-
公开(公告)号：CN112921273A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110079670.7
申请日：2021-01-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于热辐射技术领域，具体为一种基于相变材料二氧化钒的动态热辐射制冷器件。本发明基于经典的金属‑介质‑金属超表面结构设计，引入过渡介质层有效提高了相变材料二氧化钒薄膜的附着力，并通过介质层材料的选择调控整个器件与室温下黑体辐射率的峰值相对应，有效解决了当前热辐射制冷器件存在的制冷效果相对较差的技术问题。本发明在温度较高时通过中红外8‑14μm大气窗口对外辐射能量，并且反射太阳光，而在温度较低时几乎不对外辐射能量，达到智能控温、动态制冷的功能；具有智能动态控温，结构简单，便于大面积制备，零能耗，极化不敏感等特点；对解决过度制冷问题、缓解城市热岛效应有重要意义，且在红外伪装等领域也具有应用潜力。
-
公开(公告)号：CN111198414B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010031484.1
申请日：2020-01-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及非互易超构表面，具体涉及一种自偏置的磁光非互易超构表面器件。本发明通过将亚波长尺寸的硬磁材料结构层按矩阵周期排列在微波频段折射率为1～5的材料层上，通过改变结构层的结构单元的长宽高实现对电磁波的相位和振幅的调控，只需一次磁化，无需持续外加磁场。最终本发明基于磁光效应通过高矫顽力的硬磁材料实现了自偏置的磁光效应非互易器件；且采用亚波长尺寸的结构，利于器件的小型化和集成化。在雷达屏蔽(单向透射)、自由空间隔离器、非互易透镜、非互易全息成像等领域有着重要的应用前景。
-
公开(公告)号：CN109100900B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201810810074.X
申请日：2018-07-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/355
Abstract: 本发明属于半导体器件及非线性光学应用领域，特别涉及一种HfO2基铁电材料的使用方法。本发明将用于半导体存储行业的HfO2基铁电材料作为非线性光学材料应用于非线性光学元器件，利用铁电材料具有自发极化特性，并且自发极化可随外电场进行反转并在断电时仍可保持的先天非线性光学性能。还利用所设计的器件金属结构将电场局域在铁电HfO2层，从而得到更强的二次谐波激发，具有优异的CMOS兼容性和突出的可小型化能力，在更广的温度范围内具有更高的稳定性。可应用于电光开光、激光调频、传感检测等领域。对发展具有半导体兼容性且可小型化的光学元器件具有重要的意义。
-
公开(公告)号：CN111505766A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010380891.3
申请日：2020-05-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/12 , G02B6/122 , G02F1/095 , G01S17/02 , G01S7/4913 , G01S7/4861 , G01S7/481 , G01S7/48
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于硅基集成磁光环行器的光学全双工收发组件。本发明中的硅基集成磁光环行器件结构采用硅基集成的马赫-曾德尔干涉结构或硅基集成的微环结构，结合互易与非互易移相对收发信号的相位进行调控，达到分离收发信号的目的。最终本发明大大降低了整体组件的尺寸及制备成本，改善了整体组件对回波信号的耦合性能；有效规避了在分立光学探测组件中存在的装调误差和低信噪比等问题，并提供了硅基集成磁光环行器、激光器、光探测器和激光天线一起集成的更优的技术方案，可以显著提高激光雷达等激光主动探测系统的性能，对降低系统的体积、重量、成本，具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN109164603B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201810858214.0
申请日：2018-07-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于转移打印在硅上低温集成石榴石薄膜的方法。本发明中，利用化学自组装法在SiO2/Si基底上六角密排PS小球，再用氧等离子体轰击PS小球使小球直径缩小，用脉冲激光沉积法在室温下将磁光石榴石薄膜沉积到氧等离子体轰击后的PS小球上，用甲苯清洗PS小球使PS小球及其上的石榴石薄膜脱落，使得在SiO2/Si基底上留下孔洞状的石榴石薄膜，最终使得刻蚀速率大大提高，且减弱了石榴石薄膜被HF腐蚀的程度。刻蚀完全后，用PDMS印章取下悬空的石榴石薄膜，再把石榴石薄膜印制到硅基底上，实现了石榴石薄膜在硅基底上的低温集成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109979811A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910211530.3
申请日：2019-03-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于材料领域，具体涉及一种钽掺杂二氧化铪新型铁电材料的制备方法。本发明首次提出了施主掺杂，为制备HfO2铁电薄膜材料提供了一种新的路径；采用Pt电极避免了Ta掺杂HfO2材料与电极材料的反应，利用脉冲激光沉积、快速退火等方式获得了施主Ta掺杂的HfO2铁电薄膜，证明了施主元素也可用于通过掺杂促使HfO2薄膜产生铁电性。施主掺杂HfO2铁电薄膜的实现，可以帮助我们了解掺杂元素化合价对HfO2薄膜铁电性的影响，对更好地应用HfO2铁电薄膜产生积极的推动作用。
-
公开(公告)号：CN109900659A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910211190.4
申请日：2019-03-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/41 , G01N21/552
Abstract: 本发明属于光学传感领域，具体涉及一种基于磁光表面等离子体共振的折射率传感器。本发明通过设计介质层进行结构设计，构建了连续金属薄膜层、Ce:YIG薄膜和贵金属周期结构三层结构，从而实现贵金属纳米颗粒局域型表面等离激元和连续金属薄膜层/Ce:YIG界面的传播型表面等离激元共振耦合，利用了Ce:YIG薄膜材料相比于铁磁金属材料，在可见光及近红外波段有着较低的光学损耗，并具有较高的磁光效应以及较高的稳定性；显著降低了局域等离激元谐振的散射损耗，并实现磁光效应的显着增强。使用磁光氧化物的强磁光效应，器件品质因数达2200RIU-1。
-
公开(公告)号：CN106756787B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201611041955.7
申请日：2016-11-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种可调控磁光光谱的磁光材料及其制备方法。本发明通过改变钴掺杂氧化铈和氧化铪成分比例、生长过程中的激光能量密度、薄膜沉积温度以及薄膜沉积气压，制备了一种基于钴掺杂氧化铈和/或氧化铪的可调控磁光光谱的薄膜，获得了高磁光优值的新型可调谐磁光光谱材料。室温铁磁性的可调磁光性质和光学性质材料可应用于设计最佳磁光优值的可调波长的光学器件。
-
公开(公告)号：CN105549154B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201610125818.5
申请日：2016-03-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/27
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种单向磁化半导体波导集成多模干涉磁光隔离器。该隔离器由依次连接的单模波导单元、多模波导单元和单模波导单元组成，且光波沿其传输，隔离器各波导单元所有波导均采用同一片SOI基片作为底层。各波导单元由至少一个对应的波导构成。多模波导单元中：第一多模波导从上到下依次为低折射率层、磁光薄膜层、半导体波导薄膜层和低折射率层；第二多模波导从上到下依次为低折射率层、半导体波导薄膜层、磁光薄膜层、半导体波导薄膜结构层和低折射率层。通过使多模干涉波导的宽度和单模波导一致，实现模式呈纵向分布。本发明实现了单向磁化下的MMI光隔离器结构，简化了磁场施加方法，使器件容易制备和封装。
-
公开(公告)号：CN106950198A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710122592.8
申请日：2017-03-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/552
CPC classification number: G01N21/554
Abstract: 本发明属于光学传感领域，具体涉及一种磁光表面等离子体共振传感器。本发明提供的磁光表面等离子体共振传感器，其磁性材料薄膜为铁钴合金FexCo1‑x薄膜，其中0＜x＜1。本发明利用铁钴合金磁光效应远强于钴的特性，将铁钴合金FexCo1‑x薄膜作为磁性材料薄膜，以增强磁场对器件的调制能力；相对于现有二层和三层结构的磁光表面等离子体传感器，其灵敏度提高至原有的1～2倍；相对于磁性氧化物Ce‑YIG的磁光表面等离子体传感器，降低了成本；并且本发明适用于各种结构的磁光表面等离子体传感器。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
70
records
(took 0.027 seconds)
