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公开(公告)号:CN105900248A
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201480072655.8
申请日:2014-11-11
申请人: 索莱克赛尔公司
IPC分类号: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0328 , H01L31/062 , H01L31/18
CPC分类号: H01L31/022425 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/022466 , H01L31/0328 , H01L31/062 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/50
摘要: 本发明描述一种光伏太阳能电池,根据一个实例实施方案,所述光伏太阳能电池包括半导体光吸收层和电介质堆叠,所述电介质堆叠在所述光吸收层的正侧或所述光吸收层的背侧中的至少一者上。所述电介质堆叠包括足够薄以使电荷载流子隧穿跨越的隧穿电介质层,和与覆盖电介质是不同材料的覆盖电介质层。所述太阳能电池还包括与所述覆盖电介质物理地接触的导电触点。所述导电触点和所述覆盖电介质一同具有以下各项中的任一项:适合于选择性地收集电子的与所述光吸收层的导带紧密地匹配的功函数,或适合于选择性地收集空穴的与所述光吸收层的价带紧密地匹配的功函数。
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公开(公告)号:CN105940503A
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:CN201480074386.9
申请日:2014-12-02
申请人: 索莱克赛尔公司
IPC分类号: H01L31/18
CPC分类号: H01L31/022458 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/18 , Y02E10/547
摘要: 提供用于背接触背结太阳能电池的钝化触点结构和制造方法。根据一个示例性实施方案,描述具有半导体光吸收层的背接触背结光伏太阳能电池,所述半导体光吸收层具有正面和包括基极区和发射极区的背面。钝化介电绝缘层位于所述基极区和所述发射极区上。第一导电触点接触所述钝化介电绝缘层,两者一起具有适合于选择性收集电子的功函数,所述功函数紧密匹配所述光吸收层的导带。第二导电触点接触所述钝化介电绝缘层,两者一起具有适合于选择性收集电子的功函数,所述功函数紧密匹配所述光吸收层的价带。
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