公开(公告)号：CN103928501A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410165353.7

申请日：2014-04-23

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  姜腾 ,  郝跃 ,  杨林安 ,  张进成 ,  林志宇 ,  樊永祥 ,  张春福

IPC: H01L29/267 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性InN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性InN纳米线生长中工艺成本高、效率低、方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1-15nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入铟源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性InN纳米线。本发明具有成本低，生长速率快，方向一致性好的优点，可用于制作高性能极性InN纳米器件。

公开(公告)号：CN107170796B

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201710198228.X

申请日：2017-03-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 毛维 ,  丛冠宇 ,  杜鸣 ,  郝跃 ,  张金风 ,  林志宇

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种分段栅场板垂直型电流孔径功率器件，其自下而上包括：漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的二级阶梯形的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(9)，两个源极(9)下方通过离子注入形成两个注入区(8)，除漏极底部以外的所有区域覆盖有钝化层(13)，两侧的钝化层内分别制作有分段栅场板(12)，该分段栅场板是由多个相互独立的浮空场板和一个栅场板构成，栅场板与栅极电气连接，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。

公开(公告)号：CN105845716B

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201610313055.7

申请日：2016-05-12

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  黄金金 ,  于婷 ,  陆芹 ,  郝跃 ,  薛军帅 ,  杨林安 ,  林志宇

IPC: H01L29/15 ,  H01L29/20 ,  H01L21/329 ,  H01L29/88

Abstract: 本发明公开了一种渐变In含量InGaN子量子阱的RTD二极管。包括：GaN外延层、n十GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层、GaN主量子阱层、第二InAlN势垒层、渐变In组分的InGaN子量子阱、第二GaN隔离层、n十GaN发射极欧姆接触层、圆形电极依次从下至上分布在衬底上方，位于n十GaN集电极欧姆接触层上方且不与第一GaN隔离层接触的环形电极，位于n十GaN集电极欧姆接触层上方的AlN钝化层。本发明在RTD中引入渐变In组分InGaN子量子阱和AlN材料钝化层，增大峰值电流，提高输出功率，减小器件功耗。

公开(公告)号：CN107394022B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201710610925.1

申请日：2017-09-05

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  杜金娟 ,  许晟瑞 ,  吕玲 ,  郝跃 ,  李培咸 ,  陶鸿昌 ,  林志宇 ,  张金风

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米线结构的高效发光二极管及制备方法，主要解决传统LED中空穴注入效率不高而引起的发光效率低的问题。其包括：c面蓝宝石衬底层(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱(4)、p型GaN层(5)和电极(6)，其中多量子阱包括五个周期，Al含量x和y由镓源和铝源的流量控制，以获得不同波长的LED，之后利用金属在高温下的蠕变现象形成金属球作为阻挡层，在量子阱上以均匀间隔刻蚀纳米槽，使p型GaN层镶嵌生长在纳米槽内，以提高p型GaN和量子阱的接触面积，有利于空穴的注入，本发明提高了发光效率，可用于紫外及深紫外发光二极管的制作。

公开(公告)号：CN106784228B

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201710021851.8

申请日：2017-01-12

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  赵颖 ,  彭若诗 ,  张进成 ,  林志宇 ,  樊永祥 ,  姜腾 ,  郝跃

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/22 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种基于r面SiC衬底的非极性a面AlN薄膜，主要解决现有非极性a面AlN薄膜制备工艺复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500μm厚的r面SiC衬底层、50‑150nm厚的GaN成核层、1000‑8000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和1500‑3000nm厚的非极性a面AlN层，其中r面SiC衬底层的表面设有由金刚石砂纸打磨形成的衬底条纹，用以提高AlN材料的质量；Al组分渐变AlGaN层的Al组分从5％渐变至100％，用以降低AlN材料的应力。本发明无需进行光刻，缩短了制作周期，减小费用成本，可用于制作非极性a面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。

公开(公告)号：CN105810562B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201610334076.7

申请日：2016-05-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  庞凯 ,  陈智斌 ,  吕佳骐 ,  朱家铎 ,  许晟瑞 ,  林志宇 ,  宁静 ,  张金风 ,  郝跃

IPC: H01L21/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  C23C28/04

Abstract: 本发明公开了一种基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长二硫化钼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层。本发明生长的氮化镓薄膜的优点在于，结合了二硫化钼和磁控溅射氮化铝，氮化镓材料质量好，适用衬底范围大，有利于制作高性能的氮化镓基器件。

公开(公告)号：CN107481928A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710611423.0

申请日：2017-07-25

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  杜金娟 ,  许晟瑞 ,  郝跃 ,  吕玲 ,  李培咸 ,  陶鸿昌 ,  林志宇 ,  张金风

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公开了一种基于非极性GaN体材料的肖特基二极管的制备方法，主要解决现有肖特基二极管的漏电高的问题。其自上而下包括：衬底(1)，重掺杂n型非极性GaN外延层(2)和轻掺杂n型非极性GaN层(3)，且重掺杂n型非极性GaN外延层(2)上设有由金属Ti/Al/Ti/Au材料制作的欧姆接触电极(4)，轻掺杂n型非极性GaN层(3)上设有由金属Ni/Au材料制作的肖特基接触电极(5)，衬底(1)选用非极性GaN体材料，本发明利用非极性GaN体材料衬底中位错密度小，且位错横向生长的特点，减少了漏电通道的形成，降低了器件的泄漏电流，提高器件的性能，可用作高频、低压、大电流整流二极管或小信号检波。

公开(公告)号：CN107302033A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710471829.3

申请日：2017-06-20

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 毕臻 ,  杨晓东 ,  张进成 ,  张春福 ,  吕玲 ,  林志宇

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/544 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0735

Abstract: 本发明公开了一种表面陷光结构InGaN/GaN太阳电池，包括n-Si衬底和InGaN/GaN层，InGaN/GaN层包括AlN成核层、GaN缓冲层、n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构和p-GaN层，p-GaN层表面为纳米陷光结构；p-GaN层和n-GaN层表面引出Ni/Cr/Au欧姆电极。本发明主要利用纳米软压印技术，制备出具有陷光结构的InGaN/GaN电池原型器件，包括表面条栅结构和周期性纳米阵列，实现表面高减反特性；由于采用了纳米陷光结构，有利于增加入射光程，增加光程和有效光吸收，产生更多的光生载流子，提高电池的光电流和转换效率。

公开(公告)号：CN107134512A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710206927.4

申请日：2017-03-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  彭若诗 ,  李培咸 ,  刘大为 ,  张进成 ,  孟锡俊 ,  李雨洋 ,  牛牧童 ,  郝跃 ,  林志宇 ,  吴浩洋

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0008

Abstract: 本发明公开了一种基于c面Al2O3衬底的N面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED器件生长步骤繁多，工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面Al2O3衬底层、10‑40nm厚的高温AlN成核层、700‑2000nm厚的发光层和电极，其中发光层为一层N面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物层采用GaN或AlN或AlGaN材料，分别获得发紫外光、极紫外光和深紫外光不同颜色的发光二极管。本发明利用N面Ⅲ族氮化物薄膜内的反型畴代替传统LED的量子阱结构发光，简化了器件结构和制作流程，缩短了工艺周期，可用于照明，显示屏和背光源。

公开(公告)号：CN106816362A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201710021288.4

申请日：2017-01-12

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 许晟瑞 ,  赵颖 ,  杜金娟 ,  张进成 ,  牛牧童 ,  林志宇 ,  李培咸 ,  姜腾 ,  郝跃

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明公开了一种基于c面Al2O3图形衬底的极性c面AlN薄膜，主要解决现有工艺流程复杂，制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：200‑500um厚的c面Al2O3衬底层、10‑90nm厚的AlN成核层、2000‑5000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和1000‑3000nm厚的极性c面AlN层，其中c面Al2O3衬底层的表面设有由金刚石砂纸打磨形成的衬底条纹，以提高AlN材料的质量；Al组分渐变AlGaN层的Al组分从0.01渐变至1，用以降低AlN材料的应力。本发明的制备过程无需进行光刻，缩短了制作周期和减小费用成本，可用于制作极性c面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。