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公开(公告)号:CN1951634B
公开(公告)日:2010-09-08
申请号:CN200610137406.X
申请日:2006-10-16
Applicant: 不二越机械工业株式会社
IPC: B24B29/00
Abstract: 粘结抛光垫的方法能在一舒适的姿势中容易地更换抛光垫。该方法包括以下步骤:将一粘结垫的载体设定在一保持器内,其具有一通孔,一用来压迫抛光垫的滚轮单元固定在其中,使一滚轮单元沿一下抛光板和一上抛光板的径向方向布置;相对地移动上抛光板朝向下抛光板,以用一规定的力将滚轮单元夹紧在下抛光板和上抛光板之间;以相同的速度但以相对的方向转动夹紧滚轮单元的下抛光板和上抛光板;以及用滚轮单元将抛光垫压迫到下抛光板和上抛光板的抛光面上。
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公开(公告)号:CN100534718C
公开(公告)日:2009-09-02
申请号:CN200510092424.6
申请日:2005-08-12
Applicant: 不二越机械工业株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/08 , B24B41/007
Abstract: 上抛光板向下移动一直到面向下抛光板为止以便抛光工件。上抛光板连同第一弹性件、第二弹性件、外部件和连接件一起在一水平面中旋转。推压外部件或内部件向上的第一压力和推压外部件或内部件向下的第二压力之间的、通过供应加压流体进入和排出第一封闭空间中而在第一封闭空间中产生的压力差被调节,以便调节所述上抛光板的第三压力,该第三压力作用在工件上并同时抛光工件。
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公开(公告)号:CN100528486C
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200410082052.4
申请日:2004-11-22
Applicant: 土肥俊郎 , 不二越机械工业株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , B24B37/0056 , B24B37/04 , B24B57/02 , H01L21/31053
Abstract: 抛光装置能够改变浆料的pH值以调整抛光速率并且使用较高的平面度抛光工件。该抛光装置包括:压力容器;在压力容器中配备的抛光板;将工件挤压到抛光板上的挤压板;相对于挤压板移动抛光板从而抛光工件的驱动装置;向压力容器中供应碱性气体或酸性气体的气体供应源;从压力容器释放所供应气体的气体释放部;以及向抛光板上供应浆料的浆料供应装置。可以通过在浆料中溶解碱性气体或酸性气体来调整浆料的pH值。
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公开(公告)号:CN100400235C
公开(公告)日:2008-07-09
申请号:CN200310102917.4
申请日:2003-10-24
Applicant: 不二越机械工业株式会社
Inventor: 守屋纪彦
IPC: B24B37/04
CPC classification number: B24B37/08 , B24B37/345
Abstract: 该研磨机能进给合适的量的研磨料并防止一工件附着在一上研磨板上。该研磨机包括:研磨工件的一上表面的上研磨板,该上研磨板具有多个用于将研磨料进给到工件的研磨料孔;研磨工件的一下表面的一下研磨板;加压并发送研磨料的一研磨料进给单元;将诸研磨料孔分别连接至该研磨料供应单元的多根研磨料通道;分别设置在诸研磨料通道上以对研磨料量流进行控制的多个阀机构;以及用于控制诸所述阀机构的一控制部分。
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公开(公告)号:CN100391693C
公开(公告)日:2008-06-04
申请号:CN02156111.7
申请日:2002-12-02
Applicant: 土肥俊郎 , 不二越机械工业株式会社
Inventor: 土肥俊郎
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/042 , B24B37/04 , B24B41/047
Abstract: 本发明的研磨机可以改变施加于工件的压力,并且易于形成最佳研磨条件。研磨机包括:一压力容器,该压力容器可以升高和降低内部压力;一研磨板,该研磨板设置在压力容器中;一设置在研磨板上的加压板,该加压板将工件压在研磨板上;一驱动单元,该驱动单元相对于加压板移动研磨板,以便研磨工件;以及一与压力容器相连的压力源,该压力源升高或降低压力容器的内部压力。
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公开(公告)号:CN1303655C
公开(公告)日:2007-03-07
申请号:CN02158978.X
申请日:2002-12-27
Applicant: 不二越机械工业株式会社 , 不二见株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/304 , C09K3/14 , C23F1/14
CPC classification number: B24B37/30 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H05K3/26 , H05K3/383 , H05K3/4644 , H05K2203/025 , H05K2203/121
Abstract: 磨光一基底的铜层的方法能够提高磨削率等。该方法包括下列步骤:将一基底供应到在一磨光板上的一磨光垫的上,并使铜层面对磨光垫;借助一压头用一背垫将基底压到磨光垫上;相对于磨光板相对地转动压头,并将软膏供应到在磨光垫上。背垫是由Asker C硬度为75-95、压缩率为10%或更小的材料制成,磨光软膏包括用来螯合铜的螯合剂、用来蚀刻铜层表面的蚀刻剂、用来氧化铜层表面的氧化剂以及水。
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公开(公告)号:CN1683112A
公开(公告)日:2005-10-19
申请号:CN200510071629.6
申请日:2005-03-31
Applicant: 不二越机械工业株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 该抛光设备能够精确地控制抛光压力,准确地定位压力盘以及均匀地抛光工件。在该抛光设备中,固定盘包括用于将承压流体导入所述的第一流体腔并将抛光头部分压向下的第一压力装置;用于将承压流体导入所述的第二流体腔并将压力盘压向下的第二压力装置;和用于将承压流体导入所述的第三流体腔并将所述的工件压向下的第三压力装置。通过这一结构,将所述工件固定在弹性片元件的下侧,并通过抛光轮对工件的下表面进行抛光。
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公开(公告)号:CN119446964A
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202411005066.X
申请日:2024-07-25
Applicant: 不二越机械工业株式会社
Inventor: 中泽智仁
IPC: H01L21/67
Abstract: 控制装置、控制系统以及存储控制程序的存储介质,能进行考虑了各晶片的状态和各装置的经时变化的数据管理。控制装置(100)按照每个作为对象的晶片对多个半导体晶片生产装置(A)的工作进行控制,具有存储部(10)、指令数据生成部(20)、接收数据生成部(30)及通信部(50),指令数据生成部将发送目的地地址与工作制程建立对应而生成示出工作前或工作中的一个半导体晶片生产装置的工作条件的指令数据(OD),接收数据生成部从半导体晶片生产装置经由通信部按照规定的时间间隔获取日志数据(LD),将日志数据与日志项目的第2步骤依次建立对应而生成示出工作中的一个半导体晶片生产装置的工作状态和晶片的状态中的至少一方的接收数据(D4)。
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公开(公告)号:CN114714246A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202111656088.9
申请日:2021-12-30
Applicant: 不二越机械工业株式会社
Abstract: 本发明提供晶片研磨用托板以及晶片研磨装置,关于主体与内部件的卡合部,能够减小缺损区域,能够抑制树脂的未填充部的产生,能够增大卡合力。本发明的晶片研磨用托板(20)在工件孔(22)的内周部具有切口部(30),该晶片研磨用托板设置有与切口部卡定的环状的内部件(26),切口部形成为具有如下部分的形状:基线(31A、31B),其在俯视时分别与设置于内周部的2个起点(a、b)连接;中间线(32A、32B),其分别与基线的终端部(c、d)连接,并且配置成彼此的周向距离朝向径向外侧扩大;第1圆弧(33A、33B),其分别与中间线的终端部(e、f)连接,并且配置成内圆部彼此对置;以及连接线(34),其将第1圆弧的终端部(g、h)彼此连结。
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公开(公告)号:CN108296981B
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN201711446236.8
申请日:2017-12-27
Applicant: 不二越机械工业株式会社
Abstract: 本发明提供研磨头,能够使承载体根据研磨垫的表面状态良好地进行跟随,能够高精度地研磨工件。研磨头具有:头主体(12);承载体(14),其借助于柔性的隔膜(16)而与头主体连结,在下表面侧保持工件;压力室(18),其设置成被头主体下表面、隔膜和承载体上表面包围;流体供给部(47),其对压力室供给流体;直动导引件(40),其具有外侧筒体(41)和花键轴(42),外侧筒体被固定在头主体的旋转轴线上,花键轴配设在外侧筒体内且能够沿轴线方向活动自如,且该花键轴相对于外侧筒体以轴线为中心的旋转被限制,头主体的旋转力经由外侧筒体被传递至花键轴;以及旋转传递板(45),其配设在花键轴的下端部与承载体上表面之间,将承载体支承为倾动自如,并且将花键轴的旋转力传递给承载体。
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