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公开(公告)号：CN109904228A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910194666.8
申请日：2019-03-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/47 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种界面电荷补偿常关型金刚石基场效应晶体管及其制备方法，包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、给电子材料层和栅电极；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；给电子材料层覆盖源极与漏极之间部分导电沟道，或者给电子材料层覆盖全部导电沟道及部分源极和部分漏极；其中，给电子材料层的费米能级高于导电沟道的费米能级；给电子材料层上设置有栅电极。本发明的常关型金刚石基场效应晶体管，不会损伤导电沟道的性能，同时能够保证器件源漏之间的电流通过能力。
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公开(公告)号：CN109768081A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910074808.7
申请日：2019-01-25
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了n型掺杂金刚石场板结构的场效应晶体管，包括金刚石衬底，金刚石衬底上铺设有由n型掺杂单晶金刚石外延薄膜形成的台面，台面上沉积有两个条形的介质层，沿各介质层和台面的外沿分别铺设有漏极和源极，在两个介质层之间铺设有栅极，介质层、漏极、源极和栅极形成场板结构，源极、漏极和栅极上分别沉积有源引出电极、漏引出电极和栅引出电极，源引出电极、漏引出电极和栅引出电极之间通过钝化层相互完全分隔；本发明在金刚石MESFET的源栅漏电极边缘引入场板结构，有效的降低了电场集中效应，增大了器件的耐压特性，有效减弱器件源、栅、漏边缘的电场集中现象，提高了器件击穿电压性能。
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公开(公告)号：CN109378312A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811074396.9
申请日：2018-09-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/095 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L21/338 , H01L29/812
Abstract: 本发明公开了一种体掺杂金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法，包含金刚石衬底；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有体掺杂单晶外延薄膜和刻蚀区域，刻蚀区域为高肖特基势垒终端；体掺杂单晶外延薄膜上设置有沟道区域；沟道区域包括体掺杂单晶外延薄膜作为导电沟道，且为低肖特基势垒终端；源电极和漏电极处于沟道区域的两侧；源电极和漏电极之间刻蚀区域及沟道区域上设置栅电极。本发明为常关型场效应晶体管，利用体掺杂外延单晶金刚石材料作为导电沟道使用，可发挥金刚石材料耐高温、抗辐射和可在恶略环境工作等优势。
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公开(公告)号：CN108493268A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810398932.4
申请日：2018-04-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种金刚石紫外探测器三维电极结构，包括层叠设置的单晶金刚石衬底和本征单晶金刚石外延层，的金刚石外延层表面向外凸出设置有若干条相互平行的金刚石条，的金刚石外延层表面还设置有分别用于作为正极和负极的两个金属电极pad；垂直穿过的金刚石条等距间隔设置有偶数个叉指电极，按照叉指电极的排列顺序依次定义叉指电极5的编号为1、2、3、…、n，则编号为奇数的叉指电极均连接至同一个金属电极pad4上，编号为偶数的叉指电极均连接至另一个金属电极pad上。解决了采用垂直三明治电极结构时衬底和薄膜分离难、载流子收集时间长和收集效率低的问题，同时，解决采用共平面叉指电极结构时电场均匀性不佳的问题，从而提高探测器的响应度和时间响应性能。
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公开(公告)号：CN108321271A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810182721.7
申请日：2018-03-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种准垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED及其制作方法，其中，一种准垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底和p型硼高掺杂金刚石层，p型硼高掺杂金刚石层上方依次设置有i型碳化硅层、n型磷高掺杂金刚石层、欧姆接触电极和保护金属层，p型硼高掺杂金刚石层上方还依次设置有欧姆接触电极和保护金属层，解决了金刚石LED发光效率问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108321262A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810183927.1
申请日：2018-03-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED及其制作方法，垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底、p型硼高掺杂金刚石层、i型碳化硅层和n型磷高掺杂金刚石层，单晶金刚石衬底向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层，n型磷高掺杂金刚石层向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层，解决了金刚石LED发光效率问题。
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公开(公告)号：CN107655859A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710797868.2
申请日：2017-09-06
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: G01N21/4788 , G01N21/01 , G02B27/10
Abstract: 本发明公开一种周期材料成像装置及方法，光源部分包括符合光源、凸透镜、扩束器和小孔；探测部分包括第一分光镜、第二分光镜和周期材料固定台；成像部分包括第一探测器、第二探测器和第三探测器；符合光源的出射光路上依次布置有凸透镜、扩束器、小孔、第一分光镜和第二分光镜；第一分光镜的第一出射光光路上依次设有周期材料固定台和第一探测器；周期材料固定台上安装有周期材料；第一分光镜的第二出射光入射到第二分光镜，被第二分光镜分成第二分光镜的第一出射光和第二分光镜的第二出射光；第二分光镜的第一出射光光路上设有第二探测器，第二分光镜的第二出射光光路上设有第三探测器。本发明有效的提高了成像分辨率和对比度。
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公开(公告)号：CN104992975B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201510254502.1
申请日：2015-05-18
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/40 , H01L29/66 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开一种金刚石功率晶体管及其制备方法，该晶体管包括氢终端金刚石、源电极、漏电极、栅介质和栅电极，该金刚石功率晶体管的源电极和漏电极采用环形结构；所述栅电极带有场板结构。本发明由于采用的是环形结构，可以有效地改善晶体管工作时的电流分布，有效的改善电场集中现象，从而可以明显提高器件的击穿电压。并且因为栅电极采用了场板结构，可以改善栅电极处的电流分布，从而可以进一步提高器件的击穿电压；该结构的金刚石功率晶体管，具有高的耐压能力，能够作用于高压高功率领域。
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公开(公告)号：CN104911702A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510212841.3
申请日：2015-04-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自组装工艺的高质量单晶金刚石生长方法，按照以下步骤实施：步骤一、将纳米二氧化硅颗粒分散到酒精、异丙醇或者丙酮溶液中，制备得到纳米二氧化硅分散液；步骤二、将分散液滴到单晶金刚石衬底表面，通过旋涂使其在单晶金刚石衬底表面均匀分散；步骤三、通过反应离子刻蚀技术，刻蚀单晶金刚石衬底表面的纳米二氧化硅，形成自断裂的二氧化硅掩膜，使单晶金刚石衬底表面部分裸露；步骤四、通过在裸露的单晶金刚石衬底表面进行金刚石同质外延生长，并在二氧化硅掩膜上进行金刚石横向生长，即在衬底上生长出单晶金刚石薄膜，解决了现有采用同质外延生长法制备金刚石薄膜质量偏低的问题。
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公开(公告)号：CN118782658B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411108620.7
申请日：2024-08-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种横向氧化镓高压型肖特基二极管及其制备方法，属于半导体材料与器件技术领域；所述横向氧化镓高压型肖特基二极管包括氧化镓基底；所述氧化镓基底上开设有至少两个梯形通孔，所述梯形通孔的上底位于氧化镓基底正面，梯形通孔的下底位于氧化镓基底背面；氧化镓基底背面沉积有氮化硅介质层；氧化镓基底正面沉积有Ti金属层、第一化学惰性金属层、Ni金属层和第二化学惰性金属层；所述Ni金属层和第二化学惰性金属层位于两个梯形通孔之间的氧化镓基底表面上；所述Ti金属层和第一化学惰性金属层位于两个梯形通孔外侧的氧化镓基底表面上。本发明制备的二极管结构具有良好的电学特性，相比于现有技术的氧化镓肖特基二极管的耐压性更好。
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