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公开(公告)号：CN110880375A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911176308.0
申请日：2019-11-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种便于调节射线辐照角度的实验基座，包括基座本体、高度调节机构、竖直方向角度调节机构和水平方向角度调节机构，所述高度调节机构位于基座本体上，所述高度调节机构包括第一立柱，所述第一立柱的下端固定于基座本体顶部的中心处，所述第一立柱的内部安装有第一转轴，所述套杆的下端连接有牵引线的上端，所述牵引线的下端设置于第一转轴的外壁，所述第一把手的一侧贯穿有限位杆，所述限位杆的端部贯穿于第二弹簧的内部位于限位槽的内部，所述限位槽预留于第一立柱的外侧；本发明通过设置有竖直方向角度调节机构和水平方向角度调节机构能够增加放射源辐射的范围，且方便对放射源角度的调节，从而方便实验的使用。
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公开(公告)号：CN110429916A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910619751.4
申请日：2019-07-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于高速接口系统中的高性能限幅放大器，主要解决现有技术中晶体管电子迁移率随温度变化导致放大器的带宽和摆幅发生变化的问题。其包括：负载偏置电路、限幅放大器核心电路和尾电流产生电路。其中，负载偏置电路用来产生高偏置电压，提高限幅放大器输出摆幅；限幅放大器由四级级联构成，用于对输入差分信号的放大，并通过有源电感峰化技术提高限幅放大器的带宽；尾电流产生电路同时产生恒定摆幅电流和恒定带宽电流，并根据温度的变化来自动选择两者中的较大者，以同时提高限幅放大器的带宽和摆幅的温度特性。本发明在各种电源电压和温度下均具有稳定的增益、摆幅和带宽，可用于高速接口系统中。
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公开(公告)号：CN110350873A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910619407.5
申请日：2019-07-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于高速接口系统的低失调的高速全差分放大装置，主要解决现有技术成本高，系统集成度低的问题。其包括：由四级级联的全差分放大器和低频反馈电路组成，该低频反馈电路连接在第四级的输出端与第一级的输入端之间，用以检测全差分放大器输出端信号的低频分量，并转化成电流反馈到输入端，降低放大器的低频失调电压，其由两级反馈放大器AF1、AF2和跨导放大器GF3级联组成，在第二级反馈放大器AF2的正向输入端和负向输出端之间连接有第一密勒电容Cm1，在第二级反馈放大器AF2的反向输入端与和正向输出端之间连接有第二密勒电容Cm2，本发明降低了失调电压和成本，提高了系统集成度，可用于高速模拟均衡系统。
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公开(公告)号：CN105514169B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201610020866.8
申请日：2016-01-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L23/552 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于65nm工艺的超陡倒掺杂抗辐照MOS场效应管，主要解决传统65nm MOS场效应管在总剂量辐照环境下，关态漏电流增大、阈值电压漂移和亚阈值摆幅退化的问题。其包括P型衬底(1)，位于衬底上的外延层(2)，外延层的上方四周设有隔离槽(3)、外延层的上方中部设有栅极(4)，该栅极两侧边界到隔离槽内边界之间的外延层中设有源区(5)和漏区(6)，栅极两侧边界下方的外延层中设有轻掺杂源漏区(7)，栅极正下方位于两个轻掺杂源漏区之间的区域形成沟道，两个轻掺杂源漏区之间的沟道下方设有重掺杂的超陡倒掺杂区(8)。本发明提高了器件抗总剂量辐照能力，可用于大规模集成电路的制备。
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公开(公告)号：CN104752513B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510107916.1
申请日：2015-03-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于65nm工艺的冗余掺杂抗辐照MOS场效应管，主要解决传统65nm MOS场效应管在总剂量辐照环境下，阈值电压漂移、亚阈值摆幅退化和关态漏电流退化的问题。其包括P型衬底(1)和位于衬底上的外延层(2)，外延层的上方四周和中部分别设有隔离槽(3)和栅极(6)，栅极两侧边界到隔离槽内边界之间的外延层中设有源漏有源区(4)，栅极两侧边界下方的外延层中设有轻掺杂源漏区(5)，栅极正下方位于两个轻掺杂源漏区之间的区域形成沟道，在与沟道长度方向平行的两个侧边隔离槽底部，即该处的外延层界面上插有冗余掺杂区(7)。本发明提高了器件抗总剂量辐照能力，可用于大规模集成电路的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107345998A
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201710522182.2
申请日：2017-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/28
CPC classification number: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照集成电路单粒子效应截面预估方法，主要是解决在相同地面重离子加速辐照实验条件下单粒子效应截面预估问题，其技术方案为：从大量的工程试验数据出发，分析离子总注量与其所引起的单粒子效应次数之间的逻辑相关性，结合单粒子效应产生的机理和概率论统计理论，建立下一次单粒子效应出现的时间节点Δti+1的预估模型以及整个电路单粒子效应截面δ的预估模型，从而建立了离子总注量及其所引起单粒子效应次数之间的逻辑关系，本发明解决了在相同试验条件下单粒子效应截面预估问题，为抗辐照集成电路的地面加速模拟试验评估提供了一种工程性的分析手段。可用于对航天微电子器件抗辐照性能预估。
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公开(公告)号：CN103367408B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310280178.1
申请日：2013-07-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/51 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种基于硅衬底的高介电常数栅介质材料及其制备方法。主要解决传统材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差的问题。该栅介质材料自下而上包含阻挡层(1)、La基高介电常数薄膜(2)和保护层(3)，其中，阻挡层(1)采用厚度为0.5-3nm的Al2O3；La基高介电常数薄膜(2)采用厚度为1-10nm的La2O3或LaAlO3或HfLaOx；保护层(3)采用厚度为1-5nm的Al2O3。整个材料采用原子层淀积方法制备。本发明的栅介质材料具有介电常数高，薄膜致密性和台阶覆盖性好，热稳定性好，表面粗糙度小的优点，可用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的栅电介质膜。
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公开(公告)号：CN103367409B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310280326.X
申请日：2013-07-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/51 , H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种基于锗衬底的La基高介电常数栅介质材料的制备方法，主要解决传统材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差的问题。该栅介质材料自下而上包含界面层(1)、阻挡层(2)、La基高介电常数薄膜(3)和保护层(4)，其中，界面层(1)采用0.5-1nm的GeO2；阻挡层(2)采用厚度为0.5-2nm的Al2O3；La基高介电常数薄膜(3)采用厚度为1-10nm的La2O3或LaAlO3或HfLaOx；保护层(4)采用厚度为1-2nm的Al2O3。整个材料采用原子层淀积方法制备，制备完成后进行低温和高温退火处理。本发明具有介电常数高，薄膜致密性和台阶覆盖性好，热稳定性好，表面粗糙度小的优点，可用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的栅电介质膜。
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公开(公告)号：CN104752513A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510107916.1
申请日：2015-03-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7833 , H01L29/0603 , H01L29/0688 , H01L29/66477 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种基于65nm工艺的冗余掺杂抗辐照MOS场效应管，主要解决传统65nm MOS场效应管在总剂量辐照环境下，阈值电压漂移、亚阈值摆幅退化和关态漏电流退化的问题。其包括P型衬底(1)和位于衬底上的外延层(2)，外延层的上方四周和中部分别设有隔离槽(3)和栅极(6)，栅极两侧边界到隔离槽内边界之间的外延层中设有源漏有源区(4)，栅极两侧边界下方的外延层中设有轻掺杂源漏区(5)，栅极正下方位于两个轻掺杂源漏区之间的区域形成沟道，在与沟道长度方向平行的两个侧边隔离槽底部，即该处的外延层界面上插有冗余掺杂区(7)。本发明提高了器件抗总剂量辐照能力，可用于大规模集成电路的制备。
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公开(公告)号：CN104409480A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410658088.6
申请日：2014-11-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/402 , H01L21/28 , H01L29/66431 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅型直角源场板高电子迁移率器件及其制作方法，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、绝缘介质层(7)、钝化层(9)和保护层(12)，源极(4)与漏极(5)淀积在势垒层上，台面(6)制作在势垒层的侧面，绝缘栅极(8)淀积在绝缘介质层上，钝化层内刻有凹槽(10)，直角源场板(11)淀积在钝化层与保护层之间，直角源场板(11)靠近绝缘栅极一侧边缘与凹槽靠近绝缘栅极一侧边缘对齐，该直角源场板与源极(4)电气连接，且下端完全填充在凹槽(10)内。本发明具有工艺简单、击穿电压高、可靠性高和成品率高的优点。
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