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公开(公告)号：CN101989046B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200910056026.7
申请日：2009-08-06
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Inventor： 朴世镇
Abstract: 一种图形转移方法和掩模版制作方法，所述图形转移方法通过在基片上形成光阻层，所述光阻层至少包括正性光刻胶层和负性光刻胶层，以及位于两者之间的透明材料层，其中，距离所述基片近的光刻胶层的厚度大于距离所述基片远的光刻胶层的厚度且所述透明材料层能够溶于所述距离基片远的光刻胶层的显影剂，接着，对所述光阻层进行一次曝光、分步显影以及刻蚀工艺，实现将图形转移至所述距离基片近的光刻胶层，进而从所述光刻胶层转移至所述基片上。本发明仅需要一次曝光就能够实现图形的转移，减少了掩模版数目，节约了生产成本，提高了生产效率，并且通过对曝光能量以及显影时间的调节，实现了对转移至所述光刻胶层上的图形的关键尺寸的控制。
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公开(公告)号：CN101443886B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780017495.7
申请日：2007-05-29
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供对于在基板上形成了成为转印图案的转印图案用薄膜和抗蚀剂膜的掩模基板能仅剥离抗蚀剂膜而再利用转印图案用薄膜和基板的抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法以及转印掩模的制造方法。其采用以下构成：对于在基板(11)上形成了遮光膜(12)以及曝光、显影前的抗蚀剂膜(14)的掩模基板(1)，当出现抗蚀剂膜(14)的膜厚不均大等不良现象时，或者因在掩模基板(1)的状态下长期保存而使抗蚀剂膜(14)的灵敏度发生变化时，进行使抗蚀剂膜(14)与臭氧水接触而将抗蚀剂膜(14)剥离的臭氧水处理。并且，再次形成抗蚀剂膜(14)，再利用基板(11)和遮光膜(12)。
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公开(公告)号：CN102445837A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010599529.1
申请日：2010-12-13
Applicant: 乐金显示有限公司
CPC classification number: G03F1/48 , C23C14/0694 , C23C14/10 , Y10T428/24851
Abstract: 本发明涉及一种激光图案掩模及其制造方法，通过在激光图案掩模的表面上涂覆保护膜来防止激光图案掩模被损坏，激光图案掩模被用于通过激光烧蚀一次对母基板上的整个层进行构图。所述激光图案掩模包括基底基板、在基底基板上由不透明金属形成来限定激光光束通过区域的激光防护图案以及形成在包括激光防护图案的基底基板的整个表面上的保护膜。
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公开(公告)号：CN101452206B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200710187587.1
申请日：2007-12-03
Applicant: 海力士半导体有限公司
IPC: G03F1/46
Abstract: 本发明涉及形成掩模图案的方法。根据本发明，在衬底上形成负性光刻胶层。曝光负性光刻胶层的一些区域。使曝光的负性光刻胶层显影。在含有负性工作光刻胶层的衬底上形成正性光刻胶层。烘焙衬底使得氢气在负性工作光刻胶层的边界部分扩散进入正性光刻胶层。显影其中扩散有氢气的正性光刻胶层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118444522A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202311651654.6
申请日：2023-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本文公开了用于金属光致抗蚀剂的剂量减少底部抗反射涂料。一种形成半导体器件的方法包括，在基板上方沉积涂料层，在所述涂料层上方形成光致抗蚀剂层，将所述光致抗蚀剂层曝光于光化辐射，以及使所述光致抗蚀剂层显影以形成图案化的光致抗蚀剂层。所述涂料层包含聚合物，所述聚合物含有第一单元和第二单元，所述第一单元具有在曝光于光化辐射或暴露于热量时能够产生氢自由基的悬挂氢供体基团，所述第二单元具有在曝光于光化辐射或暴露于热量时能够产生水的悬挂的水供体基团。
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公开(公告)号：CN113126423B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202011588186.9
申请日：2020-12-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种反射式光罩坯体及其制造方法，反射式光罩坯体包括基板、设置在基板上的多层反射层、设置在多层反射层上的覆盖层，及设置在覆盖层上的吸收层。吸收层具有比覆盖层小的长度或宽度尺寸，且覆盖层的部分被吸收层暴露。吸收层及硬遮罩层的尺寸的范围在146cm至148cm之间。基板、多层反射层及覆盖层的尺寸的范围在150cm至152cm之间。
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公开(公告)号：CN117276052A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210675950.9
申请日：2022-06-15
Applicant: 长鑫存储技术有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , G03F1/46
Abstract: 本申请提供一种半导体结构及半导体结构的制作方法，用以解决相关技术中转移后的图案粗糙度较高的问题。半导体结构包括衬底，衬底上设置有第一掩膜层，第一掩膜层的顶表面覆盖有光阻层，第一掩膜层和光阻层之间设置有复合抗反射层，复合抗反射层包括第一层和第二层，第二层位于第一层远离第一掩膜层的一侧，第二层的消光系数大于第一层的消光系数。对比于相关技术中消光系数较低的介电抗反射层，本申请实施例通过设置具有较高消光系数的第二层，可以提高复合抗反射层对反射光的吸收能力，提高光刻精度，降低转移后的图案的粗糙度。
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公开(公告)号：CN115185038B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202211099229.6
申请日：2022-09-09
Applicant: 杭州光智元科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括支撑衬底、埋氧层以及光波导材料层；在光波导材料层上表面沉积硬掩模层；通过三次及以上的光刻刻蚀步骤，在硬掩模层上刻蚀出与目标光波导形貌一致的硬掩模图案，所述硬掩模图案具有预设的三个及以上的不同刻蚀深度；利用硬掩模图案为刻蚀掩模，通过一步刻蚀工艺刻蚀光波导材料层，形成多个光波导，所述多个光波导中具有预设的三个及以上的不同刻蚀深度。采用本发明的制作方法，由于只有一次针对待刻蚀层的刻蚀步骤，每个深度的半导体器件都通过同一刻蚀步骤形成，不会受到额外的等离子轰击而造成刻蚀损耗，极大地提高了器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN116360207A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202111613795.X
申请日：2021-12-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种减少立体图形光刻失真的光刻方法，包括：1)提供一基底，基底的表面具有凹台结构；2)于基底表面、凹台结构的侧壁和底部形成光刻胶层；3)提供一光掩模，光掩模包括透光基底和掩膜图形层，在掩膜图形层上形成抗反射层；4)基于光掩模对光刻胶层进行曝光处理，掩膜图形层至少遮挡凹台结构底部的部分光刻胶层，且至少显露凹台结构侧壁的部分光刻胶层；5)对光刻胶层进行显影处理。本发明可以有效解决立体图形在接触式曝光时光掩膜界面反射光的问题，从而使得光刻图形得到保真。
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