公开(公告)号：CN101002336A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200580027015.6

申请日：2005-07-22

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 新华·P·李 ,  布鲁斯·M·格林 ,  奥林·L·哈廷 ,  埃伦·Y·兰 ,  查尔斯·E·韦策尔

IPC: H01L31/0328 ,  H01L27/095 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/7785 ,  H01L21/28593 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种半导体结构包括第一半导体层(22)、在第一半导体层上方的第二半导体层(24)、在第二半导体层上方的第三半导体层(25)和在第三半导体层上方的第四半导体层(26)。第一导电部分(144)耦合到第一半导体层，和第二导电部分(50)形成在第一半导体层上方。