行之前或之后的行中的栅极线。
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公开(公告)号：CN102968220A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210051118.8
申请日：2012-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/042
CPC classification number: G06F3/042 , G06F3/0386 , H01L27/14679
Abstract: 本申请提供的是通过使用包括氧化物半导体晶体管的光传感器晶体管能够远程感测和触摸感测的光学触摸屏装置。所述光学触摸屏装置包括沿多个行和多个列排列的多个感测像素的像素阵列。感测像素中的每一个包括：用于感测由外部光源照射的光的光感测像素，以及用于感测通过屏幕触摸反射的显示光的触摸感测像素。所述光感测像素包括相互串联连接的第一光传感器晶体管和第一开关晶体管，所述触摸感测像素包括相互串联连接的第二光传感器晶体管和第二开关晶体管。
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公开(公告)号：CN102903723A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210034691.8
申请日：2012-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , G06F3/042
CPC classification number: G06F3/0412 , G06F3/042
Abstract: 提供了一种感光设备、驱动感光设备的方法以及光触摸屏设备。所述感光设备中的感光像素中的光传感器晶体管由用于感测光的氧化物半导体晶体管形成，所述感光设备包括：感光像素阵列，具有按照行列布置的多个感光像素；多条栅极线，沿着行方向被布置并将栅极电压分别提供给感光像素，其中，每个感光像素包括用于感测光的光传感器晶体管和用于输出来自光传感器晶体管的感光信号的开关晶体管，布置在任意行中的感光像素的光传感器晶体管的栅极连接到布置在所述任意行之前或之后的行中的栅极线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102759400A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210115204.0
申请日：2012-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01J1/44
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/1446 , H01L27/14603 , H01L27/14623
Abstract: 根据示例实施例，一种光感测装置可以包括光感测像素的阵列、第一栅极驱动器和信号输出单元。每一个光感测像素可以包括被配置为感测光的光传感器晶体管、被配置为输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管、以及在开关晶体管的光入射表面上的导电遮光膜。所述光传感器晶体管和开关晶体管可以具有相同的氧化物半导体晶体管结构。第一栅极驱动器可以被配置为向每一个光感测像素提供栅极电压和负偏置电压。所述信号输出单元可以被配置为从每一个光感测像素接收光感测信号并输出数据信号。
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公开(公告)号：CN102253764A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110033974.6
申请日：2011-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/042
CPC classification number: H03K17/78 , H03K17/941
Abstract: 示例实施例针对于光感测电路、操作光感测电路的方法和包括光感测电路的光感测设备。光感测电路包括感测光的光敏氧化物半导体晶体管；以及切换晶体管，与光感测晶体管串联，并被配置为输出数据。在待命时间期间，低电压被施加到切换晶体管，并且高电压被施加到光敏氧化物半导体晶体管，当输出数据时，高电压施加到切换晶体管，并且低电压被施加到光敏氧化物半导体晶体管。
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公开(公告)号：CN101179077B
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200710165725.6
申请日：2007-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11546 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11568 , H01L29/518 , H01L29/78
Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：包括有单元区和外围电路区的半导体衬底，在所述单元区上的单元栅，以及在所述外围电路区上的外围电路栅极，其中所述单元栅包括所述半导体衬底上的电荷存储绝缘层、所述电荷存储绝缘层上的栅电极以及所述栅电极上的导电层，以及所述外围电路栅极包括所述半导体衬底上的栅绝缘层、所述栅绝缘层上的半导体层、所述半导体层上的欧姆层以及所述欧姆层上的导电层。
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公开(公告)号：CN100502009C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200510003665.9
申请日：2005-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/022 , H01L21/28282 , H01L21/31616 , H01L21/31645 , H01L28/56 , H01L29/513 , H01L29/792
Abstract: 提供了一种SONOS型存储器，包括半导体衬底；配置在半导体衬底中、用预定导电性的杂质离子掺杂的、彼此分开预定距离的、并且之间插入沟道区的第一杂质区和第二杂质区；和在第一杂质区和第二杂质区之间的半导体衬底上形成的数据存储型堆叠。数据存储型堆叠包括依次形成的隧道氧化层、用于存储数据的存储节点层、阻挡氧化层和电极层。存储节点层的介电常数高于隧道氧化层的介电常数和阻挡氧化层的介电常数，并且存储节点层的能带差低于隧道氧化层的能带差和阻挡氧化层的能带差，隧道氧化层和阻挡氧化层是高介电绝缘层。
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公开(公告)号：CN1832204A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610051480.X
申请日：2006-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/792 , H01L21/336
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L21/28282 , H01L29/42332 , H01L29/792
Abstract: 本发明公开了一种存储器件及其制造方法。所述存储器件包括栅极结构，所述栅极结构包括在半导体衬底上的电荷存储层中的金属氮化物材料。该栅极结构设置于形成于半导体衬底上的第一掺杂剂区和第二掺杂剂区之间。该金属氮化物材料被构造以作为俘获电荷的俘获点。
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