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公开(公告)号：CN101206843B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200710152420.1
申请日：2007-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G09G3/36 , G09G3/20 , H03K19/0175 , G02F1/133
CPC classification number: G09G3/2096 , G09G2340/0435
Abstract: 在一种控制板和一种显示设备中，该控制板包括时序控制器、第一连接器和第二连接器。时序控制器接收具有第一频率和第二频率中的一个的第一外部图像控制信号，当第一外部图像控制信号具有第一频率时，时序控制器选择性地接收具有第一频率的第二外部图像控制信号。时序控制器基于第一外部图像控制信号和第二外部图像控制信号来选择第一频率和第二频率中的一个，以输出图像驱动信号。第一连接器将时序控制器连接到视频系统，以将第一外部图像控制信号传送到时序控制器。第二连接器将时序控制器连接到视频系统，以将第二外部图像控制信号传送到时序控制器。因此，该控制板在第一频率和第二频率通用。
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公开(公告)号：CN101645245A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910009560.2
申请日：2009-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G2330/06 , G09G2330/08
Abstract: 本发明披露了一种液晶显示器，该液晶显示器配置有定时控制器，该定时控制器响应于数据使能信号产生具有预定脉宽的恢复信号，并在数据使能信号和恢复信号之间的差大于阈值时工作在故障模式。即使数据使能信号由静电放电而失真，该液晶显示器在失真等级小于阈值时就可以将恢复信号用作数据使能信号，而不需进入故障模式。因此，当静电放电在一段时间内施加至液晶显示器时，用户也不会察觉该静电放电。
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公开(公告)号：CN119836788A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202380067044.3
申请日：2023-10-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/58 , H04N25/77 , H04N25/78 , H04N25/766 , H04N25/75
Abstract: 根据本文公开的实施例的电子装置可以包括图像传感器、处理器和存储器。图像传感器可以包括：至少一个光电二极管；传输门，其将至少一个光电二极管连接到第一节点（FD1节点）；第一电容器，其连接到第一节点并且具有第一电容；动态范围门，其连接在第一节点与第二节点（FD2节点）之间；第二电容器，其连接到第二节点并且具有第二电容；以及微控制器单元。通过本说明书理解的其他实施例也是可行的。
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公开(公告)号：CN117652153A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202280047223.6
申请日：2022-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N23/67
Abstract: 提供了一种电子装置。电子装置可包括：图像信号处理器，其包括分别在第一方向和与第一方向正交的第二方向上布置的多个图像像素，可将入射在多个微透镜上的光转换为电信号，基于电信号执行用于第一方向上的相位差检测的第一相关性计算，包括相机以及用于输出包括第一相位差相关性计算值的图像数据的图像传感器，并且通过使用从图像传感器输出的图像数据执行用于第二方向上的相位差检测的第二相关性计算；并且可包括驱动单元，用于基于用于第一方向上的第一相位差相关性计算值和用于第二方向上的第二相位差相关性计算值来调节相机的聚焦。其他实施例是可能的。
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公开(公告)号：CN117637484A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311058461.X
申请日：2023-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L21/321 , H01L21/66 , H01L23/544 , H01L27/02
Abstract: 提供了一种晶片的制造方法，该方法包括以下操作：制备包括半导体芯片区域和测试区域的晶片，用原子力显微镜(AFM)测量测试区域中包括的测量区域，测量区域包括具有恒定线宽和恒定间距的多条金属线；基于测量区域的测量结果来确定测试区域的表面粗糙度值；基于表面粗糙度值来确定测试区域的金属线的阶梯差值；以及基于金属线的阶梯差值来确定半导体芯片区域中的接合焊盘的阶梯差值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116325777A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180069303.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本公开的实施方式，在电子设备中，电子设备可以包括：存储器、显示器、相机模块和处理器。显示器包括像素层和屏蔽结构，像素层包括多个像素，屏蔽结构形成有孔并设置在像素层下方。相机模块设置在屏蔽结构下方。处理器与相机模块和存储器可操作地联接，并且处理器可以：通过相机模块来获取光源图像，基于所获取的光源图像中的对应于第一区域的第一长度值和对应于第二区域的第二长度值来获取第一数据，将第一数据与存储在存储器中的第二数据进行比较，并基于比较结果来获取对应于光源的实际光量数据。根据本公开的各实施方式，可以仅使用一个图像而无需使用多个图像来测量光源的饱和度。此外，不需要安装单独的传感器来测量光源的饱和度，这在成本方面会是有利的。其它各实施方式也是可能的。
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公开(公告)号：CN112005548B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201980026555.4
申请日：2019-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N13/271 , H04N13/239
Abstract: 本公开提供了电子设备。该电子设备包括第一相机、与第一相机间隔开的第二相机以及处理器。处理器被配置为：使用第一相机获得外部对象的第一图像；使用第二相机获得外部对象的第二图像；基于第一图像和第二图像的相位差比较，从第一图像和第二图像中包括的外部对象中识别在其中生成多条深度信息的指定对象；基于与第一图像和第二图像中的至少一者中包括的指定对象相对应的点的扩展度来从多条深度信息中选择关于指定对象的深度信息；以及利用所选择的深度信息来生成关于包括指定对象的外部对象的深度信息。
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公开(公告)号：CN113921511A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110772790.5
申请日：2021-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 一种半导体封装件包括第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一主连接焊盘结构和第一虚设连接焊盘结构。第一主连接焊盘结构布置在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的界面处，并且被布置为在与第一半导体芯片的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开第一主间距，其中，第一主连接焊盘结构中的每一个包括：第一连接焊盘，其电连接至第一半导体芯片；以及第二连接焊盘，其电连接至第二半导体芯片并且接触第一连接焊盘。第一虚设连接焊盘结构布置在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的界面处，被布置为与第一主连接焊盘结构间隔开，并且被布置为在第一方向上彼此间隔开第一虚设间距，第一虚设间距大于第一主间距。
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公开(公告)号：CN112435986A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010868480.9
申请日：2020-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/535 , H01L25/18 , H01L27/146 , H01L21/98
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括接合在一起的第一半导体芯片和第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一基板、设置在第一基板上并且具有顶表面的第一绝缘层、嵌入在第一绝缘层中并且具有与第一绝缘层的顶表面基本齐平的顶表面的第一金属焊盘、以及设置在第一绝缘层和第一金属焊盘之间的第一阻挡件。第二半导体芯片以与第一半导体芯片相似的构造包括第二基板、第二绝缘层、第二金属焊盘和第二阻挡件。第一绝缘层的顶表面和第二绝缘层的底表面被接合以提供接合界面，第一金属焊盘和第二金属焊盘被连接，并且第一绝缘层的部分与第一金属焊盘的侧部区域接触。
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