公开(公告)号：CN105514169B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201610020866.8

申请日：2016-01-13

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘红侠 ,  张丹 ,  陈树鹏 ,  陈安 ,  侯文煜

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/552 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种基于65nm工艺的超陡倒掺杂抗辐照MOS场效应管，主要解决传统65nm MOS场效应管在总剂量辐照环境下，关态漏电流增大、阈值电压漂移和亚阈值摆幅退化的问题。其包括P型衬底(1)，位于衬底上的外延层(2)，外延层的上方四周设有隔离槽(3)、外延层的上方中部设有栅极(4)，该栅极两侧边界到隔离槽内边界之间的外延层中设有源区(5)和漏区(6)，栅极两侧边界下方的外延层中设有轻掺杂源漏区(7)，栅极正下方位于两个轻掺杂源漏区之间的区域形成沟道，两个轻掺杂源漏区之间的沟道下方设有重掺杂的超陡倒掺杂区(8)。本发明提高了器件抗总剂量辐照能力，可用于大规模集成电路的制备。

公开(公告)号：CN105514169A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201610020866.8

申请日：2016-01-13

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘红侠 ,  张丹 ,  陈树鹏 ,  陈安 ,  侯文煜

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/552 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L23/552 ,  H01L29/66598

Abstract: 本发明公开了一种基于65nm工艺的超陡倒掺杂抗辐照MOS场效应管，主要解决传统65nm MOS场效应管在总剂量辐照环境下，关态漏电流增大、阈值电压漂移和亚阈值摆幅退化的问题。其包括P型衬底(1)，位于衬底上的外延层(2)，外延层的上方四周设有隔离槽(3)、外延层的上方中部设有栅极(4)，该栅极两侧边界到隔离槽内边界之间的外延层中设有源区(5)和漏区(6)，栅极两侧边界下方的外延层中设有轻掺杂源漏区(7)，栅极正下方位于两个轻掺杂源漏区之间的区域形成沟道，两个轻掺杂源漏区之间的沟道下方设有重掺杂的超陡倒掺杂区(8)。本发明提高了器件抗总剂量辐照能力，可用于大规模集成电路的制备。