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    AZO-黑硅异质结太阳能电池及制备方法
    34.
    发明公开
    AZO-黑硅异质结太阳能电池及制备方法 有权

    公开(公告)号：CN102820348A

    公开(公告)日：2012-12-12

    申请号：CN201210311075.2

    申请日：2012-08-28

    申请人： 夏洋

    发明人： 夏洋

    IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种AZO-黑硅异质结太阳能电池，包括表面保护层、金属栅电极、AZO薄膜、黑硅层、晶硅层和金属背电极，所述表面保护层位于金属栅电极之上，所述金属栅电极位于AZO薄膜上，所述AZO薄膜位于黑硅层之上，所述黑硅层位于晶硅层之上，所述晶硅层位于金属背电极上。本发明的有益效果：在黑硅结构表面沉积n型AZO薄膜，形成异质结太阳能电池，提高太阳能电池的开路电压与短路电流，进而提高太阳能电池的转化效率；并简化了太阳能电池的结构，降低了生产成本。

    一种核壳结构金属硫硒化物半导体复合材料的制备方法
    35.
    发明公开
    一种核壳结构金属硫硒化物半导体复合材料的制备方法 无效

    公开(公告)号：CN102623552A

    公开(公告)日：2012-08-01

    申请号：CN201210080943.0

    申请日：2012-03-22

    申请人： 桂林理工大学

    发明人： 龙飞 ,  高洁 ,  邹正光

    IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0328

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种核壳结构金属硫硒化物半导体复合材料的制备方法。该半导体复合材料化学组成通式为：MxAy/NzAw，按预期产物的摩尔配比称取金属盐、硫源和(或)硒源；将称取的原料磁力搅拌溶于溶剂倒入常压开放式反应器，升温至额定温度后保温额定时间，产物经过离心、洗涤、真空干燥后得核壳结构金属硫硒化物半导体复合材料。所述溶剂为乙二胺、乙二醇和水合肼的一种或两种；所述金属盐为Cu盐、In盐和Ga盐中的两种或多种；所述硫源为CH4N2S；所述硒源为Se粉或亚硒酸。本发明成本低、装置简单、反应速度快、反应过程可控性和可干预性强，可更灵活控制整个反应合成过程从而形成特定结构、成份和物相组合的目标产物。

    ZnSe纳米光电探测器及其制备方法
    36.
    发明公开
    ZnSe纳米光电探测器及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN102163641A

    公开(公告)日：2011-08-24

    申请号：CN201110065092.8

    申请日：2011-03-17

    申请人： 合肥工业大学

    发明人： 王莉 ,  揭建胜 ,  吴春艳 ,  于永强 ,  卢敏 ,  谢超 ,  郭慧尔 ,  任勇斌

    IPC分类号： H01L31/101 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明公开了一种ZnSe纳米光电探测器及其制备方法，探测器的结构层自下而上依次为绝缘衬底、感光层和电极，其特征是感光层为n-型掺杂的ZnSe纳米线。本发明采用化学气相沉积法合成制备n型掺杂ZnSe纳米线，在合成过程中通过原位掺杂实现n型掺杂，以及利用光刻、电子束和脉冲激光沉积工艺制备源漏电极，从而制得ZnSe纳米光电探测器。本发明探测器中感光层采用n-型掺杂的ZnSe纳米线，能有效增强纳米光电探测器的电信号，提高其开关比；其制备方法简单，能使ZnSe纳米线平行排布，从而增加感光面积，进一步提高电信号。

    一种三元化合物太阳能电池薄膜及其制备方法
    37.
    发明公开
    一种三元化合物太阳能电池薄膜及其制备方法 无效

    公开(公告)号：CN102163630A

    公开(公告)日：2011-08-24

    申请号：CN201110056681.X

    申请日：2011-03-10

    申请人： 常州大学

    发明人： 谢建生 ,  李金华 ,  蒋美萍

    IPC分类号： H01L31/0328 ,  H01L31/18 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 本发明涉及太阳能电池薄膜，特指一种三元化合物太阳能电池薄膜及其制备方法。本发明是利用磁控溅射技术，在衬底上制备一种带隙在1.4eV~1.6eV可调、光吸收系数高于105cm-1的新型三元化合物薄膜材料，是适合于研制太阳能薄膜电池的新型材料，本发明包括三靶汇聚共溅射技术和微薄层分层溅射复合技术，还包括溅射薄膜太阳能电池的后退火处理技术、多晶薄膜结构的XRD主峰位确定、薄膜组分和价态的测定、薄膜的FTIR和UVS带隙、吸收测定方法。

    包括具有提高的线性和可制造性的FET的BiFET
    38.
    发明授权
    包括具有提高的线性和可制造性的FET的BiFET 失效

    公开(公告)号：CN100527446C

    公开(公告)日：2009-08-12

    申请号：CN200480031215.4

    申请日：2004-10-04

    申请人： 斯盖沃克斯瑟路申斯公司

    发明人： P·J·赞帕尔迪 ,  R·N·皮尔森

    IPC分类号： H01L31/0328

    CPC分类号： H01L27/0623 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/812

    摘要： 根据一个示例性实施例，一种位于衬底上的BiFET，包括位于所述衬底上方的发射极层部分，其中所述发射极层部分包括第一类型的半导体。所述HBT还包括蚀刻停止层的第一部分，其中所述蚀刻停止层的所述第一部分包括InGaP。所述BiFET还包括位于所述衬底上方的FET，其中所述FET包括源极和漏极区域，其中所述蚀刻停止层的第二部分位于所述源极和漏极区域之下，以及其中所述蚀刻停止层的所述第二部分包括InGaP。所述FET还包括第二类型的半导体层，其位于所述蚀刻停止层的所述第二部分之下。所述蚀刻停止层提高了所述FET的线性，且没有降低所述HBT中的电子电流。