公开(公告)号：CN116110904A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202210897334.8

申请日：2022-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星一 ,  黃圭晩 ,  朴宰贤 ,  崔道永 ,  河大元

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了一种三维(3D)半导体装置，所述3D半导体装置可以包括：第一有源区域，位于基底上，第一有源区域包括下沟道图案以及分别位于下沟道图案的相对的侧表面上的一对下源极/漏极图案；第二有源区域，堆叠在第一有源区域上，第二有源区域包括上沟道图案以及分别位于上沟道图案的相对的侧表面上的一对上源极/漏极图案；虚设沟道图案，位于下沟道图案与上沟道图案之间；一对衬层，分别位于虚设沟道图案的相对的侧表面上；以及栅电极，位于下沟道图案、虚设沟道图案和上沟道图案上。栅电极可以包括位于下沟道图案上的下栅电极和位于上沟道图案上的上栅电极。

公开(公告)号：CN115706154A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210484588.7

申请日：2022-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星一 ,  朴宰贤 ,  崔道永 ,  崔永文 ,  河大元

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，在基底上沿第一方向延伸；第一下部源极/漏极图案和第二下部源极/漏极图案，设置在有源图案上并且在第一方向上彼此间隔开；第一上部源极/漏极图案，设置在第一下部源极/漏极图案上；第二上部源极/漏极图案，设置在第二下部源极/漏极图案上；以及栅电极，与有源图案交叉，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅电极包括在第三方向上与有源图案重叠的重叠部分，第三方向垂直于第一方向和第二方向。所述重叠部分在第二方向上的长度小于第一下部源极/漏极图案在第二方向上的长度。

公开(公告)号：CN113948449A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110752477.5

申请日：2021-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴星一 ,  郑朱希 ,  许盛祺

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括在第一方向上延伸并且在第一方向上彼此分隔开的第一有源区和第二有源区；器件隔离层，在衬底中处于第一有源区和第二有源区之间；以及第一栅结构和第二栅结构，在衬底上在第二方向上延伸，同时分别与第一有源区和第二有源区的端部相交。第一栅结构包括第一栅电极。第二栅结构包括第二栅电极。与第二栅结构相比，第一栅结构在第一方向上朝着器件隔离层突出得更多，并且第一栅电极的下端位于比第二栅电极的下端低的高度水平上。

公开(公告)号：CN113497035A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202011342115.0

申请日：2020-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐凤锡 ,  金大元 ,  朴范琎 ,  朴硕炯 ,  朴星一 ,  申在训 ,  杨奉燮 ,  刘庭均 ,  李在润

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：第一有源区，限定在衬底上；第一栅电极，跨第一有源区；第一漏区，在第一有源区中与第一栅电极相邻的位置处；底切区域，在第一有源区与第一栅电极之间；以及第一栅间隔物，在第一栅电极的侧表面上并延伸到底切区域中。

公开(公告)号：CN110350027A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910003735.2

申请日：2019-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允逸 ,  朴星一 ,  朴宰贤 ,  李炯锡

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，从基底突出并且彼此间隔开以在第一方向上延伸；虚设鳍型图案，从基底突出，并位于第一鳍型图案与第二鳍型图案之间；第一栅极结构，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，位于第一鳍型图案上；第二栅极结构，在第二方向上延伸，位于第二鳍型图案上；以及盖图案，在第二方向上延伸，位于第一栅极结构和第二栅极结构上，其中，盖图案包括与虚设鳍型图案的上表面接触的分离部分，并且虚设鳍型图案和分离部分使第一栅极结构与第二栅极结构分离。

公开(公告)号：CN108538836A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810158997.1

申请日：2018-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星一 ,  朴范琎 ,  李允逸 ,  刘庭均 ,  李东勋

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 一种垂直晶体管结构包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括连接到第二晶体管的第二上电极的第一下电极以及连接到第二晶体管的第二下电极的第一上电极。第一晶体管还包括连接到第二晶体管的栅电极的栅电极。

公开(公告)号：CN103839945A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310608485.8

申请日：2013-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 石城大 ,  吴昌佑 ,  朴星一

IPC: H01L27/11 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0922

Abstract: 本公开提供了半导体器件和SRAM器件。包括第一晶体管和第二晶体管的半导体器件集成在基板上。第一和第二晶体管的每个包括纳米尺寸有源区域，该纳米尺寸有源区域包括提供在纳米尺寸有源区域的各端部中的源极区域和漏极区域以及提供在源极区域和漏极区域之间的沟道形成区域。第一晶体管的源极区域和漏极区域具有与第二晶体管的源极区域和漏极区域相同的导电类型，第二晶体管具有比第一晶体管低的阈值电压。第二晶体管的沟道形成区域可以包括同质掺杂区域，该同质掺杂区域的导电类型与第二晶体管的源极区域和漏极区域的导电类型相同，且与第一晶体管的沟道形成区域的导电类型不同。

公开(公告)号：CN101556962B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200810131347.4

申请日：2008-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛光洙 ,  朴星一

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/355 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H04N5/355 ,  H04N5/35509 ,  H04N5/3745

Abstract: 本发明提供了一种包括具有两个栅极的感应晶体管的图像传感器和操作该图像传感器的方法。所述图像传感器包括：光电转换装置；感应晶体管，具有连接到浮置扩散区的第一栅极以及与第一栅极分开的第二栅极，其中，在浮置扩散区中存储从光电转换装置产生的电荷；重置晶体管，连接到浮置扩散区并重置浮置扩散区的电势；控制电压源，将控制电压提供到第二栅极；列输出线，连接到感应晶体管的源极。

公开(公告)号：CN101308867A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810096571.4

申请日：2008-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星一 ,  李晟熏 ,  薛光洙 ,  陈暎究 ,  金钟燮

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L21/28282 ,  G11C16/349 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/42352 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供了一种存储装置、一种制造该存储装置的方法以及一种操作该存储装置的方法。所述存储装置可以包括：沟道区，具有上端，其中，上端的两侧弯曲，两侧的弯曲部分允许在编程或擦除中将电荷注入到两侧的弯曲部分中，使得注入有电荷的弯曲部分与确定阈值电压的部分分开；栅极结构，在沟道区上。