公开(公告)号：CN103367409A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310280326.X

申请日：2013-07-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘红侠 ,  范小娇 ,  费晨曦 ,  卓青青 ,  汪星 ,  尹淑颖

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明公开了一种基于锗衬底的La基高介电常数栅介质材料的制备方法，主要解决传统材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差的问题。该栅介质材料自下而上包含界面层(1)、阻挡层(2)、La基高介电常数薄膜(3)和保护层(4)，其中，界面层(1)采用0.5-1nm的GeO2；阻挡层(2)采用厚度为0.5-2nm的Al2O3；La基高介电常数薄膜(3)采用厚度为1-10nm的La2O3或LaAlO3或HfLaOx；保护层(4)采用厚度为1-2nm的Al2O3。整个材料采用原子层淀积方法制备，制备完成后进行低温和高温退火处理。本发明具有介电常数高，薄膜致密性和台阶覆盖性好，热稳定性好，表面粗糙度小的优点，可用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的栅电介质膜。

公开(公告)号：CN103367408B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201310280178.1

申请日：2013-07-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘红侠 ,  费晨曦 ,  范小娇 ,  马飞 ,  樊继斌 ,  许韩晨玺

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明公开了一种基于硅衬底的高介电常数栅介质材料及其制备方法。主要解决传统材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差的问题。该栅介质材料自下而上包含阻挡层(1)、La基高介电常数薄膜(2)和保护层(3)，其中，阻挡层(1)采用厚度为0.5-3nm的Al2O3；La基高介电常数薄膜(2)采用厚度为1-10nm的La2O3或LaAlO3或HfLaOx；保护层(3)采用厚度为1-5nm的Al2O3。整个材料采用原子层淀积方法制备。本发明的栅介质材料具有介电常数高，薄膜致密性和台阶覆盖性好，热稳定性好，表面粗糙度小的优点，可用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的栅电介质膜。

公开(公告)号：CN103367409B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201310280326.X

申请日：2013-07-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘红侠 ,  范小娇 ,  费晨曦 ,  卓青青 ,  汪星 ,  尹淑颖

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明公开了一种基于锗衬底的La基高介电常数栅介质材料的制备方法，主要解决传统材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差的问题。该栅介质材料自下而上包含界面层(1)、阻挡层(2)、La基高介电常数薄膜(3)和保护层(4)，其中，界面层(1)采用0.5-1nm的GeO2；阻挡层(2)采用厚度为0.5-2nm的Al2O3；La基高介电常数薄膜(3)采用厚度为1-10nm的La2O3或LaAlO3或HfLaOx；保护层(4)采用厚度为1-2nm的Al2O3。整个材料采用原子层淀积方法制备，制备完成后进行低温和高温退火处理。本发明具有介电常数高，薄膜致密性和台阶覆盖性好，热稳定性好，表面粗糙度小的优点，可用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的栅电介质膜。

公开(公告)号：CN103367408A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310280178.1

申请日：2013-07-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘红侠 ,  费晨曦 ,  范小娇 ,  马飞 ,  樊继斌 ,  许韩晨玺

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明公开了一种基于硅衬底的高介电常数栅介质材料及其制备方法。主要解决传统材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差的问题。该栅介质材料自下而上包含阻挡层(1)、La基高介电常数薄膜(2)和保护层(3)，其中，阻挡层(1)采用厚度为0.5-3nm的Al2O3；La基高介电常数薄膜(2)采用厚度为1-10nm的La2O3或LaAlO3或HfLaOx；保护层(3)采用厚度为1-5nm的Al2O3。整个材料采用原子层淀积方法制备。本发明的栅介质材料具有介电常数高，薄膜致密性和台阶覆盖性好，热稳定性好，表面粗糙度小的优点，可用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的栅电介质膜。